乾照光电:厦门乾照光电股份有限公司创业板向特定对象发行A股股票募集说明书(注册稿)

时间:2021年11月25日 20:35:33 中财网
原标题:乾照光电:厦门乾照光电股份有限公司创业板向特定对象发行A股股票募集说明书(注册稿)


股票简称:乾照光电 股票代码:300102











厦门乾照光电股份有限公司

Xiamen Changelight Co., Ltd.

(注册地址:福建省厦门火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号)



创业板向特定对象发行A股股票

募集说明书

(注册稿)







保荐机构(主承销商)



广东省深圳市福田区中心三路8号卓越时代广场(二期)北座

二〇二一年十一月


声 明

本公司全体董事、监事、高级管理人员承诺本募集说明书不存在任何虚假记载、
误导性陈述或重大遗漏,并保证所披露信息的真实、准确、完整。


公司负责人、主管会计工作负责人及会计机构负责人(会计主管人员)保证本
募集说明书中财务会计报告真实、完整。


证券监督管理机构及其他政府部门对本次发行所作的任何决定,均不表明其对
发行人所发行证券的价值或投资者的收益作出实质性判断或者保证。任何与之相反
的声明均属虚假不实陈述。


根据《证券法》的规定,证券依法发行后,发行人经营与收益的变化,由发行
人自行负责,由此变化引致的投资风险,由投资者自行负责。



重大事项提示

本公司提请投资者仔细阅读本募集说明书“第五节 本次发行相关的风险因
素”章节,并特别注意以下风险:

一、募集资金投资项目风险

(一)募投项目无法达到预期效益的风险

公司本次发行募集资金投资项目的可行性分析是基于当前LED行业的市场环
境、发展趋势、竞争格局、技术水平、客户需求等因素作出的,已经通过了充分的
可行性研究论证,具有广阔的市场前景。但公司本次发行募集资金第2年开始生产,
第5年综合达产率达99%,高于报告期内公司蓝绿光LED外延片、芯片的产能利
用率;同时Mini/Micro LED作为LED前沿技术,本募投项目毛利率呈现先上升再
稳定的趋势,且高于报告期内公司平均水平。由于市场情况在不断地发展变化,如
果出现募集资金不能及时到位、项目延期实施、市场推广效果不理想、产业政策或
市场环境发生变化、竞争加剧等情况,有可能导致项目最终实现的投资效益与公司
预估的投资效益存在一定的差距,可能出现短期内无法盈利的风险或募投项目的收
益不及预期的风险。


本次募投项目产品的销售收入根据销售价格乘以当年预计产能进行测算。销售
价格考虑了投产后产能释放及市场需求造成的价格波动影响,投产后销售价格在期
初基准价格的基础上每年递减。若短期内相关LED芯片产品技术出现较大突破,
或是行业内竞争对手短时间内集中大幅扩产,使得Mini/Micro、高光效LED芯片
市场出现供过于求情形,则可能出现未来相关产品实际销售价格低于募投项目预计
销售价格的风险。


(二)募投项目产能消化风险

公司本次募投新增产能系基于市场发展趋势、公司技术储备和客户储备优势等
综合考虑决定。本次募投项目达产后,公司每年将新增636.00万片的Mini LED
BLU、Mini LED GB、Micro LED芯片、高光效LED芯片生产能力。由于Mini/Micro、
高光效LED芯片市场前景可观,各大LED芯片企业均在积极布局,未来Mini/Micro
LED市场可能存在行业整体产能扩张规模过大导致竞争加剧、市场空间低于市场


预期、产能无法全面消化的风险。同时,在项目实施过程中,若市场环境、下游需
求、竞争对手策略、相关政策或者公司市场开拓等方面出现重大不利变化,则公司
可能会面临募投项目产能不能完全消化的风险。


(三)每股收益被摊薄及净资产收益率下降风险

本次发行股票募集资金到位后,公司总股本规模将扩大,净资产规模将得到提
高。由于本次募集资金到位后从投入使用至募投项目投产和产生效益需要一定时
间,在募投项目产生效益之前,股东回报仍然依赖于公司现有的业务基础。同时,
如果募集资金投资项目建成后未能实现预期收益,这将对公司经营业绩造成一定的
不利影响。上述情形将可能给公司每股收益及净资产收益率等财务指标带来不利影
响,使得公司股东的即期回报被摊薄。


(四)募投项目技术风险

公司本次募集资金投资项目产品包含Mini LED芯片、Micro LED芯片。

Mini/Micro LED 产品与普通LED产品在技术路径、生产设备、制造工艺等方面均
有不同。Mini/Micro LED因为芯片尺寸比普通LED产品要小很多,因此制造工艺
上需要的精度比现有产品要高,测试方式上也会更加复杂。公司已掌握了多项高光
效LED、Mini/Micro LED芯片生长和制备的核心技术,其中:高光效LED芯片产
品逐步切入国内外大厂的供应链,Mini LED芯片进入市场验证阶段,Micro LED
芯片已与下游客户及终端厂商展开合作研发。虽然公司部分Mini/Micro LED产品
已进入市场验证并实现小批量出货,但相关技术仍处于持续研发状态,工艺优化与
性能提升也在持续推进中,距实现大批量生产尚存在不确定性。若因工艺优化、技
术研发不达预期,则可能对募投项目的实施产生不利影响,进而影响公司的经营业
绩。


二、内控及规范运作风险

(一)无实际控制人风险

报告期内,发行人股权结构比较分散,不存在控股股东和实际控制人。本次发
行完成后,公司仍不存在任何一方股东能够基于其所持表决权股份或其提名的董事
在董事会中的席位单独决定公司股东大会或董事会的审议事项,公司仍无控股股东
或实际控制人。同时本次发行完成后,公司现有股东的持股比例预计将被进一步稀


释,不排除未来因无实际控制人导致公司治理格局不稳定或决策效率降低而贻误业
务发展机遇,进而造成公司经营业绩波动的风险。


(二)主要股东变更风险

截至本募集说明书签署日,公司无控股股东及实际控制人,公司的股权集中度
相对较低。此外,公司第二大股东南烨实业及其一致行动人王岩莉于2019年11月
出具《关于股东减持及放弃部分表决权的承诺函》,承诺不可撤销地永久放弃持有
公司股份对应的表决权、提名权、提案权等股东权利,并不再直接或间接、以任何
方式增持公司股票,亦不通过关联方或其他无关联第三方直接或间接、以任何方式
增持上市公司股票(不含因上市公司送股、资本公积转增股本导致的股份数量增
加)。虽然主要股东变更对公司生产经营的影响较小,但公司仍存在主要股东可能
变更,甚至第一大股东福建卓丰及其一致行动人、第二大股东南烨实业及其一致行
动人完全退出上市公司的可能。


此外,若本次发行后新增持股比例5%以上的重要股东,则公司股权结构将相
应发生重大变化。若公司主要股东发生变更,则可能存在公司董事会成员发生变动
以及发展战略和经营策略不稳定的风险,甚至对本次发行募集资金投资项目的实施
造成影响。


(三)管理层变动风险

报告期内,公司共有1名董事、5名高级管理人员离职。同时,公司第四届董
事会任期至2021年3月20日届满,为确保董事会、监事会工作的连续性及稳定性,
公司董事会和监事会的选举工作将延期举行,董事会各专门委员会和高级管理人员
的任期也相应顺延。公司已于2021年10月11日召开第四届董事会第三十九次会
议、第四届监事会第三十六次会议审议并通过关于换届选举及提名第五届董事会董
事、第五届监事会监事的议案,于2021年10月28日召开2021年第三次临时股东
大会审议并通过上述议案。虽然公司新聘任高级管理人员的构成以续聘前任高级管
理人员为主,且相关人员具有丰富的LED行业经验或财务、投资专业能力,但公
司的经营策略、业务发展目标、市场拓展能力、研发水平以及本次募投项目的实施
仍有可能因管理层变动受到影响。



三、宏观市场风险

(一)行业波动性风险

LED芯片行业具有周期性波动的特点。2019年随着宏观经济增速放缓及国际
贸易环境的持续震荡变化,LED行业增速有所下降。2020年受新冠疫情影响,国
内外宏观经济下调,在此背景下LED产业整体规模呈现负增长态势,随着二、三
季度中国全面复工复产和经济回暖,LED行业全年降幅逐渐收窄,并于下半年开
启涨价模式。进入2021年后,替代转移效应在海外疫情高发情况下得到延续,我
国LED产业恢复了增长。受宏观经济波动、市场供需平衡影响,LED芯片行业近
年来在经历快速发展、深化调整后,行业集中度获得进一步提升,整体发展呈现一
定的周期性波动。受行业周期性波动的影响,LED芯片行业能否保持平稳增长具
有不确定性,可能对公司整体经营业绩造成不利影响。


(二)市场竞争的经营风险

公司专业从事半导体光电产品的研发、生产和销售,是LED产业链上游企业,
主要产品为LED外延片和芯片。公司所处的LED行业受宏观环境、上下游产业链
景气度及同业竞争对手产销状况等多重因素影响,行业竞争变得愈加激烈,可能对
公司的经营状况产生不良影响。


四、经营风险

(一)业绩稳定性或亏损风险

2018年度、2019年度、2020年度及2021年1-9月,公司实现营业收入分别为
102,956.20万元、103,924.08万元、131,571.98万元及146,760.82万元,综合毛利
率分别为29.17%、7.64%、6.72%及26.95%,公司归属于母公司所有者的净利润分
别为17,998.57万元、-27,996.16万元、-24,690.53万元及16,461.78万元,扣非后
归属于母公司所有者的净利润分别为3,279.62万元、-39,743.59万元、-29,833.87
万元及9,043.52万元。报告期内,公司的主要收入来自于LED外延片及芯片销售
业务。2020年下半年以来,LED芯片市场开始触底回温,部分芯片产品价格上涨,
公司盈利能力有所提升,2021年1-9月公司毛利率已大幅回升至26.95%。但是,
公司所处的LED行业受宏观环境、上下游产业链景气度及同业竞争对手产销状况
等多重因素影响,若宏观经济形势发生变化或LED行业出现重大调整,则公司将


面临经营业绩下滑甚至亏损的风险。


(二)持续经营能力风险

虽然2020年下半年以来LED芯片市场已有所回暖,但未来若宏观经济形势发
生变化或LED行业出现重大调整,可能会加剧公司运营资金压力,公司日常生产
经营将受到较大不利影响,盈利能力进一步削弱,导致公司的持续经营能力产生重
大不确定性风险。


(三)产品价格下降风险

随着LED行业技术的不断进步,各厂商产能逐步得到释放,行业库存量日趋
增加,存在LED产业投资规模增长过快问题。加之市场的激烈竞争,厂商通过降
价来换取订单和现金流,促使LED芯片市场价格呈现下降趋势。2018年至2020
年,受宏观经济增速放缓及国际贸易环境持续震荡变化的影响,公司LED蓝绿光
芯片及外延片(折2寸片)平均销售单价分别为141.81元/片、91.45元/片和71.19
元/片,LED红黄光芯片及外延片(折2寸片)平均销售单价分别为280.65元/片、
234.10元/片和185.44元/片,产品销售价格呈下降趋势。如未来公司不能优化产品
结构,公司产品销售单价可能进一步下降,从而对公司的经营业绩带来不利影响。


五、财务风险

(一)偿债风险

截至2018年末、2019年末、2020年末及2021年9月末,公司合并口径的资
产负债率分别为54.75%、62.29%、62.13%及58.95%,负债总额分别为349,339.63
万元、429,731.87万元、386,031.09万元及364,510.40万元。公司资产负债率整体
处于较高水平,面临一定的债务本息偿还压力,若公司未来经营过程中出现营运资
金不足的情形,将给公司带来一定的偿债风险。


(二)应收账款回收风险

截至2018年末、2019年末、2020年末及2021年9月末,公司应收账款账面
价值分别为56,301.01万元、69,533.10万元、77,422.42万元及84,128.59万元。尽
管公司已制定完善的应收账款管理制度及催收机制,并已按会计准则要求充分计提
坏账,但仍然有可能受一些无法预计的因素影响,产生应收账款无法收回的风险。



(三)毛利率风险

2018年度、2019年度、2020年度及2021年1-9月,公司实现综合毛利率分别
为29.17%、7.64%、6.72%及26.95%。若公司所处的行业竞争加剧,导致LED外
延片芯片市场销售价格下降,或者因公司未能有效控制成本等方面影响,可能造成
公司盈利能力下降,导致公司毛利率下降的风险。


(四)存货风险

2018年末、2019年末及2020年末,公司存货账面价值分别为44,655.65万元、
45,564.98万元及36,673.24万元,占各期末流动资产的比例分别为16.90%、16.20%
及16.10%。2018年度、2019年度和2020年度,公司分别计提存货跌价准备1,135.91
万元、15,024.71万元和10,568.61万元。公司计提的存货跌价准备,主要为库存商
品跌价准备。近年来由于LED外延片及芯片市场竞争激烈,市场价格呈现下降的
行业趋势,公司遵从谨慎性原则,在各资产负债表日计提一定比例的存货跌价准备,
以确保存货账面价值的准确性。公司期末存货金额较大,若未来LED外延片芯片
市场销售价格继续下降,公司存货将面临减值风险,将会对公司的经营业绩产生不
利影响。





目 录

声 明............................................................................................................................... 1
重大事项提示.................................................................................................................... 2
一、募集资金投资项目风险..................................................................................... 2
二、内控及规范运作风险......................................................................................... 3
三、宏观市场风险..................................................................................................... 5
四、经营风险............................................................................................................. 5
五、财务风险............................................................................................................. 6
目 录............................................................................................................................... 8
释 义.............................................................................................................................. 10
第一节 发行人基本情况 ............................................................................................. 13
一、公司概况........................................................................................................... 13
二、股权结构、控股股东及实际控制人情况....................................................... 14
三、所处行业的主要特点及行业竞争情况........................................................... 19
四、主要业务模式、产品或服务的主要内容....................................................... 26
五、现有业务发展安排及未来发展战略............................................................... 40
六、财务性投资相关情况....................................................................................... 41
七、未决诉讼、仲裁及行政处罚情况................................................................... 50
第二节 本次证券发行概要 ......................................................................................... 52
一、本次发行的背景和目的................................................................................... 52
二、发行证券的定价方式、发行数量、限售期................................................... 55
三、募集资金投向................................................................................................... 57
四、本次发行是否构成关联交易........................................................................... 57
五、本次发行是否导致公司控制权发生变化....................................................... 57
六、本次发行方案是否存在创新、无先例等情形说明....................................... 58
七、本次发行方案取得有关主管部门批准的情况以及尚需呈报批准的程序... 58
第三节 董事会关于本次募集资金使用的可行性分析 ............................................. 59
一、前次募集资金使用情况................................................................................... 59
二、本次募集资金使用计划................................................................................... 61
三、本次募集资金使用的基本情况....................................................................... 63
四、本次募投项目建设的背景及必要性............................................................... 80
五、本次募投项目新增产能消化的可行性分析................................................... 82
六、本次募投项目与公司既有业务、前次募投项目的关系............................... 83
七、本次发行对公司经营管理和财务状况的影响............................................... 85
第四节 董事会关于本次发行对公司影响的讨论与分析 ......................................... 87
一、本次发行完成后,上市公司的业务及资产的变动或整合计划................... 87
二、本次发行完成后,上市公司控制权结构的变化........................................... 87
三、本次发行完成后,上市公司与发行对象及发行对象的控股股东和实际控制
人从事的业务存在同业竞争或潜在同业竞争的情况........................................... 87
四、本次发行完成后,上市公司与发行对象及发行对象的控股股东和实际控制
人可能存在的关联交易的情况............................................................................... 88
第五节 本次发行相关的风险因素 ............................................................................. 89
一、募集资金投资项目风险................................................................................... 89
二、内控及规范运作风险....................................................................................... 91
三、宏观市场风险................................................................................................... 92
四、经营风险........................................................................................................... 93
五、财务风险........................................................................................................... 95
六、股票价格波动的风险....................................................................................... 96
七、发行风险........................................................................................................... 96
八、审批风险........................................................................................................... 96
第六节 与本次发行相关的声明 ................................................................................. 97
一、全体董事、监事和高级管理人员声明........................................................... 97
二、保荐机构声明................................................................................................. 100
三、律师事务所声明............................................................................................. 103
四、会计师事务所声明......................................................................................... 104
五、发行人董事会声明......................................................................................... 105
发行人及控股子公司专利清单 ................................................................................... 109
释 义

在本募集说明书中,除非另有说明,下列简称具有如下特定含义:

乾照光电、发行人、股份公
司、公司、本公司



厦门乾照光电股份有限公司

福建卓丰



福建卓丰投资合伙企业(有限合伙),系发行人股东

和君正德



深圳和君正德资产管理有限公司,系发行人股东正德远
盛、正德鑫盛的管理人

正德远盛、和君正德-正德远




深圳和君正德资产管理有限公司-正德远盛产业创新结
构化私募基金,系发行人股东

正德鑫盛、和君正德-正德鑫




深圳和君正德资产管理有限公司-正德鑫盛一号投资私
募基金,系发行人股东

苏州和正



苏州和正股权投资基金管理企业(有限合伙),系发行人
原股东和聚鑫盛的管理人

和聚鑫盛



苏州和正股权投资基金管理企业(有限合伙)-和聚鑫盛
一号基金,系发行人原股东

南烨实业



长治市南烨实业集团有限公司,系发行人股东

黄河投资



山西黄河股权投资管理有限公司,系太行基金管理人

太行基金



山西黄河股权投资管理有限公司—太行产业并购私募基
金,系发行人股东

建云物资



长治市建云物资贸易有限公司,2020年10月22日由原名
“长治市华光半导体科技有限公司”更名而来,系发行人
股东

扬州乾照、扬州子公司



扬州乾照光电有限公司,系发行人全资子公司

江西乾照、江西子公司



江西乾照光电有限公司,系发行人全资子公司

乾照科技、科技公司



厦门乾照光电科技有限公司,系发行人全资子公司

乾照照明、照明公司



厦门乾照照明有限公司,系发行人全资子公司

乾泰坤华



厦门乾泰坤华供应链管理有限公司,系发行人全资子公司

乾照半导体



厦门乾照半导体科技有限公司,系发行人全资子公司

征芯科技



厦门征芯科技有限公司,系乾照半导体全资子公司

未来显示研究院



厦门未来显示技术研究院有限公司,系发行人全资子公司

乾照激光



厦门乾照激光芯片科技有限公司,系乾照半导体控股子公


圣西朗乾照、酒泉圣西朗



酒泉市圣西朗乾照照明工程有限公司,系发行人参股企业

满星繁盛



嘉兴满星繁盛投资合伙企业(有限合伙),2020年12月
由原名“盐城满天星投资合伙企业(有限合伙)”更名而
来,系发行人参股企业

乾芯半导体



乾芯(平潭)半导体投资合伙企业(有限合伙),系发行
人参股企业

康鹏半导体



浙江康鹏半导体有限公司,系发行人参股企业

三安光电



三安光电股份有限公司(A股上市公司,股票代码600703)




华灿光电



华灿光电股份有限公司(A股上市公司,股票代码300323)

聚灿光电



聚灿光电科技股份有限公司(A股上市公司,股票代码
300708)

GP



General Partner,普通合伙人

LP



Limited Partner,有限合伙人

LED



发光二极管(Light Emitting Diode),由III-V族半导体材
料制成,利用半导体中电子与空穴结合而发出不同光谱频
率光子的发光器件

Mini LED



尺寸介于50-200μm之间的LED芯片

Micro LED



尺寸小于50μm的LED芯片

MOCVD



金属有机化学气相沉积,目前应用范围最广的LED外延
片的生长方法

BLU



背光源组件(Back Light Unit),位于液晶显示器(LCD)
背后的一种光源,它的发光效果将直接影响到液晶显示模
块视觉效果

RGB



R代表Red(红色),G代表Green(绿色),B代表Blue(蓝色)。RGB即红绿蓝三基色,通过红、绿、蓝三基色
LED器件的组合,可以实现全彩显示

GaN、氮化镓



Gallium Nitride,一种第三代半导体材料,III-V族化合物
半导体,是制作蓝绿光LED发光层的关键材料

GaAs、砷化镓



Gallium Arsenide,III-V族化合物半导体,是制造红黄光
LED衬底的主要材料

III-V族化合物半导体



元素周期表中的III族与V族元素相结合生成的化合物半
导体,主要包括镓化砷(GaAs)、磷化铟(InP)和氮化
镓(GaN)等

外延片



LED外延生长的产物,用于制造LED芯片的基础材料

LED芯片



LED中实现电-光转化功能的核心单元,由LED外延片经
特定工艺加工而成

衬底



LED衬底,外延生长的载体,生长外延片所需的主要原材
料之一,主要有蓝宝石(Al2O3)、砷化镓(GaAs)等材


MO源



高纯金属有机化合物,通过MOCVD技术制造LED外延
片的主要原材料之一

封装



LED封装,为LED芯片制作电极并进行固化

《公司章程》



《厦门乾照光电股份有限公司章程》

《公司法》



《中华人民共和国公司法》

《证券法》



《中华人民共和国证券法》

《注册管理办法》



《创业板上市公司证券发行注册管理办法(试行)》

《上市规则》



《深圳证券交易所创业板股票上市规则(2020年12月修
订)》

《审核问答》



《深圳证券交易所创业板上市公司证券发行上市审核问
答》(2020年6月)

中国证监会



中国证券监督管理委员会

中登深圳分公司



中国证券登记结算有限责任公司深圳分公司




深交所



深圳证券交易所

A股



经中国证监会批准向境内投资者发行、在境内证券交易所
上市、以人民币标明股票面值、以人民币认购和进行交易
的普通股

定价基准日



本次向特定对象发行之发行期首日

保荐机构、中信证券



中信证券股份有限公司

发行人会计师、容诚会计师



容诚会计师事务所(特殊普通合伙)

发行人律师、国浩律师



国浩律师(福州)事务所

报告期、最近三年及一期



2018年、2019年、2020年和2021年1-9月

元、万元、亿元



人民币元、人民币万元、人民币亿元



本募集说明书中部分合计数与各明细数之和在尾数上有差异,是由于四舍五入
所致。



第一节 发行人基本情况

一、公司概况

公司名称

厦门乾照光电股份有限公司

英文名称

Xiamen Changelight Co., Ltd

注册资本

707,390,811元

法定代表人

金张育

成立日期

2006年2月21日

上市日期

2010年8月12日

股票简称

乾照光电

股票代码

300102

注册地址

厦门火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号

办公地址

厦门市湖里区岐山北路514号E栋

电话号码

0592-7616063

传真号码

0592-7616053

互联网网址

www.changelight.com.cn

经营范围

光电子器件及其他电子器件制造;集成电路制造;半导体分立器件制造;
电子元件及组件制造;照明灯具制造;电光源制造;灯用电器附件及其他
照明器具制造;光伏设备及元器件制造;工程和技术研究和试验发展;其
他电子产品零售;信息技术咨询服务;经营本企业自产产品的出口业务和
本企业所需的机械设备、零配件、原辅材料的进口业务(不另附进出口商
品目录),但国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外;自有房
地产经营活动。





二、股权结构、控股股东及实际控制人情况

(一)股权结构

截至2021年9月30日,公司股权架构图如下:



正德远盛

其他股东

正德鑫盛

福建卓丰

征芯科技

太行基金

乾照光电

南烨实业

建云物资

8.48%

3.18%

0.01%

0.40%



4.50%

一致行动人,合计持股5.05%,表决
权比例4.50%

一致行动人,合计持股11.67%

0.14%

10%

50%

乾照激光

100%

66.01%

65%


西











来显
示研
究院














































100%

100%

100%

100%

100%

100%

100%

圣西朗乾照

21.53%



截至2021年9月30日,公司前十大股东如下:

股东名称

股东性质

持股数量
(股)

持股比例
(%)

持有有限售
条件的股份
数量(股)

持有无限售
条件的股份
数量(股)

质押股
份数
(股)

深圳和君正德资产
管理有限公司-正
德远盛产业创新结
构化私募基金

其他

60,000,000

8.48

-

60,000,000

-

山西黄河股权投资
管理有限公司-太
行产业并购私募基


其他

31,860,000

4.50

-

31,860,000

-

深圳和君正德资产
管理有限公司-正
德鑫盛一号投资私
募基金

其他

22,480,000

3.18

-

22,480,000

-

中国建设银行股份
有限公司-南方科
技创新混合型证券
投资基金

其他

4,446,900

0.63

-

4,446,900

-

毛诚忠

境内自然人

3,152,445

0.45

-

3,152,445

-




股东名称

股东性质

持股数量
(股)

持股比例
(%)

持有有限售
条件的股份
数量(股)

持有无限售
条件的股份
数量(股)

质押股
份数
(股)

长治市南烨实业集
团有限公司

境内非国有
法人

2,850,018

0.40

-

2,850,018

-

高远平

境内自然人

2,466,000

0.35

-

2,466,000

-

叶孙义

境内自然人

2,004,737

0.28

-

2,004,737

-

王斌

境内自然人

1,943,000

0.27

-

1,943,000

-

李振兴

境内自然人

1,867,300

0.26

-

1,867,300

-

合计

-

133,070,400

18.80

-

133,070,400

-



注:截至2021年9月30日,福建卓丰及其一致行动人合计持有公司8,254.23万股股票,占乾
照光电总股本的11.67%;南烨实业及其一致行动人合计持有公司3,571.0018万股股票,占乾
照光电总股本的5.05%,表决权比例为4.50%。


(二)控股股东与实际控制人及其他主要股东

1、控股股东及实际控制人

截至本募集说明书签署日,公司不存在可支配公司股份表决权超过30%的股
东,亦不存在任何一方股东能够基于其所持表决权股份或其提名的董事在董事会中
的席位单独决定公司股东大会或董事会的审议事项,公司无控股股东或实际控制
人。


2、其他持股5%以上的主要股东

除福建卓丰及其一致行动人和南烨实业及其一致行动人外,公司无其他持股
5%以上的股东。


公司持股5%以上的主要股东情况如下:

(1)福建卓丰及其一致行动人

2018年8月5日,福建卓丰与正德远盛、正德鑫盛、和聚鑫盛签订《一致行
动协议》,并通过持续增持公司股份,成为公司第一大股东。


①福建卓丰投资合伙企业(有限合伙)

福建卓丰成立于2017年5月17日,合伙期限为50年(2017年5月17日至
2067年5月16日),经营范围为:对第一产业、第二产业、第三产业的投资;企
业总部管理;单位后勤管理服务。普通合伙人为盛世达投资管理(平潭)有限公司
(其控股股东为三盛资本管理(平潭)有限公司),有限合伙人为三盛资本管理(平


潭)有限公司(以下简称“三盛资本”)。


福建卓丰为三盛资本控制的有限合伙企业。三盛资本的控股股东为三盛集团有
限公司(以下简称“三盛集团”),三盛集团主要从事房地产开发与经营。


②深圳和君正德资产管理有限公司-正德鑫盛一号投资私募基金

正德鑫盛为经中国证券投资基金业协会备案的私募投资基金(备案编码:
SJ3441),为契约型封闭式基金,存续期限至2026年8月31日。基金管理人为和
君正德,未持有基金份额;基金投资者为福建卓盛投资有限公司,持有正德鑫盛
100%基金份额。福建卓盛投资有限公司为三盛集团全资子公司。


③深圳和君正德资产管理有限公司-正德远盛产业创新结构化私募基金

正德远盛为经中国证券投资基金业协会备案的私募投资基金(备案编码:
SL8801),为契约型封闭式基金,存续期限至2026年8月31日。基金管理人为和
君正德,未持有基金份额;基金投资者为福建卓盛投资有限公司,持有正德远盛
100%基金份额。


截至2021年9月30日,福建卓丰及其一致行动人合计持有公司82,542,300股
股份,占公司总股本的11.67%,为公司第一大股东,具体如下:

序号

股东

持股数(股)

持股比例

1

福建卓丰

62,300

0.01%

2

和君正德-正德鑫盛

22,480,000

3.18%

3

和君正德-正德远盛

60,000,000

8.48%

合计

82,542,300

11.67%



上述一致行动人可以实际支配公司股份表决权未超过30%,也未能基于其所持
表决权股份或其在董事会中提名的董事席位数单独决定公司股东大会或董事会的
审议事项。因此,福建卓丰及其一致行动人无法对公司构成控制,不属于公司控股
股东或实际控制人。


(2)南烨实业及其一致行动人

南烨实业及其一致行动人王岩莉于2018年通过大宗交易及竞价方式取得公司
股票成为公司股东,并与太行基金签署《一致行动人协议》。太行基金通过受让公
司原股东王维勇部分股权,2019年南烨实业及其一致行动人通过增持公司股份,


成为公司第二大股东。


①长治市南烨实业集团有限公司

南烨实业成立于1999年5月20日,注册资本:52,000.00万元,统一信用代
码:91140400713639445M,法定代表人:宋亚飞,注册地址:长治市解放西路12
号,经营范围:企业总部管理;企业管理咨询;物业服务;建设工程:土木工程施
工、机电安装工程;钢材、生铁、矿石、土产日杂、金属材料、建筑材料、五金交
电、电线电缆、机电设备、化工原料(不含易燃易爆品、兴奋剂及危险剧毒品)、
办公用品、劳保用品、橡胶制品、日用百货、电器、门窗、电梯销售。股权结构为:
李建明认缴出资46,800.00万元,出资比例为90%;李冬成认缴出资5,200.00万元,
出资比例为10%。


②王岩莉

王岩莉,身份证号码为14042419810802XXXX,住址:山西省长治市屯留县
西贾乡杜村。2012年9月至2020年12月任山西高科华杰光电科技有限公司执行
董事兼总经理,2019年12月至2020年3月任长治市沁瑞通电子科技有限公司监
事,2019年11月至今任山西宏德信房地产有限责任公司监事。


③山西黄河股权投资管理有限公司—太行产业并购私募基金

太行基金为经中国证券投资基金业协会备案的私募投资基金(备案编码:
SEG125),为契约型封闭式基金,基金成立于2018年9月6日。基金管理人为黄
河投资;基金投资者为山西太行产业投资基金管理有限公司和南烨实业。


④长治市建云物资贸易有限公司

建云物资成立于2013年2月4日,注册资本:20,000.00万元,统一信用代码:
91140400060746672P,法定代表人:李世民,注册地址:长治市潞州区北董新街
65号,经营范围:金属材料、建筑材料、门窗、电梯、五金交电、电线电缆、机
电设备、化工原料(不含危险化学品)、办公用品、日用百货、塑料制品、土产日
杂的销售;道路货物运输;建设工程:土木工程施工、机电安装工程施工;建筑施
工:门窗制作及安装;特种设备生产:电梯安装。股权结构为:长治市华晟源矿业
有限公司100%出资。长治市华晟源矿业有限公司系由王岩莉控股70%的公司。



建云物资持有公司100.00万股股票系于2020年11月通过集中竞价方式增持
的。上述增持行为,违反了股东南烨实业及王岩莉女士于2019年11月20日出具
《关于股东减持及放弃部分表决权的承诺函》,即:“自本承诺函出具之日起,承诺
人不再直接或间接、以任何方式增持上市公司股票,不通过关联方或其他无关联第
三方直接或间接、以任何方式增持上市公司股票(不含因上市公司送股、资本公积
转增股本导致的股份数量增加)。……如违反,承诺人及通过前述主体增持的上市
公司股票自取得之日起,自动、无条件且不可撤销地永久放弃行使表决权、提名权、
提案权等股东权利,亦不委托任何其他方行使该部分股份的表决权、提名权、提案
权等股东权利(包括因上市公司送股、资本公积转增股本而股份数量增加的部分)。

承诺人及通过前述主体增持的上市公司股票在符合减持规定后的六个月内减持完
毕,所得收益在三个交易日内上缴上市公司,并对上市公司造成的损失承担赔偿责
任。”

公司在知悉建云物资上述增持行为后,及时向王岩莉出具《关于建云物资增持
乾照光电股票的告知函》,督促其履行相应的信息披露义务并进行相应整改。该股
东违反承诺事项已在公司《2020年年度报告》中进行了披露,同时该增持的股份
按照《关于股东减持及放弃部分表决权的承诺函》自动、无条件且不可撤销地永久
放弃行使表决权、提名权、提案权等股东权利。目前建云物资持有的该部分股票尚
未减持。公司及其董事会密切关注该事项,并将敦促股东继续履行承诺函中的承诺
事项,保护上市公司利益不受损害。


截至2021年9月30日,南烨实业及其一致行动人合计持有公司35,710,018股
股票,占公司总股本的5.05%,其中拥有有表决权的股份数量为31,860,000股,有
表决权股份占公司总股本比例为4.50%,具体如下:

序号

股东

持股数(股)

持股比例

表决权比例

1

南烨实业

2,850,018

0.40%

-

2

太行基金

31,860,000

4.50%

4.50%

3

建云物资

1,000,000

0.14%

-

合计

35,710,018

5.05%

4.50%



注:南烨实业一致行动人王岩莉分别于2021年7月29日、7月30日合计减持公司股票955.3622
万股。减持后,王岩莉不再直接持有公司股票。



三、所处行业的主要特点及行业竞争情况

(一)所处行业主要特点

1、LED行业概述

LED是Light Emitting Diode(发光二极管)的简称,是由III-V族半导体材料
通过半导体工艺制备的固体发光器件,其发光原理是利用半导体材料的特性将电能
转化为光能而发光。LED的核心是由半导体材料制成的LED芯片,不同材料的芯
片可以发出红、橙、黄、绿、蓝等不同颜色的光。LED具有能耗低、体积小、寿
命长、无污染、驱动电压低、反应速度快、耐震性佳、色彩纯度高等特性,应用领
域主要包括通用照明、显示屏、背光源、车用灯具、信号灯及景观照明等几大领域。


LED产业链包括上游衬底制作、外延片及芯片制造,中游封装以及下游应用
等环节,其中产业链上游的LED外延片及芯片制造环节是全产业链的关键环节。


LED产业链示意图



资料来源:渤海证券研究部

(1)衬底制作、外延片及芯片制造

衬底的主要功能是承载,是生产外延片的主要原材料,主要有砷化镓(GaAs)
衬底、蓝宝石(Al2O3)衬底、磷化镓(GaP)衬底、硅(Si)及碳化硅(SiC)衬


底等。


将不同衬底材料置入相应MOCVD外延炉中,通入金属有机化合物(MO源)
及氢气、氮气等特殊气体,利用气相反应在衬底表面沉积成膜可制成外延片;通过
控制反应温度、压力、反应物浓度和配比而控制镀膜成分,可有效控制外延片品质。

在外延片上通过清洗、蒸镀、光刻、化学蚀刻、熔合及研磨等程序并完成电极安装
后,再经过划片、测试和分选,可制成LED芯片。


(2)封装

LED封装是实现LED芯片与外界电路的电气互联和机械接触的主要环节,可
以保护LED芯片免受机械、温度变化及潮湿等外部冲击,提高出光效率,满足芯
片散热要求。封装厂商采购LED芯片、支架、荧光粉、封装胶等材料,利用封装
设备将LED芯片封装成各种形状的用于照明、背光、显示等用途的灯珠。


(3)应用

封装好的灯珠与电源、散热器、连接控制器、光学元件、外壳等组装成LED
器件,用于通用照明、显示屏、背光源、车用灯具、信号灯、景观照明等领域。


应用领域

具体应用

通用照明

户外照明:路灯、投射灯、护栏灯、隧道灯等

室内通用照明:日光灯、球泡灯、射灯、面板灯、台灯、壁灯、灯带等

显示屏

户内外显示屏、广告牌、家用电器等

背光源

小尺寸:手机等便携电子产品

中尺寸:电脑显示屏等

大尺寸:液晶电视机等

车用灯具

前照灯:远近光灯、日行灯、雾灯、转向灯等

后照灯:尾灯、刹车灯、转向灯等

内饰灯:车内照明、仪表、面板等

镜灯:后视镜转向灯

信号灯

交通信号灯、公路、铁路、机场、航运用信号灯

景观照明

庭院灯、草坪灯、地埋灯、水下灯、城市夜景照明工程等

特种照明

植物照明、医疗照明、军用照明、工矿照明等



2、LED产业政策

时间

名称

部门

政策措施及对生产经营的影响

2016.7

《“十三五”国
家科技创新规划》

国务院

明确“十三五”时期科技创新的总体思路、发展
目标、主要任务和重大举措。其中包括要构建具
有国际竞争力的现代产业技术体系,发展新材料
技术。新材料技术涵盖先进电子材料,即以第三




时间

名称

部门

政策措施及对生产经营的影响

代半导体材料与半导体照明、新型显示为核心,
以大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子
材料为重点,推动跨界技术整合,抢占先进电子
材料技术的制高点

2016.11

《“十三五”国
家战略性新兴产
业发展规划》

国务院

推动半导体照明等领域关键技术研发和产业化;
大力发展高效节能产业,组织实施节能关键共性
技术提升工程,鼓励研发大功率半导体照明芯片
与器件等

2016.12

《“十三五”节
能环保产业发展
规划》

国家发改
委、科技部、
工信部、环
境保护部

在重点技术装备提升领域(照明和家电)方面,
将推动半导体照明节能产业发展水平提升,加快
大尺寸外延芯片制备、集成封装等关键技术研
发,加快硅衬底LED技术产业化,推进高纯金
属有机化合物(MO源)、生产型金属有机源化
学气相沉积设备(MOCVD)等关键材料和设备
产业化,支持LED智能系统技术发展

2017.1

《战略性新兴产
业重点产品和服
务指导目录(2016
版)》

国家发改委

将新型显示器件、高效白光LED新型封装技术
及配套材料开发,高效低成本筒灯、射灯、路灯、
隧道灯、球泡灯等替代型半导体照明器件,新型
LED照明应用产品,列入战略性产业重点产品

2017.7

《半导体照明产
业“十三五”发
展规划》

国家发改
委、教育部、
科技部、工
信部、财政
部、住建部


到2020年,我国半导体照明关键技术要不断突
破,产品品质不断提高,产业集中度逐步提高,
形成一家以上销售额突破100亿元的LED照明
企业,培育一至两个国际知名品牌,十个左右国
内知名品牌

2018.1

《中国光电子器
件产业技术发展
路线图
(2018-2022年)》

工信部

支持半导体照明基础和关键技术研究,提升产品
的光质量和光品质,加强LED照明产品自动化
生产装备的研发和推广应用

2019.3

《超高清视频产
业发展行动计划
(2019-2022年)》

工信部、国
家广播电视
总局、中央
广播电视总


按照“4K先行、兼顾8K”的总体技术路线,大
力推进超高清视频产业发展和相关领域的应用,
标志着超高清视频产业时代的来临。对于LED
行业来说,超高清显示和Mini/Micro LED的发
展息息相关,8K+5G技术,为小间距、Mini/Micro
LED等新型显示技术提供了发展新契机

2019.10

《产业结构调整
指导目录(2019
年本)》

国家发改委

将“半导体照明设备”、“半导体照明衬底、外
延、芯片、封装及材料等”、“城市照明智能化、
绿色照明产品及系统技术开发与应用”列入鼓
励类产业



3、LED行业市场容量

从企业数量和产值来看,我国LED产业链大致呈金字塔状分布,外延片与芯
片制造环节技术门槛高,设备投资金额大,具有规模化生产能力的企业数量相对较
少;封装环节具有劳动密集型特点,行业集中度较低,参与企业数量较多,竞争较
为激烈;下游应用环节遍布照明、显示屏、背光源、信号灯等在内的多个领域,参


与企业数量众多。


根据CSA Research数据,2011年到2019年期间,包括芯片、封装及应用在内
的LED整体产值不断增长,2019年随着宏观经济增速放缓及国际贸易环境的持续
震荡变化,LED行业增速有所下降。2020年受新冠疫情影响,国内外宏观经济下
调,在此背景下LED产业整体规模呈现负增长态势,但从下半年开始行业需求端
逐步回暖,随着二、三季度中国全面复工复产和经济回暖,LED行业全年降幅逐
渐收窄。


2011-2020年我国半导体照明产业各环节产业规模及增长率


数据来源:CSA Research

随着设备国产化加速及芯片产能持续扩张,LED芯片龙头企业致力于优化产
品结构、提升产品性能。伴随产业集中度进一步提升,且受益于Mini LED、高品
质照明、植物光照以及紫外LED市场的快速成长,LED行业外延片、芯片价格在
2020年下半年开启涨价模式,LED芯片环节龙头企业经营状况开始回暖。2020年
中国大陆LED外延芯片环节产值规模约221亿元,较2019年增长10%。


Mini/Micro LED技术,即LED微缩化和矩阵化技术,指在一个芯片上集成高
密度微小尺寸的LED阵列,是将LED进行薄膜化、微缩化和矩阵化的结果。相较
普通LED产品,Mini LED芯片尺寸介于50-200μm之间,Micro LED芯片尺寸小
于50μm。目前LED在显示领域的应用主要为背光源、非高分辨率显示大屏、特殊
显示等,但如果Mini/Micro LED直接成为发光像素单元,其显示性能良好,被看
作未来LED显示技术的主流和发展趋势。据LEDinside预测,Mini LED、Micro LED
市场将在未来几年得到快速发展,2023年全球Mini LED产值将达到10亿美元,
2025年Micro LED市场产值将会达到28.91亿美元。



4、LED行业发展前景及趋势

(1)LED应用领域不断扩大

自诞生以来,LED经历了单双色显示到全彩屏的发展历程。生产工艺日趋成
熟也有效降低了生产成本,被广泛应用于各种信号指示、显示、背光源、照明和城
市景观等领域,应用领域不断扩大。


疫情过后,随着国内消费市场逐渐恢复,文旅项目、文创灯光、智能照明等项
目将逐步提上日程,预计LED照明建设工程需求未来将有所增加。此外,作为信
息智能交互的显示终端,LED显示产品将在新基建进程中发挥着产业支撑作用。

LED显示屏让数据变得可视化,在新基建建设的热潮下,随着租赁市场、零售百
货、会议室、电影院及高动态光照渲染(High-Dynamic Range,简称HDR)应用
等细分应用市场需求的增加,未来LED应用领域市场规模有望进一步提升。


(2)小间距LED持续景气,成本下降驱动产品快速渗透

近年来小间距LED取得快速发展,目前主要应用于政府、公安、交通、能源
和电视演播等专业显示领域,这些下游行业对显示屏价格不太敏感,但对成像质量
要求相对较高,因此成为小间距LED首先打开的下游应用领域。随着显示技术持
续精进和生产成本的不断下降,小间距LED在会议室、教育、商场以及电影院等
商用显示市场迎来爆发,渗透率迅速提升,未来将步入数千亿市场规模的高端民用
市场,再次打开向上成长空间。


(3)Mini/Micro LED赋予行业发展动能,成为行业发展方向

Micro LED被认为是未来LED显示技术的发展方向,将LED芯片尺寸进一步
减少,在显示领域不断拓展新应用。Mini/Micro LED产品具有微小像素尺寸、超高
分辨率、广色域和高对比度的特点,可作为新型背光源、显示光源,广泛应用于手
机、电视、车用面板及笔记本电脑等消费电子领域,以及增强现实(AR)微型投
影装置、车用平视显示器(HUD)投影应用、超大型显示广告牌等特殊显示应用
产品,并有望扩展到可穿戴/可植入器件、虚拟现实、光通信/光互联、医疗探测、
智能车灯、空间成像等多个领域。



5、行业进入壁垒

(1)技术与研发壁垒

LED外延片及芯片制造是LED产业链中对技术能力要求很高的环节。LED外
延片及芯片的制造过程中,需要综合运用物理、光学、电学等多学科知识进行设备
调控、参数设置、流程控制等,研发与技术人员不仅要具备扎实的理论基础,还要
具备丰富的生产实践经验,而新进入企业因技术与经验不足往往无法在较短时间内
展开大批量生产。此外,LED外延片及芯片的产品更新速度较快,生产厂商需要
持续进行技术研发投入,不断提升产品性能,以保持产品质量的市场领先地位,而
新进入企业难以在短期内形成技术优势。


(2)资金壁垒

LED外延片及芯片行业的初始投资金额较大,生产企业在厂房建设、设备购
置以及日常运营过程中,均需要投入大量资金。此外,LED外延片及芯片产品更
新速度较快,生产厂商必须持续投入资金进行技术研发,以保持产品的市场竞争力。

该行业属于资本密集型行业,对参与者的资本实力要求较高。


(3)品牌壁垒

LED芯片是LED产品的核心部件,LED芯片的质量直接影响LED最终产品
的质量。下游客户对芯片的质量要求较高,且使用不同供应商的芯片进行生产需要
经过一定的工艺和参数调整,存在一定的替代成本,因此下游客户一般与其优质的
芯片供应商保持着长期稳定的合作关系。目前国内主流LED芯片厂商已形成了一
定的品牌效应并占据了下游市场的主要客户资源,对新进入厂商而言,形成品牌影
响力并替代现有厂商与下游优质客户建立长期合作关系的难度较大。


(4)规模壁垒

LED外延片及芯片的固定资产投入和技术研发投入均较高,导致生产的固定
成本较高。厂商只有具备规模优势、提高设备利用率才能有效降低单位生产成本,
提高利润空间。


近年来随着行业竞争加剧,大量不具备技术与资本优势、生产规模较小的落后
产能被淘汰,产业集中度进一步提高,呈现强者愈强的趋势。是否具有产能优势以


及能否发挥规模效应已经成为LED外延片及芯片行业竞争的关键要素。对新进入
企业而言,即使能够在短期内完成大规模的建设投资,但因在技术、工艺、管理等
方面需要花费较长时间进行磨合,无法在短时间内形成规模化生产并发挥规模优
势,因而难以突破行业的规模壁垒。


(5)人才壁垒

LED外延片及芯片制造业因其生产工艺较为复杂,不仅需要具有物理、光电、
电学等多学科知识的复合型技术人才,也需要具备一定生产经验、经过系统化训练
的生产人员及管理人员。近些年我国LED行业发展较快,行业内的人才需求增长
较快,存在一定的人才缺口。业内原有厂商在生产经营过程中,能够通过自主培养
适应自身需求的专业人才,缓解自身人才不足的问题,而新进入企业在短时间内将
受到人才不足的困扰。


(二)行业竞争情况

近年来国内LED外延片及芯片产业日趋成熟,行业集中度逐步提升,企业发
展呈现出明显的两极分化趋势。一方面行业内领先的大厂商快速发展,优势资源
一步向行业领先厂商集聚,以领先厂商为核心的产业集群逐步形成;另一方面,产
能落后、技术水平低的小厂商受产品价格下降的影响利润被严重压缩,逐渐被市场
淘汰。


目前公司主要竞争对手的基本情况如下:

序号

企业名称

企业简介

1

三安光电

三安光电是目前国内成立最早、规模最大的LED外延片及芯片生产企
业,总部位于厦门,产业基地分布在厦门、天津、芜湖、泉州等多个地
区。公司主要从事化合物半导体材料的研发与应用,以砷化镓、氮化镓、
碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及的外延片、芯
片为核心主业,产品主要应用于照明、显示、背光、农业、医疗、微波
射频、激光通讯、功率器件、光通讯、感应传感等领域

2

华灿光电

华灿光电成立于2005年,自设立以来一直从事LED外延片及芯片的研
发、生产和销售业务,主要产品为LED外延片及全色系LED芯片。LED
芯片经客户封装后可广泛应用于全彩显示屏、背光源及照明等应用领域

3

聚灿光电

聚灿光电成立于2010年,主要从事化合物光电半导体材料的研发、生产
和销售业务,主要产品为GaN基高亮度LED外延片、芯片




四、主要业务模式、产品或服务的主要内容

(一)主要业务模式

1、采购模式

公司采购依据销售计划与生产计划,按年、季、月的实际需求及供应趋势分析
制定详细的采购方案,由采购部门负责采购。母公司设采购中心,负责制定采购相
关制度、优化采购流程、分析市场状况、控制采购成本、进行重大或特殊采购等,
日常采购工作由子公司或事业部下设的采购部门负责执行。


公司日常采购的基本流程如下:各部门提出采购需求→填写请购单→请购单审
批核准→采购部接单→询价前准备→供应商选择→决定供应商(询价比价)→采购
评议表审核→采购合同制定/审批→物流追踪→确认到货、收货→来料检验入库→
对账/发票结算→付款。


公司建立了严格的供应商评选体系。公司采购部门对目标供应商进行前期基础
调查后,组织生产部门以及技术、质检相关人员对供应商的产品质量与价格、技术
服务能力以及商务支持能力等进行综合评估,评估合格的供应商可进入公司的合格
供应商名录。对于已进入合格供应商名录的供应商,采购部门每年定期组织相关部
门对供应商进行考核,根据考核情况决定是否继续与其合作。


2、生产模式

目前公司蓝绿光LED外延片及芯片生产业务由母公司下属的厦门蓝绿事业部
及子公司江西乾照负责,红黄光LED外延片及芯片、砷化镓太阳能电池外延片及
芯片生产由扬州乾照负责。各产品线的生产计划部门综合考虑市场情况、客户需求
等因素,结合公司的库存商品、在产品数量制定生产计划。生产执行部门根据生产
计划安排物料准备,进而完成生产下单、生产制造、制程监控、测量检验、分类入
库、产品仓储、产品出货等一系列作业流程。


3、销售模式

公司生产的LED芯片等产品采取直销方式对外销售,生产部门制成产成品后,
主要由全资子公司乾照科技负责对外销售。公司不经过中间流通环节,直接将产品
销售给下游封装企业,一方面能够与客户建立直接联系,便于了解客户需求和市场


1513757054(1)
变化,改进产品性能,维护客户关系;另一方面也有利于加强销售管理,最大限度
地降低销售成本。此外,公司生产的砷化镓太阳能电池外延片的客户相对集中,主
要由扬州乾照直接对外销售。


在销售评估与回款管理方面,公司根据销售目标及回款状况定期对销售人员进
行业绩评估和考核,实行优胜劣汰制度。公司根据客户情况采取不同的销售回款政
策,包括款到发货、账期赊销等信用政策,采用银行转账、银行承兑汇票、商业承
兑汇票等结算方式。公司使用ERP系统进行账期管理,对未按期付款的客户及时
采取款项催收或其他补救措施。


(二)主要产品及生产工艺流程

发行人主要从事LED半导体光电产品的研发、生产和销售业务,主要产品包
括:蓝绿光LED外延片及芯片、红黄光LED外延片及芯片、砷化镓太阳能电池外
延片及芯片,主要产品的生产工艺流程如下:

1、蓝绿光LED外延片及芯片

(1)外延片制造工艺流程

公司的蓝绿光LED外延片生长采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)工
艺,主要原材料包括蓝宝石衬底片、MO源(三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝等)、
氨气、硅烷等。蓝绿光LED外延片制造的工艺流程如下:



(2)芯片制造工艺流程

蓝绿光LED芯片制造流程包括清洗、光刻、刻蚀、清洗去胶、蒸镀、合金、
沉积、腐蚀去胶、研磨/减薄、划裂、测试、分选及表面缺陷检验等。其中,光刻


过程还包括前烘、匀胶、后烘、曝光、显影等步骤。蓝绿光LED芯片制造的工艺
流程如下:



2、红黄光LED外延片及芯片

(1)外延片制造工艺流程

公司的红黄光LED外延片生长采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)工
艺,主要原材料包括GaAs低阻衬底、MO源(三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝)、
砷烷、磷烷等,并以二茂镁(P型)、硅烷(N型)作为掺杂源。红黄光LED外延
片制造的工艺流程如下:


1513757018(1)


(2)芯片制造工艺流程

红黄光LED芯片制造工艺流程包括清洗、沉积、光刻、腐蚀去胶、蚀刻、蒸
镀、清洗去胶、研磨/减薄、合金、半切割、切割裂片、测试、检验等。其中,光
刻过程又包含涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜等步骤。红黄光LED芯片制造的工
艺流程如下:



3、砷化镓太阳能电池外延片及芯片

砷化镓太阳能电池外延生长采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)工艺一
次形成,以P型单晶锗为基底,以三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝、磷烷和砷烷为


材料,采用二茂镁(P型)、硅烷(N型)作为掺杂源。砷化镓太阳能电池外延片
及芯片的工艺流程与红黄光LED外延片及芯片的工艺流程相似。


(三)公司主要产品的产能、产量和销量情况

报告期内,公司的主要产品蓝绿光LED外延片及芯片、红黄光LED外延片及
芯片、砷化镓太阳能电池外延片的产能、产量、销量情况如下:

单位:万片

产品类别

项目

2021年1-9月

2020年度

2019年度

2018年度

蓝绿光LED外延片

(折2寸片)

产能

1,215.03

1,565.80

943.92

480.00

产量

1,156.23

1,084.98

843.56

453.90

产能利用率

95.16%

69.29%

89.37%

94.56%

销量-外销

0.96

0.80

0.00

0.18

销量-自用

1,175.17

1,043.49

764.11

495.56

销量合计

1,176.13

1,044.29

764.11

495.74

产销率

101.72%

96.25%

90.58%

109.22%

蓝绿光LED芯片

(折2寸片)

产能

1,153.81

1,282.10

707.40

495.95

产量

1,106.94

1,094.59

618.18

453.90

产能利用率

95.94%

85.37%

87.39%

91.52%

销量

1,117.66

1,059.77

555.99

382.83

产销率

100.97%

96.82%

89.94%

84.34%

红黄光LED外延片

(折2寸片)

产能

351.90

385.94

312.40

260.50

产量

337.90

281.63

231.80

238.92

产能利用率

96.02%

72.97%

74.20%

91.71%

销量-外销

35.18

43.02

2.73

0.66

销量-自用

292.55

232.62

217.41

228.12

销量合计

327.73

275.64

220.14

228.78

产销率

96.99%

97.87%

94.97%

95.76%

红黄光LED芯片

(折2寸片)

产能

314.00

314.21

255.41

218.70

产量

252.76

210.20

184.74

185.50

产能利用率

80.50%

66.90%

72.33%

84.82%

销量

247.37

232.62

195.48

158.51

产销率

97.87%

110.67%

105.81%

85.45%




产品类别

项目

2021年1-9月

2020年度

2019年度

2018年度

砷化镓太阳能电池外
延片

(折4寸片)

产能

9.54

10.25

13.26

10.20

产量

8.34

4.55

6.06

8.45

产能利用率

87.42%

44.36%

45.71%

82.86%

销量

7.48

4.27

5.92

3.24

产销率

89.66%

93.92%

97.67%

38.38%



注1:产能利用率与产销率的计算公式如下:

产能利用率=产量/产能*100%;

产销率=销量/产量*100%。


注2:蓝绿光LED外延片的“销量-外销”指直接对外销售的蓝绿光LED外延片数量,“销量
-自用”指公司自产蓝绿光LED芯片使用的蓝绿光LED外延片数量。公司直接对外销售
蓝绿光LED外延片的数量较少。


注3:红黄光LED外延片的“销量-外销”指直接对外销售的红黄光LED外延片数量,“销量
-自用”指公司自产红黄光LED芯片使用的红黄光LED外延片数量。公司直接对外销售
红黄光LED外延片的数量较少。


(四)主要原材料及能源的供应情况

公司生产LED芯片的主要原材料为:蓝宝石衬底(用于蓝绿光LED芯片制造)、
砷化镓衬底(用于红黄光LED芯片制造)、MO源、气体以及贵金属(高纯金、铂)
等,主要向国内具有一定规模的、质量稳定可靠的供应商采购。2018年、2019年、
2020年及2021年1-9月,公司向前五大原材料供应商合计采购的金额分别为
24,111.61万元、31,730.73万元、28,918.07万元及24,752.88万元。


公司产品生产过程中使用的能源主要是电力,以市场价格向当地供电公司采
购,供应稳定、充足。


(五)主要资产状况

1、固定资产

截至2021年9月30日,公司固定资产情况如下:

单位:万元

项目

固定资产原值

净值

成新率

房屋及建筑物

119,586.73

101,180.50

84.61%

厂房配套设备

9,175.58

5,018.24

54.69%

机器设备

354,227.49

208,710.25

58.92%

运输设备

863.59

312.27

36.16%

电子设备

5,195.38

1,699.45

32.71%

办公设备

1,803.94

505.70

28.03%




项目

固定资产原值

净值

成新率

EMC资产

1,338.34

224.78

16.80%

合计

492,191.05

317,651.19

64.54%



(1)主要生产设备

截至2021年9月30日,公司主要的机器设备如下表所示:

序号

设备名称

数量(台)

原值(万元)

净值(万元)

成新率

分布情况

1

MOCVD

34

47,841.82

20,078.88

41.97%

乾照光电

2

MOCVD

42

40,190.90

31,942.92

79.48%

江西乾照

3

MOCVD

42

52,115.12

19,637.01

37.68%

扬州乾照

合计

118

140,147.84

71,658.81

51.13%

-



(2)房屋建筑物

截至2021年9月30日,发行人及其下属子公司拥有的房产情况如下:




房屋

所有权人

证书编号

房屋坐落

建筑面
积(m2)

用途

是否存
在权利
限制

1

乾照光电

闽(2017)厦门市不动
产权第0054807号

翔安区翔天路267


37,090.49

工业
厂房



2

闽(2017)厦门市不动
产权第0054817号

翔安区翔天路269


11,404.39

研发试
制车间



3

闽(2017)厦门市不动
产权第0054821号

翔安区翔天路265


12,675.25

倒班
宿舍
综合楼



4

闽(2017)厦门市不动
产权第0054825号

翔安区翔天路261


496.86

仓库



5

闽(2017)厦门市不动
产权第0054827号

翔安区翔天路259


118.45

门卫及
泵房



6

厦国土房证第
00680477号

翔安区翔岳路19
号301单元

840.38

通用
厂房



7

厦国土房证第
00680479号

翔安区翔岳路19
号101单元

830.69

通用
厂房



8

厦国土房证第
00680482号

翔安区翔岳路19
号201单元

840.39

通用
厂房



9

深房地字第
5000467347号

宝安区新安街道
龙井路东江豪苑1
栋18B1

154.83

住宅



10

深房地字第
5000467355号

宝安区新安街道
龙井路东江豪苑1
栋18A1

126.62

住宅









房屋

所有权人

证书编号

房屋坐落

建筑面
积(m2)

用途

是否存
在权利
限制

11

扬州乾照

扬房权证开字第
2014006220号

下圩河支路2号1

16,163.63

非住宅

抵押
(注)

12

苏(2018)扬州市不动
产权第0156410号

东风河西路8号

10,912.72

工业

抵押
(注)

13

扬房权证开字第
2014007380号

东风河西路8号6

19,583.20

生产
车间

抵押
(注)



注:2018年1月24日,扬州乾照与中国银行扬州开发区支行签订固定资产借款合同和最高额
抵押合同,扬州乾照向中国银行扬州开发区支行借款,并以扬州乾照的土地、厂房为抵押标的
物进行抵押。


(3)尚未取得产权证的房屋建筑物

截至本募集说明书签署日,子公司尚存在以下房产未取得产权证的情形:

①江西乾照南昌基地项目一期建筑物

江西乾照南昌基地项目一期建筑物尚未取得房屋所有权证书,具体情况如下:

序号

建筑物名称

地上建筑面积(㎡)

1

101测试厂房

11,229.61

2

102综合楼

3,484.20

3

103-1宿舍楼一

6,824.95

4

103-2宿舍楼二

6,824.95

5

104芯片外延厂房

79,939.35

6

105动力中心

12,539.49

7

107甲类仓库一

355.50

8

108甲类仓库二

1,646.10

9

109仓库三

117.00

10

110仓库四

993.20

11

111甲类仓库五

492.00

12

112制氢站

343.56

13

115锅炉房

1,000.00

14

116仓库六

1,902.50

15

117固废收集间

3,044.00

16

118废水站(含事故水池)

5,034.00

17

119制氮站

976.36

18

126门卫一

35.28




序号

建筑物名称

地上建筑面积(㎡)

19

127门卫二

31.10



注:以上建筑物和数据来源于编号为360112201806060101《中华人民共和国建筑工程施工许可
证》和编号为360112201809170101《中华人民共和国建筑工程施工许可证》及其附件。


上述江西乾照南昌基地项目一期上的建筑物已办理了《建设用地规划许可证》、
《建设工程规划许可证》以及《建设工程施工许可证》。2020年7月16日,南昌
基地(一期工程)项目通过自主验收的专家评审,并取得《江西乾照有限公司乾照
光电南昌基地(一期工程)竣工环保验收监测报告》和《江西乾照有限公司乾照光
电南昌基地(一期工程)竣工环境保护验收意见》。根据南昌市新建区住房和城乡
建设局出具的《特殊建设工程消防验收意见书》,南昌基地(一期工程)项目已于
2020年12月和2021年2月通过了建设工程的消防验收。


截至本募集说明书签署日,南昌基地项目一期建筑物房屋所有权权属登记正在
办理中。


②扬州乾照生产辅助用房

扬州乾照在其拥有土地使用权的扬州市维扬路东侧土地(国有土地证号:扬国
用(2010)第0216号)上建有生产辅助用房(动力楼),该辅助用房未取得房屋所
有权证书。2018年5月8日,扬州经济技术开发区房产管理局出具《情况说明》,
对扬州乾照使用其合法拥有的扬州市维杨路东侧土地使用权,并在该等土地上建设
生产辅助用房(动力楼)事项无异议。2021年6月25日,扬州经济技术开发区建
设局房管处出具《情况说明》,房管处未收到扬州市房管局执法部门反馈扬州乾照
存在因违反国家和地方房产管理相关的法律、法规及其他规范性文件的相关规定而
受到行政处罚的情形。扬州经济技术开发区建设局于2021年5月12日出具《证明》,
扬州乾照自2018年1月1日至今没有因违反建设方面的法律、行政法规和规范性
文件而受到相关主管部门的处罚。上述未取得权属证书的房产为发行人在自有土地
上的自建房产,并已经主管部门认可,不会对发行人的生产经营造成重大不利影响。


(4)房屋租赁情况

截至2021年9月30日,公司及控股子公司办公及生产经营场所租赁情况如下
表所示:


序号

出租人

承租人

房屋座落

面积(m2)

租赁期限

1

厦门火炬集
团有限公司

乾照光电

岐山北路514号(E
栋整栋)

1,777.39

2021.3.1-2024.2.29



注:厦门火炬集团有限公司持有的上述房屋建筑物《不动产权证》编号为“闽(2017)厦
门市不动产权第0118578号”,并就上述房屋租赁办理了房屋租赁登记备案,登记备案号为“厦
租备第03064052021041099806号”。


2、无形资产

(1)土地使用权及不动产权

截至2021年9月30日,公司及其控股子公司拥有的土地使用权/不动产权情
况如下:




土地

使用权人

证书编号

座落

宗地面积
(m2)

是否存在

权利限制

1

乾照光电

闽(2017)厦门市不动产
权第0054825号

翔安区翔天路261号

37,614.48



2

闽(2017)厦门市不动产
权第0054821号

翔安区翔天路265号



3

闽(2017)厦门市不动产
权第0054807号

翔安区翔天路267号



4

闽(2017)厦门市不动产
权第0054817号

翔安区翔天路269号



5

闽(2017)厦门市不动产
权第0054827号

翔安区翔天路259号



6

厦国土房证
第00680477号

翔安区翔岳路19号
301单元

2,152.98



7

厦国土房证
第00680482号

翔安区翔岳路19号
201单元



8

厦国土房证
第00680479号

翔安区翔岳路19号
101单元



9

扬州乾照

扬国用(2010)
第0216号

扬州市维扬路东侧

6,682.00

抵押
(注1)

10

扬国用(2016)
第0322号

下圩河支路2号

12,909.70

11

苏(2018)扬州市不动产
权地0156410号

东风河西路8号

91,227.21

12

江西乾照

赣(2019)新建区不动产
权第0001504号

江西新建长堎工业园
区望贤路东侧、宁远
大街南侧、望喜路西
侧、工业八路北侧

141,497.00

抵押
(注2)

13

赣(2019)新建区不动产
权第0002195号

江西新建长堎工业园
区望贤路东侧、工业
八路南侧

132,937.00

14

乾照半导体

闽(2020)厦门市不动产
权第0066434号

翔安区舫阳南路与张
厝路交叉口东北侧
2017XG01-G地块

24,797.41





注1:2018年1月24日,扬州乾照与中国银行扬州开发区支行签订固定资产借款合同和最高


http://192.168.0.56/attached/image/20191209/20191209162752_470.png
http://192.168.0.56/attached/image/20191209/20191209162752_470.png
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http://192.168.0.56/attached/image/20191209/20191209162254_562.png
额抵押合同,扬州乾照向中国银行扬州开发区支行借款,并以扬州乾照的土地、厂房为抵押标
的物进行抵押。


注2:2019年,江西乾照与建设银行新建支行、中国银行南昌市新建支行、北京银行南昌新建
支行签订了合同编号为HTU360520200FBWB201900017的《“乾照光电南昌基地项目(一期)”

项目人民币壹拾亿元整银团贷款合同》,江西乾照向上述银行借款,江西乾照以其名下“赣
(2019)新建区不动产权第0001504号”、“赣(2019)新建区不动产权第0002195号”所载
土地和该土地上因附合、混合、加工、改建等原因而新增的物进行抵押。


(2)商标

①境内商标

截至2021年9月30日,公司及其控股子公司在境内拥有15项注册商标,具
体情况如下:

序号

注册证号

有效期限

商标

商标
权人

取得
方式

类别

1

7458474

2011年6月14日至
2031年6月13日



乾照
光电

原始
取得

第42类

2

7458475

2011年2月21日至
2031年2月20日



原始
取得

第11类

3

7458476

2013年6月7日至
2023年6月6日



原始
取得

第9类

4

7458477

2011年3月7日至
2031年3月6日



原始
取得

第9类

5

12506865

2014年9月28日至
2024年9月27日



原始
取得

第9类

6

17835857

2016年10月14日至
2026年10月13日



原始
取得

第42类

7

17835903

2017年7月14日至
2027年7月13日



原始
取得

第9类

8

17835997

2017年9月7日至
2027年9月6日



原始
取得

第11类

9

27568749

2019年8月28日至
2029年8月27日



原始
取得

第42类

10

27568750

2019年8月28日至
2029年8月27日



原始
取得

第11类

11

27568751

2019年10月14日至
2029年10月13日



原始
取得

第9类

12

33899322

2020年4月28日至
2030年4月27日



原始
取得

第11类




http://192.168.0.56/attached/image/20191209/20191209162254_562.png
http://192.168.0.56/attached/image/20191209/20191209162254_562.png
http://192.168.0.56/attached/image/20191209/20191209162254_562.png
http://192.168.0.56/attached/image/20191209/20191209162254_562.png
http://192.168.0.56/attached/image/20191209/20191209162752_470.png
http://192.168.0.56/attached/image/20191209/20191209162752_470.png
http://192.168.0.56/attached/image/20191209/20191209162254_562.png
序号

注册证号

有效期限

商标

商标
权人

取得
方式

类别

13

27568751A

2019年4月14日至
2029年4月13日



原始
取得

第9类

14

35770269

2020年6月21日至
2030年6月20日



原始
取得

第9类

15

35770269A

2019年11月21日至
2029年11月20日



原始
取得

第9类



②境外商标

截至2021年9月30日,公司及其控股子公司在境外拥有4项注册商标,具体
情况如下:




注册
证号

专用权期限

商标

商标
权人

取得
方式

类别

注册地

1

1414418

2018年4月16
日至2028年4
月16日



乾照
光电

原始
取得

第9类、
第11类

韩国

2

1415121

2018年4月17
日至2028年4
月17日



原始
取得

第9类、
第11类

韩国

3

01922272

2018年6月16
日至2028年6
月15日



原始
取得

第9类、
第11类

中国台湾

4

01943841

2018年10月1
日至2028年9
月30日



原始
取得

第9类、
第11类

中国台湾



(3)专利权

截至2021年9月30日,公司及其控股子公司已取483项专利技术,其中发明
专利281项、实用新型专利190项、外观设计专利12项,具体情况详见本募集说
明书附件一。


(4)软件著作权

截至2021年9月30日,发行人及其控股子公司已取得4项计算机软件著作权,
具体情况如下:

序号

编号

登记号

软件名称

首次发
表日期

登记日期

著作
权人

1

软著登字第
2558979号

2018SR229884

贵金属管理系统

未发表

2018年4
月3日

乾照
光电

2

软著登字第
2560678号

2018SR231583

仓储管理系统

未发表

2018年4
月4日

乾照
光电




序号

编号

登记号

软件名称

首次发
表日期

登记日期

著作
权人

3

软著登字第
6817071号

2021SR0092754

垂直腔面发射激光器
性能测试软件[简称:
VCTEST]V3.0

未发表

2021年1
月18日

乾照
激光

4

软著登字第
6817072号

2021SR0092755

垂直腔面发射激光器
设计软件[简称:
VCDESIGN]V1.0

未发表

2021年1
月18日

乾照
激光



(六)公司获得的生产经营许可及相关资质证书

发行人及其控股子公司取得生产经营许可及相关资质证书的情况如下:

编号

证书名称

证书编号

业务内容

持有人

发证时间

有效期限

1

对外贸易经
营者备案登
记表

备案登记表
编号
02913212

对外贸易
经营

乾照光电

2019年7月25日

-

2

出入境检验
检疫报检企
业备案表

备案号码
3994600070

出入境检验
检疫报检

乾照光电

2016年12月22


-

3

对外贸易经
营者备案登
记表

备案
登记号为
02405281

对外贸易
经营

江西乾照

2020年5月25日

-

4

海关进出口
货物收发货
人备案回执

检验检疫备
案号
360060557

进出口货物
收发货

江西乾照

2020年8月13日

长期

5

对外贸易经
营者备案登
记表

备案登记表
编号
02890491

对外贸易
经营

乾照科技

2016年6月28日

-

6

出入境检验
检疫报检企
业备案表

备案号码
3994600377

出入境检验
检疫报检

乾照科技

2015年7月28日

-

7

对外贸易经
营者备案登
记表

备案登记表
编号
02756433

对外贸易
经营

扬州乾照

2017年11月8日

-

8

中华人民共
和国海关报
关单位注册
登记证书

海关注册
编码
3210962011

海关报关

扬州乾照

2015年6月19日

长期

9

对外贸易经
营者备案登
记表

备案登记表
编号
02903363

对外贸易
经营

乾照
半导体

2018年2月27日

-

10

出入境检验
检疫报检企
业备案表

备案号
3900110003

出入境检验
检疫报检

乾照
半导体

2018年6月6日

-

11

对外贸易经
营者备案登
记表

备案登记表
编号
02380846

对外贸易
经营

乾照照明

2016年3月1日

-




编号

证书名称

证书编号

业务内容

持有人

发证时间

有效期限

12

出入境检验
检疫报检企
业备案表

备案号码
3994600402

出入境检验
检疫报检

乾照照明

2016年3月1日

-

13

对外贸易经
营者备案登
记表

备案登记表
编号
02376816

对外贸易
经营

乾泰坤华

2015年8月4日

-

14

出入境检验
检疫报检企
业备案表

备案号码
3995613987

出入境检验
检疫报检

乾泰坤华

2015年8月11日

-

15

对外贸易经
营者备案登
记表

备案登记表
编号
04509244

对外贸易
经营

乾照激光

2020年12月1日

-

16

海关进出口
货物收发人
备案回执

检验检疫备
案号
3959500065

进出口货物
收发货

乾照激光

2020年12月9日

长期

17

对外贸易经
营者备案登
记表

备案登记表
编号
04509246

对外贸易
经营

征芯科技

2020年12月1日

-

18

海关进出口
货物收发人
备案回执

检验检疫备
案号
3959400072

进出口货物
收发货

征芯科技

2020年12月9日

长期

19

对外贸易经
营者备案登
记表

备案登记表
编号
04509245

对外贸易
经营

未来显示
研究院

2020年12月1日

-

20

海关进出口
货物收发人
备案回执

检验检疫备
案号
3959300053

进出口货物
收发货

未来显示
研究院

2020年12月9日

长期

21

排污许可证

91350200784153733J001V

排污许可

乾照光电

2020年8月5日

2020年8
月5日至
2023年8
月4日

22

城镇污水排
入排水管网
许可证

厦排证字第
6575号

排水许可

乾照光电

2019年1月14日

2019年1
月14日至

2024年1
月13日

23

排水许可证

厦排证字第
5950号

排水许可

乾照光电

2018年6月15日

2018年6
月15日至

2023年6
月14日

24

固定污染源
排污登记
回执

91360122MA364QJ1X4002X

排污登记

江西乾照

2021年3月22日

2021年3
月22日至
2026年3
月21日

25

排污许可证

913210916853225890004R

排污许可

扬州乾照

2021年6月29日

2021年6
月29日至
2026年6
月28日




编号

证书名称

证书编号

业务内容

持有人

发证时间

有效期限

26

排污许可证

913210916853225890003R

排污许可

扬州乾照

2021年7月1日

2021年7
月1日至
2026年6
月30日



(七)公司的特许经营权情况及核心技术来源

截至本募集说明书签署日,公司及其控股子公司未拥有任何特许经营权。


公司是国家火炬计划重点高新技术企业,拥有国家级博士后科研工作站、省级
工程技术研究中心、省级企业技术中心。公司主要采取自主研发的研发模式,其中
核心技术来源为自主研发。


五、现有业务发展安排及未来发展战略

(一)现有业务发展安排

公司主要从事半导体光电产品的研发、生产和销售业务。在红黄光LED外延
片及芯片领域,公司产量位居国内前列,现有MOCVD共42个腔;在蓝绿光LED
外延片和芯片领域,公司目前已成长为行业中蓝绿光LED芯片的重要供应商之一,
拥有MOCVD共155个腔(折K465I机型)。此外,公司还拥有国内领先的砷化镓
太阳能电池芯片技术。近年来,公司秉持“产业为本”理念,深耕LED主业,并
积极布局以GaAs和GaN材料为基础的化合物半导体方向。其中,公司南昌蓝绿
光LED芯片扩产项目已于2019年开始陆续释放产能,当前整体产能已经进入全国
第一梯队。


(二)未来发展战略

公司将继续推进主营业务发展,在巩固红黄光领域行业领先地位的同时,不断
提升蓝绿光领域的核心竞争力,深化砷化镓太阳能电池领域,聚焦特色发展,积极
促进产业升级。主要如下:

1、通用芯片领域:规模效应+供应链布局+产业链延伸

LED芯片制造领域系规模效应明显的行业,规模效应的显现通常带来成本的
下降及上下游议价能力的提升。在未来的LED厂商竞争中,规模将继续成为重要
的竞争力。公司将继续坚定推行扩产项目,继续保持LED芯片行业排名前列的行
业地位。



另外,LED企业需要面对产业链垂直一体化的竞争趋势。公司作为LED芯片
重要供应商之一,将继续向产业链的上下游进行延伸,实现外延式发展扩张。一方
面,往上游核心原材料延伸,投资、并购相关的原材料供应商,保证核心原材料的
供应稳定、安全;另一方面,与下游合作,保证产品销售的稳定性和及时性。


2、聚焦特色发展:高端特色产品+聚焦未来显示

公司系国内红黄光LED芯片主要供应商之一,发展红外线(Infrared Radiation,
简称IR)产业具有天然优势。红外应用覆盖安全监控、行动装置生物辨识(虹膜、
脸部、指纹辨识)、数位医疗(心跳血氧检测)、红外线触控、VR/AR眼动跟踪、
车用感测与车用光达、无人机应用等,具有广阔的市场前景。


Mini LED和Micro LED作为未来显示的重要技术,其产业化后将打开LED芯
片发展的另一片蓝海。公司将投入战略研发资源,与产业链全面合作,推动Mini
LED和Micro LED业务发展。


3、产业升级:跨入二三代半导体

第二代半导体以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表,是制作高性能微波、
毫米波器件及发光器件的优良材料,主要应用于通信领域。第三代半导体主要是以
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表,凭借其宽禁带、高热导率、高击穿电场、
高抗辐射能力等特点,在许多应用领域拥有前两代半导体材料无法比拟的优点,有
望突破第一、二代半导体材料应用技术的发展瓶颈,市场应用潜力巨大。


公司将通过投资并购、产业孵化等方式,投资优秀企业,吸收优秀人才,加大
研发力度,在第二、三代半导体方兴未艾时,积极拓展产业布局,以促进产业升级。


4、产业延伸:打造全产业链一体化竞争优势

公司未来在坚持LED扩产及提升产品技术能力的基础上,充分利用政策资源、
资本市场资源,发挥“产业+资本”的优势,全面拥抱上下游,通过投资、并购的
方式拓展上游供应链,降低成本增加利润,打造全产业链一体化竞争优势。


六、财务性投资相关情况

(一)关于财务性投资及类金融业务的认定标准

《深圳证券交易所创业板上市公司证券发行上市审核问答》(2020年6月)对


财务性投资及类金融业务作出了明确规定:

1、财务性投资

(1)财务性投资的类型包括不限于:类金融;投资产业基金、并购基金;拆
借资金;委托贷款;以超过集团持股比例向集团财务公司出资或增资;购买收益波
动大且风险较高的金融产品;非金融企业投资金融业务等。


(2)围绕产业链上下游以获取技术、原料或渠道为目的的产业投资,以收购
或整合为目的的并购投资,以拓展客户、渠道为目的的委托贷款,如符合公司主营
业务及战略发展方向,不界定为财务性投资。


(3)金额较大指的是,公司已持有和拟持有的财务性投资金额超过公司合并
报表归属于母公司净资产的30%(不包含对类金融业务的投资金额)。


(4)本次发行董事会决议日前六个月至本次发行前新投入和拟投入的财务性
投资金额应从本次募集资金总额中扣除。


2、类金融业务

除人民银行、银保监会、证监会批准从事金融业务的持牌机构为金融机构外,
其他从事金融活动的机构均为类金融机构。类金融业务包括但不限于:融资租赁、
商业保理和小贷业务等。


(二)自本次发行相关董事会决议日前六个月至今,发行人新实施或拟实施的财
务性投资及类金融业务的具体情况

本次向特定对象发行的董事会决议日为2020年11月18日,决议日前六个月
至今,公司不存在实施或拟实施财务性投资的情况,即:公司不存在实施或拟实施
的类金融、投资产业基金或并购基金、拆借资金、委托贷款、以超过集团持股比例
向集团财务公司出资或增资、购买收益波动大且风险较高的金融产品、非金融企业
投资金融业务的情况。


(三)最近一期末发行人持有金额较大的财务性投资(包括类金融业务)的情形

截至2021年9月30日,公司不存在持有金额较大、期限较长的交易性金融资
产和可供出售的金融资产、借予他人款项、委托理财等财务性投资的情形。


发行人主要从事LED半导体光电产品的研发、生产和销售业务,不涉及类金


融业务。


截至2021年9月30日,公司与财务性投资可能相关的报表项目详情及认定分
析如下:

报表项目

内容

金额(万元)

交易性金融资产

-

-

衍生金融资产

-

-

其他应收款

保证金及押金、代垫五险一金、备用金及其
他等

4,265.28

其中:借予他人款项

-

-

其他流动资产

进项税额、待认证进项税额、预缴企业所得
税等

20,283.49

其中:理财产品

-



其他权益工具投资

-



其他非流动金融资产

持有满星繁盛10%的合伙份额

1,653.00

长期股权投资

对参股企业酒泉市圣西朗乾照照明工程有限
公司、乾芯(平潭)半导体投资合伙企业(有
限合伙)、浙江康鹏半导体有限公司的投资

6,752.14



1、交易性金融资产

截至2021年9月30日,公司不存在持有交易性金融资产的情形。


2、衍生金融资产

截至2021年9月30日,公司不存在持有衍生金融资产的情形。


3、其他应收款

截至2021年9月30日,公司其他应收款账面价值为4,265.28万元,占流动资
产的比例为1.76%,占比较小,主要由保证金及押金、代垫五险一金等构成,不存
在借予他人款项等财务性投资的情形。


其他应收款按类型列示如下:

类 型

金 额(万元)

保证金及押金

4,049.07

代垫五险一金

162.63

往来款

25.85

备用金

34.08

其他

210.10




类 型

金 额(万元)

小 计

4,481.73

减:坏账准备

216.45

合 计

4,265.28



代垫五险一金的对象为公司员工。由于公司在当月缴交五险一金而在次月发放
员工上月工资,因此在缴交五险一金时,公司先行为员工垫付个人需要承担的部分,
而后根据实际缴交金额在下月支付给员工的薪金中扣除。


4、其他流动资产

截至2021年9月30日,公司其他流动资产账面价值为20,283.49万元,占流
动资产的比例为8.35%,主要系进项税额、待认证进项税额、预缴企业所得税等,
公司不存在购买银行理财产品的情形。


其他流动资产的构成如下:

项 目

金 额(万元)

进项税额

16,479.16

待认证进项税额

3,613.07

预缴企业所得税

191.27

合 计

20,283.49



5、其他权益工具投资

截至2021年9月30日,公司不存在持有其他权益工具投资的情形。


6、其他非流动金融资产

截至2021年9月30日,公司其他非流动金融资产账面价值为1,653.00万元,
占公司合并报表归属于母公司净资产的0.65%,主要为权益工具投资,系公司持有
满星繁盛10%的合伙份额。


其他非流动金融资产的构成如下:

项 目

金 额(万元)

权益工具投资

1,653.00

合 计

1,653.00




(1)满星繁盛基本情况

满星繁盛成立于2015年12月,基金总规模1亿元人民币,执行事务合伙人为
苏州和正,主营业务为股权投资、股权投资咨询及企业上市咨询。满星繁盛的投资
主要聚焦工业4.0、人工智能、虚拟现实/增强现实等前沿科技领域。乾照光电于2017
年7月完成向满星繁盛实缴出资1,000.00万元,成为有限合伙人。截至2021年9
月30日,乾照光电对满星繁盛已出资完毕。


截至2021年9月30日,满星繁盛基金份额持有情况如下:

序号

名称

合伙人

类型

投资额

(万元)

份额比例

1

苏州和正股权投资基金管理企业(有限合伙)

GP

500.00

5.00%

2

棕榈生态城镇发展股份有限公司

LP

5,000.00

50.00%

3

张曦赜

LP

2,000.00

20.00%

4

厦门乾照光电股份有限公司

LP

1,000.00

10.00%

5

李卓峰

LP

500.00

5.00%

6

雷稀闵

LP

500.00

5.00%

7

王丽华

LP

300.00

3.00%

8

周阿芳

LP

200.00

2.00%

合计

10,000.00

100.00%



(2)满星繁盛的对外投资情况

满星繁盛主要资产为长期股权投资。截至2021年9月30日,满星繁盛的长期
股权投资账面价值为7,995.96万元,占满星繁盛资产总额比例为88.96%。


截至2021年9月30日,满星繁盛对外共投资18家公司,具体情况如下:

序号

企业名称

主营业务

1

苏州和德新电企业管理合伙企业(有限
合伙)

企业管理咨询与服务、商务信息咨询、经济
信息咨询

2

青岛道道研究院有限公司

人工智能应用,包括“法律谷”、“投资经理
bot”等产品

3

北京乐客灵境科技有限公司

虚拟现实游乐解决方案

4

深圳唱刻科技有限公司

品牌名“唱刻”,线下Mini自助KTV设备

5

深圳增强现实技术有限公司(曾用名:
深圳青橙视界数字科技有限公司)

品牌名“0-glass”,智能眼镜全终端AR工作
辅助和在线培训解决方案

6

北京灵犀微光科技有限公司(曾用名:
北京加你科技有限公司)

增强现实眼镜的光学解决方案

7

道美科技(上海)股份有限公司(曾用

品牌名“椰来啦”,鲜椰打孔贩卖机




序号

企业名称

主营业务

名:道美科技(上海)有限公司)

8

上海寻梦说生物科技有限公司

品牌名“Mixx”,年轻时尚美妆研发和销售

9

指挥家(厦门)智能科技有限公司

虚拟现实的设计、开发及制作

10

上海幸尚佰和品牌管理(集团)有限公
司(曾用名:上海汪萌主宠物用品有限
公司)

品牌名“未卡”,时尚宠物用品

11

北京幻视网络科技有限公司

虚拟现实内容开发

12

深圳市明海云创科技服务有限公司

联合办公空间提供商

13

北京萌想网络科技有限公司

品牌名“加盟家”,加盟资源的整合对接

14

深圳市摩登世纪科技有限公司

虚拟现实内容生产商

15

北京欧若拉极光科技有限公司

医疗美容产品的研发和销售

16

北京大有云图科技有限公司

医学影像云存储解决方案提供商

17

其旋科技(上海)有限公司

智能科技研发商

18

海南椰多多科技有限公司

自动椰子售卖机研发商



公司对满星繁盛的投资属于《审核问答》认定的财务性投资。上述财务性投资
发生于2017年,距离本次向特定对象发行董事会决议日超过六个月。同时,上述
财务性投资占公司合并报表归属于母公司净资产的0.65%,不属于《审核问答》所
认定的“金额较大”的情形。


(3)持有原因及未来处置计划

满星繁盛由专业的投资管理机构苏州和正担任执行事务合伙人,主要从事股权
投资业务。公司投资满星繁盛,主要是为了加强公司对新技术、新产业、新行业的
理解,有助于公司在新兴产业领域的布局和拓展,同时通过利用专业投资团队的专
业优势和资产管理能力,向具有良好成长性和发展前景的项目进行投资,实现较高
的资本增值收益。公司未来将根据投资项目情况制定相应的处置计划。


7、长期股权投资

截至2021年9月30日,公司长期股权投资账面价值为6,752.14万元,占公司
合并报表归属于母公司净资产的2.66%,主要系对参股企业圣西朗乾照、乾芯半导
体、康鹏半导体的投资。


公司长期股权投资的具体情况如下:





项 目

成立时间

乾照光电

认缴出资

金额

(万元)

乾照光电

认缴出资
比例

乾照光电

实缴出资

金额

(万元)

是否纳
入乾照
光电合
并报表
范围

2021年9月30日

余额

(万元)

占归母

净资产

比例

主要

业务

是否为财
务性投资
(类金融)

1

酒泉市圣
西朗乾照
照明工程
有限公司

2016-9-27

1,500.00

50.00%

1,100.00



1,176.35

0.46%

城市、道
路、建筑
等照明
工程



2

乾芯(平
潭)半导
体投资合
伙企业
(有限合
伙)(注)

2017-12-25

6,060.00

66.01%

3,345.20



3,323.79

1.31%

半导体
光电产
业投资



3

浙江康鹏
半导体有
限公司

2018-11-5

1,333.21

21.53%

1,333.21



2,252.00

0.89%

半导体
材料研
发及制




合 计

-

-

-

-

-

6,752.14

2.66%

-

-



注:乾芯半导体主要投资方向为半导体光电产业,与公司主营业务具有一定的协同性。厦门金
韬投资管理有限公司为其执行事务合伙人。公司对乾芯半导体的初始投资金额为3,060万元,
持有其49.51%的份额。公司于2019年7月30日追加对乾芯半导体的投资3,000万元,持有份
额增加至66.013%。由于公司并未拥有单方面主导乾芯半导体相关活动的权力,对乾芯半导体
不构成控制,仅能够对其施加重大影响,故公司将乾芯半导体作为对联营企业的长期股权投资,
按照权益法核算。


(1)公司对圣西朗乾照、康鹏半导体的投资不属于财务性投资

①圣西朗乾照投资背景及投资原因

户内外照明系公司LED芯片的终端应用领域之一,LED照明灯具行业、LED
照明工程行业均为公司下游。2016年,为增强整体盈利水平及抗风险能力,公司
依托在LED芯片领域积累的技术优势和技术影响力,新拓展了照明工程类业务。

公司以全资子公司乾照照明为主体,对外开展LED照明灯具销售、城市照明亮化
工程等业务。


公司投资圣西朗乾照,主要目的在于拓展照明工程类业务。2016年,为满足
阿克塞哈萨克族自治县民族风情“不夜城”整体包装亮化项目的开展需要,进一步
打通下游合作渠道,公司子公司乾照照明与四川圣西朗能源有限公司合资设立圣西
朗乾照,并由圣西朗乾照为该项目提供照明工程建设以及项目竣工后的管理、维护
及养护等服务。



圣西朗乾照所从事的业务与公司当时开展的照明工程类业务具有上下游协同
关系,符合公司投资时的战略发展方向,公司对圣西朗乾照的投资属于围绕产业链
上下游以获取渠道为目的的产业投资,并非以获得投资收益为主要目的,因此不属
于财务性投资。


②康鹏半导体投资背景及投资原因

康鹏半导体成立于2018年11月5日,主要从事半导体材料研发及制造,主营
产品为砷化镓衬底。砷化镓衬底系生产红黄光LED芯片及外延片的主要原材料,
为进一步拓展上游供应链,公司于2019年7月出资入股康鹏半导体。


公司投资康鹏半导体属于围绕产业链上下游以获取原材料为目的的产业投资,
符合公司主营业务及战略发展方向,并非以获得投资收益为主要目的,不属于财务
性投资。


综上所述,公司对圣西朗乾照、康鹏半导体的投资为围绕产业链上下游的产业
投资,不属于《审核问答》认定的财务性投资。


(2)公司对乾芯半导体的投资不属于财务性投资

①乾芯半导体投资背景

乾芯半导体成立于2017年12月25日,执行事务合伙人为厦门金韬投资管理
有限公司。公司对乾芯半导体的初始投资金额为3,060万元,持有其49.51%的份额。

公司于2019年7月30日追加对乾芯半导体的投资3,000万元,持有份额增加至
66.013%。


公司投资乾芯半导体,主要是为了打造上下游产业链一体化,通过投资的方式
进一步拓展对LED产业链的布局。根据《乾芯(平潭)半导体投资合伙企业(有
限合伙)有限合伙协议》,合伙企业主要投资半导体领域,包括但不限于微波器件、
射频器件、激光器、LED新方向等,与公司主营业务具有一定的协同性。


②乾芯半导体的对外投资情况

截至2021年9月30日,乾芯半导体仅持有浙江博蓝特半导体科技股份有限公
司(以下简称“博蓝特”)4.43%股权,除此之外不存在投资其他企业的情况。



博蓝特主要从事新型半导体材料、器件及相关设备的研发和应用,主要产品为
蓝宝石衬底、碳化硅衬底等。博蓝特系公司蓝宝石衬底的主要供应商之一,自2015
年起便与公司开展业务合作,与发行人具有上下游协同关系。


公司通过乾芯半导体投资博蓝特属于围绕产业链上下游以获取原材料为目的
的产业投资,符合公司主营业务及战略发展方向,并非以获得投资收益为主要目的,
不属于财务性投资。


③公司已承诺将不再新增对乾芯半导体的投资

公司已承诺将不再新增对乾芯半导体的投资,具体书面承诺如下:

“自本承诺出具之日至乾芯(平潭)半导体投资合伙企业(有限合伙)解散或
清算之日,本公司将不再新增对乾芯(平潭)半导体投资合伙企业(有限合伙)的
投资。”

④公司对乾芯半导体的实缴出资与初始投资金额存在差异的原因

公司对乾芯半导体的初始投资金额为3,060万元,于2018年3月22日完成实
缴。2019年公司追加对乾芯半导体的投资3,000万元,于2019年7月30日完成实
缴,本次增资完成后,公司对乾芯半导体的实缴出资金额为6,060万元。


2020年6月,博蓝特因资本运作规划考虑对股权结构进行调整,乾芯半导体
对外转让了其持有的部分博蓝特股权。


对外转让部分股份后,乾芯半导体对其获得的转让款进行分配,公司获得的项
目退出收益分配总额为2,910.0889万元,其中本金退出2,714.7976万元,收益分配
195.2913万元,造成公司对乾芯半导体的实缴出资与初始投资金额存在差异。


截至2021年9月30日,公司对乾芯半导体的长期股权投资账面价值为3,323.79
万元,占公司归母净资产的比例为1.31%。


综上所述,公司对乾芯半导体的投资属于针对产业链上游进行资源整合的产业
投资,与公司整体战略布局、发展规划、业务目标相匹配,不以获取短期投资回报
为主要目的。因此,该项投资不属于《审核问答》认定的财务性投资。


综上,上述投资属于为满足公司业务开展及战略发展需要,围绕产业链下游以获取
渠道或针对产业链上游进行资源整合为目的的产业投资,不属于财务性投资。



七、未决诉讼、仲裁及行政处罚情况

(一)未决诉讼、仲裁情况

截至2021年9月30日,公司及董事、监事、高级管理人员不存在尚未了结的
涉案金额在1,000万元以上的诉讼及仲裁事项。


(二)行政处罚情况

报告期内,公司及控股子公司的行政处罚情况如下:

1、安全生产处罚

报告期内,子公司扬州乾照曾受到1项安全生产部门的行政处罚,具体情况如
下:

序号

处罚时间

处罚事由

处罚金额(元)

整改情况

1

2018-6-28

扬州乾照因未对生
产区域内有限空间
作业进行辨识、未建
立有限空间管理台
账,构成违规。


9,000.00

扬州乾照缴纳了上述罚款并进行
了相关整改。


2020年12月17日,扬州市应急
管理局出具了《证明》,确认上述
行为不具有从重情节。




除上述事项外,报告期内发行人及其子公司不存在受到其他安全生产、消防相
关的行政处罚的情形。


2、环保行政处罚

报告期内,子公司扬州乾照曾受到2项环保部门的行政处罚,具体情况如下:

序号

处罚时间

处罚事由

处罚金额(元)

整改情况

1

2018-1-11

扬州乾照因总排水
口处污水氨氮指标
超标,构成违规。


9,227.52

扬州乾照缴纳了上述罚款并进行
了相关整改。


2018年7月11日,扬州市环境保
护局出具了《证明》,确认该两项
处罚均不属于“情节严重”的行政
处罚措施,不属于重大行政处罚。


2

2018-2-27

扬州乾照因总排水
口处污水氨氮指标
超标,未在期限内纠
正违法行为,被责令
改正。


193,777.92



除上述事项外,报告期内,发行人及其子公司不存在受到其他环保相关的行政
处罚的情形。


3、海关行政处罚

报告期内,子公司江西乾照曾受到1项海关部门的行政处罚,具体情况如下:


序号

处罚时间

处罚事由

处罚金额(元)

整改情况

1

2020-8-28

江西乾照因进口货
物税则号列申报不
实,构成违规

4,000.00

江西乾照缴纳了上述罚款并进行
了相关整改。


2020年11月12日,青山湖海关出
具《证明》,确认上述行政处罚系
“简单案件”。




根据《中华人民共和国海关办理行政处罚简单案件程序规定》第二条,简单案
件是指海关在行邮、快件、货管、保税监管等业务现场以及其他海关监管、统计业
务中发现的违法事实清楚、违法情节轻微,经现场调查后,可以当场制发行政处罚
告知单的违反海关监管规定案件。江西乾照上述处罚不属于重大行政处罚。



第二节 本次证券发行概要

一、本次发行的背景和目的

(一)本次发行的背景

1、LED高端应用领域快速发展,高端LED芯片市场广阔

在我国产业政策大力支持下,近年来LED产业快速发展,产品性能、品质不
断提升,高光效、低能耗、高均匀性的高端LED产品开始得到广泛应用。目前,
我国已成为全球最主要的LED生产基地,高工产业研究院(GGII)数据显示,
2012-2018年国内LED产值从2,059亿元增长至5,985亿元,年复合增速高达
19.46%。随着设备国产化加速及芯片产能持续扩张,行业内领先企业积极展开
Mini/Micro LED等技术的研发及产业化布局。随着半导体照明终端应用领域的快速
发展,高端LED芯片如Mini/Micro LED、高光效LED等在超高清显示、背光、医
疗、航天等新兴高端应用领域的市场渗透率正逐步提升,未来前景广阔。


一方面,随着LED在照明领域的持续渗透,市场对于LED芯片的光效需求也
在不断提升,如更高的光效,更高的转换率,更低热能,更节能的系统,更长的使
用寿命等。同时高光效的芯片方案赋予LED照明更灵活的设计,从而带来更多新
的应用,以高光效为背景的植物照明、医疗与航运、智慧照明等产品的问世为LED
传统市场开辟了新的方向。


另一方面,在消费升级的持续推动下,背光、显示等应用领域从常规显示应用
逐步向小尺寸的移动终端、VR/AR设备、智能手表、桌上型显示器、车用显示器
以及大型电视与显示屏拓展。Mini/Micro LED凭借高画质、广色域、定点驱动、高
反应速度、绝佳稳定性等优点成为显示、背光领域的重要技术发展方向。随着行业
技术逐渐成熟,Mini/Micro LED在背光、显示领域的应用前景广阔。据LEDinside
预测,Mini LED、Micro LED市场将在未来几年得到快速发展,2023年全球Mini
LED产值将达到10亿美元,2025年Micro LED市场产值将会达到28.91亿美元。


2、Mini/Micro LED芯片产业化进程加速,助力LED产业发展

近年来,Mini LED技术和Micro LED技术作为下一代显示技术已成为行业共
识。随着Mini/Micro LED技术的不断成熟,应用领域的产业化需求大规模提升,


高端LED芯片需求旺盛。在此背景下,我国LED产业链上下游企业纷纷加速高端
LED芯片产业的布局。据高工产业研究院(GGII)统计,2020年上半年投向
Mini/Micro LED等领域的资金接近234亿元,较上年大幅增长。从LED产业链看,
上游投资资金为130.35亿元、中游53.65亿元、下游25.65亿元。


在全产业链的共同推动下,通过量和技术的共同提升以及效率的提高,
Mini/Micro LED成本下降,将进一步推进Mini/Micro LED产业化应用发展,
Mini/Micro LED行业将迎来快速发展期。


3、国家出台相关产业政策,鼓励支持行业健康发展

LED行业是我国重点支持的高新技术与节能环保产业,我国政府高度重视
LED产业发展,并出台一系列支持产业发展的政策,鼓励、支持LED行业高质量
发展。近年来,相关国家、地方主要鼓励支持政策如下:

2016年11月,国务院发布《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》提出,
要推动智能传感器、电力电子、印刷电子、半导体照明、惯性导航等领域关键技术
研发和产业化。


2017年1月,国家发改委发布《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录(2016
版)》,将“半导体发光二极管(LED)”、“半导体材料”、“半导体发光材料”、“高
效白光LED新型封装技术及配套材料开发”、“新型LED照明应用产品”等列为国
家战略性新兴产业重点产品。


2018年1月,工信部公布《中国光电子器件产业技术发展路线图(2018-2022
年)》,提出支持半导体照明基础和关键技术研究,提升产品的光质量和光品质,加
强LED照明产品自动化生产装备的研发和推广应用。


2019年3月,工信部、国家广播电视总局、中央广播电视总台联合发布了《超
高清视频产业发展行动计划(2019-2022年)》,提出按照“4K先行、兼顾8K”的
总体技术路线,大力推进超高清视频产业发展和相关领域的应用,标志着超高清视
频产业时代的来临。对于LED行业来说,超高清显示和Mini/Micro LED的发展息
息相关,8K+5G技术,为小间距、Mini/Micro LED等新型显示技术提供了发展新
契机。



(二)本次发行的目的

1、聚焦高端LED芯片领域,提升市场竞争力

我国LED产业发展多年,已从单一生产通用照明等常规LED产品转向诸如特
殊照明、Mini背光、超高清显示等高端应用领域的开发和应用。尤其是近年来随
着国内LED产业结构不断调整,技术水平不断提升,Mini/Micro LED、高光效LED
的产品制备和应用技术快速发展并被应用于各个产业领域。


面对下游应用领域的快速增长,为抓住市场机遇,满足客户高端LED芯片产
品研发及产能需求,公司有必要扩大高光效LED芯片产能,并通过加强研发投入,
布局Mini/Micro LED芯片,把握高端LED行业发展机遇。目前,公司已在江西南
昌建立LED蓝绿芯片的生产基地,随着产能的逐步释放,南昌基地的盈利能力逐
渐显现。


公司本次募集资金将通过在南昌建设“Mini/Micro、高光效LED芯片研发及制
造项目”,抓住行业发展机遇,提高公司在高端、新兴应用领域产品市场布局。

Mini/Micro、高光效LED芯片等高端产品规模的扩大,一方面有利于公司适应不同
领域的市场需求,发挥多类别产品的协同效应,创造新的利润增长点,增强抵御市
场风险的能力,另一方面有利于进一步扩大南昌基地产能水平,随着新增产能的逐
步释放,有助于公司通过规模化生产降低综合成本,提高公司盈利能力。


2、优化公司财务结构,提高抗风险能力

LED芯片行业是资金、技术密集型行业,对从业人员的专业素质要求较高,
产业升级需要巨大的资本与研发投入。近年来随着行业技术不断升级迭代,为保持
持续发展动力,公司在产品研发、生产经营、市场开拓等活动中需要大量的营运资
金,目前公司营运资金主要通过借款的方式解决,资金成本压力较大。


本次向特定对象发行股票募集资金将有效满足公司“Mini/Micro、高光效LED
芯片研发及制造项目”的建设投资需求,同时补充流动资金,可在一定程度上解决
公司因业务扩张而产生的营运资金缺口,缓解公司资金压力,提高抗风险能力,优
化资产负债结构,降低财务风险,增强公司整体竞争力。



二、发行证券的定价方式、发行数量、限售期

(一)发行股票的种类和面值

本次向特定对象发行的股票种类为境内上市人民币普通股(A股),每股面值
为人民币1.00元。


(二)发行方式

本次发行采取向特定对象发行的方式,在中国证监会同意注册的有效期内择机
实施。


(三)定价基准日、发行价格

本次发行的定价基准日为发行期首日,发行价格不低于发行期首日前20个交
易日公司股票均价的80%。其中:发行期首日前20个交易日股票交易均价=发行
期首日前20个交易日股票交易总额/发行期首日前20个交易日股票交易总量。


若公司在定价基准日至发行日期间发生派息、送股、资本公积转增股本等除权
除息事项,本次向特定对象发行股票的价格将作相应调整。调整公式如下:

派送现金股利:P1=P0–D

送股和转增股本:P1=P0/(1+N)

两项同时进行:P1=(P0–D)/(1+N)

其中,P0为调整前发行价格,D为每股派发现金股利,N为每股送股或转增股
本数,P1为调整后发行价格。


最终发行价格由公司董事会根据股东大会授权在本次发行申请获得深交所审
核通过,并经中国证监会同意注册后,按照中国证监会及深交所的相关规定,根据
竞价结果与保荐机构(主承销商)协商确定。


(四)发行数量

本次向特定对象发行A股股票数量不超过212,000,000股(含212,000,000股),
未超过本次发行前上市公司总股本的30%。最终发行数量将在中国证监会同意注册
发行的股票数量上限的基础上,由公司董事会根据股东大会的授权及发行时的实际
情况与保荐机构(主承销商)协商确定。



为保证本次发行不会导致公司控制权发生变化,本次发行对于参与竞价过程
的认购对象,单一发行对象及其一致行动人认购上限不超过8,200.00万股(含本
数),且单一发行对象及其一致行动人本次认购数量加上其认购时已持有的公司股
份数量之后股份数量的上限不超过8,200.00万股(含本数)。


若公司股票在本次向特定对象发行A股股票董事会决议公告日至发行日期间
发生派息、送股、资本公积转增股本等除权、除息事项,则本次股票发行数量、单
一发行对象及其一致行动人本次认购数量的上限、单一发行对象及其一致行动人
本次认购数量加上其认购时已持有的公司股份数量之后股份数量的上限将相应调
整。


(五)发行对象及认购方式

本次向特定对象发行股票的所有发行对象合计不超过35名(含35名),均以
现金方式认购。本次向特定对象发行股票的发行对象须为符合中国证监会规定的证
券投资基金管理公司、证券公司、信托投资公司、财务公司、保险机构投资者、合
格境外机构投资者、人民币合格境外机构投资者,以及符合中国证监会规定的其他
法人、自然人或其他合格的投资者。其中,证券投资基金管理公司、证券公司、合
格境外机构投资者、人民币合格境外机构投资者以其管理的二只以上产品认购的,
视为一个发行对象。信托公司作为发行对象,只能以自有资金认购。


最终发行对象将在本次发行申请获得深交所审核通过,并经中国证监会同意注
册后,按照中国证监会及深交所的相关规定,根据竞价结果由董事会与保荐机构(主
承销商)协商确定。


(六)限售期

本次向特定对象发行完成后,本次发行对象认购的股票自发行结束之日起6个
月内不得上市交易,本次发行结束后因公司送股、资本公积转增股本等原因增加的
公司股份,亦应遵守上述限售期安排,限售期结束后按中国证监会及深交所等监管
部门的相关规定执行。


(七)上市地点

限售期届满后,本次向特定对象发行的股票将在深圳证券交易所创业板上市交
易。



(八)本次发行前滚存未分配利润的处置

本次发行前滚存的未分配利润将由本次发行完成后的新老股东共享。


(九)本次发行的决议有效期

本次发行的决议有效期为自公司股东大会审议通过之日起12个月。


三、募集资金投向

本次向特定对象发行A股股票募集资金总额不超过150,000.00万元(含),扣
除发行费用后将投资于“Mini/Micro、高光效LED芯片研发及制造项目”和补充流
动资金,具体情况如下:

序号

项目名称

项目投资金额(万元)

募集资金投入额(万元)

1

Mini/Micro、高光效LED芯片研
发及制造项目

141,375.48

115,000.00

2

补充流动资金

35,000.00

35,000.00

合计

176,375.48

150,000.00



若本次发行的募集资金净额低于拟投资项目的资金需求,在不改变拟投资项目
的前提下,董事会可根据项目的实际需求,对上述项目的募集资金投入金额、优先
顺序进行适当调整,不足部分由公司自有资金或自筹解决。


本次发行募集资金到位前,公司将根据项目进度的实际情况,以自有资金或其
他方式筹集的资金先行投入上述项目,并在募集资金到位后按照相关法律法规予以
置换。


四、本次发行是否构成关联交易

目前,本次发行尚未确定发行对象,最终是否存在因关联方认购公司本次向特
定对象发行A股股票构成关联交易的情形,将在发行结束后公告的《发行情况报
告书》中予以披露。


五、本次发行是否导致公司控制权发生变化

截至本募集说明书签署日,公司无控股股东或实际控制人。


为了保证本次发行不会导致公司控制权发生变化,本次发行对于参与竞价过程
的认购对象,单一发行对象及其关联方本次认购数量的上限不超过8,200.00万股,


且单一发行对象及其关联方本次认购数量加上其认购时已持有的公司股份数量之
后股份数量的上限不超过8,200.00万股。


本次发行完成后,公司仍不存在任何一方股东能够基于其所持表决权股份或其
提名的董事在董事会中的席位单独决定公司股东大会或董事会的审议事项,公司仍
无控股股东或实际控制人。本次向特定对象发行不会导致公司的控制权发生变化。


六、本次发行方案是否存在创新、无先例等情形说明

发行人本次发行方案不存在创新、无先例等情形。


七、本次发行方案取得有关主管部门批准的情况以及尚需呈报批准的
程序

本次发行方案已经公司2020年11月18日召开的第四届董事会第二十九次会
议审议、2020年12月4日召开的2020年第四次临时股东大会审议通过,根据有
关规定,本次向特定对象发行股票方案已通过深交所审核,尚需经中国证监会同意
注册后方可实施。


在经深交所审核通过并经中国证监会同意注册后,公司将向深交所和中国证券
登记结算有限责任公司深圳分公司申请办理股票发行、登记和上市事宜,完成本次
发行的全部呈报批准程序。上述呈报事项能否获得相关批准或核准,以及获得相关
批准或核准的时间,均存在不确定性。提请广大投资者注意审批风险。



第三节 董事会关于本次募集资金使用的可行性分析

一、前次募集资金使用情况

(一)募集资金到账情况

根据公司2014年第三次临时股东大会决议及2015年第二次临时股东大会决
议,并经中国证券监督管理委员会“证监许可[2015]1783号”文《关于核准厦门乾
光电股份有限公司非公开发行股票的批复》核准,公司非公开发行不超过
121,488,200股新股。根据发行方案及询价结果,最终确定本次非公开发行的股票
数量为114,553,311股,每股面值1元,发行价格为6.94元/股。


截至2015年10月30日止,公司已收到股东认缴股款人民币77,115万元(已
扣除发行费人民币2,385万元),经公司扣除自行支付的中介机构费和其他发行相
关费用380万元后,实际募集资金净额为76,735万元。募集资金净额已经致同会
计师事务所(特殊普通合伙)以“致同验字〔2015〕第350ZA0103号”《验资报告》
验证。


截至2021年3月31日,公司对募集资金投资项目累计投入76,735万元,尚
未使用的募集资金金额为0万元,募集资金专用账户余额0万元。


(二)募集资金存储情况

截至2021年3月31日,募集资金具体存放情况如下:

单位:万元

开户银行

银行账号

账户类别

存储余额

交通银行股份有限公司厦门分行

352000672018150093136

募集资金专户

0.00

中国光大银行厦门分行营业部

37510188000737663

募集资金专户

0.00

合计

-

-

0.00



截至2021年3月31日,公司上述募集资金专项账户内资金余额均为0.00元,
并且已全部销户。


(三)募集资金变更情况

公司前次募集资金实际投资项目未发生变更。



(四)前次募集资金投资项目对外转让或置换情况说明

2015年11月26日,公司第三届董事会第七次会议审议通过了《关于使用募
集资金置换预先投入募投项目自筹资金的议案》,同意公司使用部分募集资金置换
已预先投入的自筹资金。


截至2015年10月31日,公司以自筹资金预先投入募集资金投资项目的实际
投资额为555,724,390.99元,置换募集资金投资项目金额555,724,390.99元。致同
会计师事务所(特殊普通合伙)就本次募集资金投资项目的预先投入情况进行了核
验,并于2015年11月26日出具了《关于厦门乾照光电股份有限公司以自筹资金
预先投入募集资金投资项目情况的鉴证报告》(致同专字〔2015〕第350ZA0259号)。


2015年11月26日,中信建投证券股份有限公司发表了《关于公司以募集资
金置换预先投入募集资金投资项目自筹资金的核查意见》,同意公司以募集资金置
换预先投入募集资金投资项目自筹资金的事项。


(五)前次募集资金使用进度

截至2021年3月31日,公司前次募集资金使用进展基本符合预期,募集资金
投入使用进度与项目建设进度基本匹配。前次募集资金使用进度如下:

单位:万元

投资
项目

募集资金投资总额

各年度使用募集资金总额

项目达
到预定
可使用
状态
日期

募集前承
诺投资
金额

募集后承
诺投资
金额

实际投资
金额

实际投资
金额与募
集后承诺
投资金额
的差额

2015

年度

2016

年度

2017

年度

LED蓝
绿光外
延芯片
产业化
建设项
目(厦
门)

76,735.00

76,735.00

76,735.00

-

56,153.10

18,610.71

1,971.19

2015年
12月



(六)前次募集资金投资项目实现效益情况

截至2021年3月31日,前次募集资金实现效益情况如下:


单位:万元

项目名称

截止日投
资项目累
计产能利
用率(注1)

年均承
诺效益

最近三年实际效益

截止日
累计实
现效益

是否达
到预计
效益
(注2)

2021年

1-3月

2020

年度

2019

年度

2018

年度

LED蓝绿
光外延芯
片产业化
建设项目
(厦门)

87.56%

12,333.00

707.55

-4,188.12

-5,659.81

14,440.48

18,607.91





注1:截止日投资项目累计产能利用率是指投资项目达到预计可使用状态至截止日期间,投资
项目的实际产量与设计产能之比。LED蓝绿光外延芯片产业化建设项目(厦门)于2015年12
月达到预计可使用状态,该产能利用率为截至2021年3月31日的实际产量合计数与期间设计
产能合计数之比。


注2:LED蓝绿光外延芯片产业化建设项目(厦门)承诺效益为项目投产后经营期内的平均净
利润。本项目2015年度处于建设期,2016年度及2017年上半年为投产期但未达产,2017年
下半年项目进入达产期,截至2021年3月31日该项目累计实现效益为18,607.91万元,未达
到承诺的平均效益水平。


容诚会计师事务所出具《前次募集资金使用情况鉴证报告》(容诚专字
[2021]361Z0355号),对公司截至2021年3月31日的前次募集资金使用情况进行
了鉴证。募集资金投资项目累计实现的收益低于承诺的累计收益,系2019年至2021
年3月实现的效益未达到承诺的平均净利润所致,主要是近两年蓝绿芯片市场毛利
率大幅下滑导致,该项目2018年毛利率为25.51%,2019年毛利率为5.65%,2020
年毛利率为2.98%,2021年1-3月毛利率出现回升并达到16.81%,其2019年至2020
年毛利率大幅下滑的原因主要是:(1)受行业周期及全球经济低迷的影响,芯片售
价大幅下降,中低端照明产品毛利率表现最为明显,售价下降幅度最大,2019年
该项目蓝绿芯片年平均售价较2018年同比下降28.99%;(2)受2020年贸易战叠
加新冠病毒疫情影响,公司管理层根据市场情况进行了产能整合,致使该项目2020
年全年产能利用率偏低,对该项目的芯片成本产生一定影响,致使毛利率下降。上
述主要因素导致该项目截至2021年3月31日累计实现的收益低于承诺的累计收
益。


伴随产业集中度进一步提升,且受益于Mini LED、高品质照明市场的快速成
长,LED行业外延片、芯片价格在2020年下半年开启涨价模式。前次募投项目的
实施环境未发生重大不利变化,亦不会对本次募投项目的实施存在重大不利影响。


二、本次募集资金使用计划

本次向特定对象发行A股股票募集资金总额不超过150,000.00万元(含),扣


除发行费用后将投资于“Mini/Micro、高光效LED芯片研发及制造项目”和补充流
动资金,具体情况如下:

单位:万元

序号

募集资金投资项目

投资金额

使用募集资金金额

资本性投入金额

1

Mini/Micro、高光效LED
芯片研发及制造项目

141,375.48

115,000.00

118,345.22

2

补充流动资金

35,000.00

35,000.00

-



合计

176,375.48

150,000.00

118,345.22



上述“Mini/Micro、高光效LED芯片研发及制造项目”将以江西乾照光电有限
公司为实施主体,实施地点为江西省南昌市新建区长堎工业园区,不涉及新增用地
的情形。发行人已取得发改委立项备案和环保部门环评批复。





项目名称

是否
备案
以及
备案
文件

是否环评以及
环评文件

是否涉及
土地以及
土地取得
进展

属于
技改
还是
新建
项目

募集资金投
入实施主体
方式(其他
股东是否同
比例出资)

实施主
体及其
与发行
人关系

预计
效益

其他所需
许可、资
质等

1

Mini/Micro、
高光效LED
芯片研发及
制造项目

是,
《江
西省
企业
投资
项目
备案
通知
书》

是,《关于江西
乾照光电有限
公司实施
Mini/Micro、高
光效LED芯片
研发及制造项
目无需重新办
理环评审批的
审核意见》(新
环字[2020]44
号),《关于乾
照光电南昌基
地项目环境影
响报告书的批
复》(新环审批
[2018]8号)

不涉及新
增用地,已
取得编号
为“赣
(2019)新
建区不动
产权第
0001504
号”、“赣
(2019)新
建区不动
产权第
0002195
号”的土地
权证

新建

增资(实施
主体系全资
子公司江西
乾照光电
限公司,不
涉及同比例
出资)

实施主
体江西
乾照光
电有限
公司,
系发行
人全资
子公司

税后内
部收益
率为
15.47%

不适用



若本次发行的募集资金净额低于拟投资项目的资金需求,在不改变拟投资项目
的前提下,董事会可根据项目的实际需求,对上述项目的募集资金投入金额、优先
顺序进行适当调整,不足部分由公司自有资金或自筹解决。


本次发行募集资金到位前,公司将根据项目进度的实际情况,以自有资金或其
他方式筹集的资金先行投入上述项目,并在募集资金到位后按照相关法律法规予以
置换。



三、本次募集资金使用的基本情况

(一)Mini/Micro、高光效LED芯片研发及制造项目

1、项目基本情况

Mini/Micro、高光效LED芯片研发及制造项目将以江西乾照光电有限公司为实
施主体,主要生产Mini BLU、Mini LED GB、Micro LED芯片、高光效LED芯片,
项目主要建设内容包括厂房建设、购置生产Mini/Micro、高光效LED芯片所需设
备等。项目建成后将合计新增年产636.00万片的Mini LED BLU、Mini LED GB、
Micro LED芯片、高光效LED芯片生产能力。


本项目旨在通过抓住Mini/Micro LED产业化机遇,顺应LED照明行业发展趋
势,扩大Mini/Micro、高光效等LED芯片生产能力,优化产品结构,提升公司综
合竞争水平,满足可持续发展需求。


2、项目经营前景

项目主要建设内容包括厂房建设、购置生产Mini/Micro、高光效LED芯片所
需设备等。项目建成后将合计新增年产636.00万片的Mini LED BLU、Mini LED
GB、Micro LED芯片、高光效LED芯片生产能力。公司凭借自身在外延片及芯片
生产方面丰富的生产、运营及研发经验,通过在江西省南昌市建设生产线,扩大产
品的覆盖力度,实现贴近服务核心客户的目标。随着项目的实施以及产能的释放,
江西乾照光电有限公司将具备更强的产品交付能力,并快速、高效地响应客户需求,
进一步支撑公司的整体业绩。


3、项目的实施准备和进展情况

本项目已于2020年11月27日取得南昌市新建区发改委出具的《江西省企业
投资项目备案通知书》(项目统一代码为:2020-360122-39-03-050042),并取得南
昌市新建生态环境局(以下简称“新建环境局”)出具的《关于江西乾照光电有限
公司实施Mini/Micro、高光效LED芯片研发及制造项目无需重新办理环评审批的
审核意见》(新环字[2020]44号)。经新建环境局审核,江西乾照拟新建的
“Mini/Micro、高光效LED芯片研发及制造项目”与2018年1月26日出具的《关
乾照光电南昌基地项目环境影响报告书的批复》(新环审批[2018]8号)所审批的
“江西乾照光电有限公司乾照光电南昌基地项目”二期工程项目,在建设性质、规


模、地点、内容、采用的生产工艺或者防治污染的措施等方面未发生重大变化,且
审批后未超过5年,无须重新申请办理环评审批手续。


4、项目投资概算

本项目计划总投资金额为141,375.48万元,其中:建设投资15,743.06万元、
设备投资102,602.16万元,预备费5,917.26万元,铺底流动资金17,113.00万元。

本项目拟投入募集资金115,000.00万元,主要用于固定资产投资,属于资本性支出。


本项目的具体投资数额安排明细及拟投入募资资金情况见下表:

单位:万元

序号

项目

投资金额

比例

拟投入募集资金金额

1

建设投资

15,743.06

11.14%

15,743.06

1.1

员工宿舍







1.1.1

建筑安装工程费等

5,096.56

3.60%



1.2

公共工程







1.2.1

洁浄室及环保工程

1,218.00

0.86%



1.2.2

电力工程

1,125.00

0.80%



1.2.3

消防工程

100.00

0.07%



1.3

二次配工程







1.3.1

建筑工程费用

8,203.50

5.80%



2

设备投资

102,602.16

72.57%

99,256.94

3

预备费

5,917.26

4.19%



4

铺底流动资金

17,113.00

12.10%





总投资金额

141,375.48

100.00%

115,000.00



5、项目投资测算依据及过程

“Mini/Micro、高光效LED芯片研发及制造项目”的固定资产投资主要包括建
设投资和设备投资,其价格和费用分别按照相关市场报价计算。


公司选择项目设备的依据如下:①根据设计的项目规模和工艺要求进行选择,
设备容量要达到批量生产的能力,并留有一定的余量供日后生产的扩大。②在保证
产品规模和生产质量的前提下,为节约项目投资,选用进口设备与国产设备相结合。

③生产设备应性能先进、自动化程度高,以减少人力消耗,提高生产安全性,适合
现代化生产要求。④设备便于操作、检修,节能环保、噪音低。⑤公用设备必须与


生产设备和厂房规划相匹配。


基于以上原则,本项目投资额测算具有合理性,具体如下:

(1)建设投资

①员工宿舍

员工宿舍建设投资明细如下:

序号

项目

投入金额

(万元)

数量

单位

建筑单价

(元/平方米)

1

地质勘探

-







2

图纸设计

48.00

14,472.00



33.00

3

施工图审

2.17

14,472.00



1.50

4

施工监理

10.85

14,472.00



7.50

5

建安

土建

3,495.02

14,472.00



2,225.00

安装

1,085.40

14,472.00



750.00

6

空调安装

62.40

312.00



2,000.00

7

室内装修

168.84

1,206.00



1,400.00

8

食堂设备安装

72.36







9

工程检测

56.00







10

人防易地建设费

95.52

434.16



2,200.00

合 计

5,096.56









②公共工程

公共工程主要为洁净室及环保工程、电力工程、消防工程建设等,工程内容及
明细如下:

序号

项目名称

投资金额

(万元)

工程内容

1

洁浄室及环保工程

1,218.00

环氧、库板、空调、FFU+高效送风口、
灯、插座等

2

电力工程

1,125.00

10KV进线+变压器+高压配电柜+低压配
电柜+UPS+一次陪低压电缆+施工

3

消防工程

100.00

消防系统

合 计

2,443.00





③二次配工程

厂务与车间二次配工程主要为生产车间暖通系统、气体系统(含制氨车间)、
电气工程等,建设内容及明细如下:


序号

厂务投资明细

投资金额
(万元)

工程内容

1

暖通系统

1,160.00

管道+调试+人工费

2

气体系统

385.00

管道+测试+人工费

3

化学品系统

75.00

管道+测试+人工费

4

电气(配电柜+电缆)

347.00

芯片机台二次配电箱+电缆+桥架+人工

5

纯废水工程

90.00

新增机台给排水二次配

6

品质搬迁新增

800.00

品质搬迁、一二次配、新增设备

7

洁净室装修工程

1,418.00

环氧、库板、空调、FFU+高效送风口、
灯、插座等

8

暖通系统设备(105设备)

165.00

真空泵+PCW(水泵和水箱)+机房配管

9

排气工程(有机系统+酸碱
+管道安装)

150.00

酸+有机+热排+厂务设备段配管

10

气体系统

713.50

设备类:BSGS+ VDB+ VMB+ VMP+10
台VS面板+2台scrubber等

工程类:管道、阀件等

侦测器系统:侦测器、GDS/GMS

制氨车间2,200 m2

11

纯化器

730.00

氢气(一二级)+氮气(一二级)+氨气
(一二级)+POU(氢、氮、氨)

12

地磅

40.00

地磅

13

氨回收

1,000.00

外延含氨尾气回收高纯氨

14

化学品系统

120.00

设备类:VMB+ t-box等+IO盘等

工程类:管道、阀件等

15

纯废水工程

390.00

一、二期DI水主管并联

17

电气

150.00

厂务设备自控

18

厂务自控

320.00

生产网络、门禁、摄像头、机台MES+
服务器设备

19

弱电

150.00

零星工程

合 计

8,203.50





(2)设备投资

本项目设备购置费总额为102,602.16万元,具体明细如下:

序号

设备名称

数量(台)

平均单价

(万元,含税)

投资金额

(万元)

1

MOCVD

20

1,200.00

24,000.00

2

PVD

6

467.59

2,805.52

3

BAKE

9

149.24

1,343.16

4

PL

3

67.05

201.14

5

显微镜

3

5.33

15.99




序号

设备名称

数量(台)

平均单价

(万元,含税)

投资金额

(万元)

6

清洗机(机型1)

1

20.46

20.46

7

检漏仪

2

23.27

46.53

8

烤箱

2

3.72

7.44

9

COW测试机

31

40.13

1,244.04

10

自动打线机

2

74.76

149.52

11

推力机

4

49.57

198.28

12

HMDS

2

15.40

30.80

13

匀胶机

10

115.00

1,150.00

14

光刻机(机型1)

9

167.10

1,503.90

15

光刻机(机型2)

2

608.40

1,216.80

16

显影机

4

123.40

493.60

17

显影机-4槽

2

82.46

164.92

18

烘箱

2

15.30

30.60

19

甩干机-双腔

18

12.86

231.48

20

金相显微镜

8

5.33

42.64

21

自动光罩清洗机

2

140.00

280.00

22

去胶机

6

93.21

559.26

23

Plasma去胶机

4

41.50

166.00

24

清洗机-4槽(机型1)

2

104.67

209.34

25

清洗机-4槽(机型2)

2

108.26

216.52

26

清洗机-6槽

2

127.62

255.24

27

ICP蚀刻机

10

483.00

4,830.00

28

合金炉管

2

21.43

42.86

29

技鼎RTA

11

109.50

1,204.50

30

Sput-ITO蒸镀机

2

1,095.00

2,190.00

31

EGUN-Pad蒸镀机

9

115.25

1,037.25

32

RPD

2

430.00

860.00

33

撕金机

2

2.31

4.62

34

PECVD

13

102.28

1,329.64

35

DBR蒸镀机

8

440.76

3,526.08

36

上蜡机

5

60.00

300.00

37

研磨机

7

88.17

617.19




序号

设备名称

数量(台)

平均单价

(万元,含税)

投资金额

(万元)

38

抛光机

4

78.75

315.00

39

CMP

2

67.04

134.08

40

自动厚度量测仪

4

54.88

219.52

41

下蜡机

4

0.43

1.72

42

清洗机(机型2)

2

93.21

186.42

43

陶瓷盘清洗机

2

36.80

73.60

44

贴片机

4

13.95

55.80

45

划片机

38

111.00

4,218.00

46

裂片机

40

30.90

1,236.00

47

扩晶机

4

6.50

26.00

48

MPI-倒装(机型1)

305

21.43

6,536.15

49

MPI-倒装(机型2)

5

40.24

201.20

50

AOI

9

125.66

1,130.94

51

分选机

1310

26.40

34,584.00

52

自动上下膜机

6

121.51

729.06

53

方片抽测机

2

37.47

74.94

54

自动分BIN机

4

88.60

354.40

合 计

-

-

102,602.16



6、项目实施效益估算

(1)募投项目的预计效益情况

本项目收入全部来源于Mini BLU、Mini LED GB、Micro 芯片、高光效芯片
的销售。本项目内部收益率为15.47%(税后),投资回收期为7.46年(税后)(含
建设期),具备较好的经济效益。



(2)募投项目的效益假设条件、测算依据、测算过程

募投项目效益预测的假设条件,包括:

①本项目计算期共11年,建设期3年,第2年开始生产,第5年达产。


②本项目第2年开始生产,第5年达产,第2年至第5年每年综合达产率分别为56%、85%、98%、99%(达产),第6年以综合
达产率为100%,产能利用率逐年提升。


本次募投项目的效益测算具体如下:

单位:万元

序号

项目

T+1

T+2

T+3

T+4

T+5

T+6

T+7

T+8

T+9

T+10

T+11

1

营业收入

-

58,521.60

90,576.00

107,402.40

108,018.09

107,646.51

104,593.75

101,756.39

100,136.77

99,598.02

99,086.20

2

营业成本

2,278.46

41,187.92

62,974.40

73,067.41

73,243.49

73,450.93

72,817.97

72,041.13

71,319.41

70,901.60

69,796.67

3

税金及附加

-

-

-

652.17

944.48

934.77

896.03

861.90

846.90

843.03

837.83

4

销售费用

-

1,170.43

1,811.52

2,148.05

2,160.36

2,152.93

2,091.87

2,035.13

2,002.74

1,991.96

1,981.72

5

管理费用

-

1,755.65

2,717.28

3,222.07

3,240.54

3,229.40

3,137.81

3,052.69

3,004.10

2,987.94

2,972.59

6

研发费用

-

2,340.86

3,623.04

4,296.10

4,320.72

4,305.86

4,183.75

4,070.26

4,005.47

3,983.92

3,963.45

7

利润总额

-2,278.46

12,066.73

19,449.76

24,016.61

24,108.49

23,572.63

21,466.31

19,695.29

18,958.15

18,889.57

19,533.94

8

所得税

-

1,468.24

2,917.46

3,602.49

3,616.27

3,535.89

3,219.95

2,954.29

2,843.72

2,833.44

2,930.09

9

净利润

-2,278.46

10,598.49

16,532.30

20,414.12

20,492.22

20,036.73

18,246.36

16,740.99

16,114.43

16,056.13

16,603.85




①营业收入

根据项目计划进度,项目第2年开始生产,第5年达产,产能利用率逐年提升,并逐步形成稳定的业务收入。


本项目产品的销售收入根据销售价格乘以当年预计产能进行测算。销售价格考虑了投产后产能释放及市场需求造成的价格波动影
响,投产后销售价格在期初基准价格的基础上每年递减。预测营业收入情况如下:

单位:万元

序号

产品

T+1

T+2

T+3

T+4

T+5

T+6

T+7

T+8

T+9

T+10

T+11

1

Mini BLU

-

9,600.00

15,052.80

18,439.68

18,070.89

17,709.47

17,472.00

17,280.00

17,088.00

17,088.00

17,088.00

2

Mini LED GB

-

30,000.00

47,040.00

57,624.00

56,471.52

55,342.09

54,235.25

53,150.54

53,150.54

53,150.54

53,150.54

3

Micro 芯片

-

3,600.00

7,056.00

10,372.32

13,138.27

14,780.56

13,302.50

11,972.25

10,775.03

10,236.27

9,724.46

4

高光效芯片

-

15,321.60

21,427.20

20,966.40

20,337.41

19,814.40

19,584.00

19,353.60

19,123.20

19,123.20

19,123.20

合计

-

58,521.60

90,576.00

107,402.40

108,018.09

107,646.51

104,593.75

101,756.39

100,136.77

99,598.02

99,086.20

产能利用率

0%

56%

85%

98%

99%

100%

100%

100%

100%

100%

100%



②总成本费用

本项目总成本费用具体情况如下:

单位:万元

序号

项目

T+1

T+2

T+3

T+4

T+5

T+6

T+7

T+8

T+9

T+10

T+11

1

营业成本

2,278.46

41,187.92

62,974.40

73,067.41

73,243.49

73,450.93

72,817.97

72,041.13

71,319.41

70,901.60

69,796.67

1.1

原材料

-

26,462.44

40,175.69

47,258.58

47,474.51

47,725.39

47,156.03

46,506.39

45,848.26

45,557.65

45,378.91




序号

项目

T+1

T+2

T+3

T+4

T+5

T+6

T+7

T+8

T+9

T+10

T+11

1.2

人工成本

588.00

3,528.00

5,292.00

5,880.00

5,880.00

5,880.00

5,880.00

5,880.00

5,880.00

5,880.00

5,880.00

1.3

折旧与摊销

1,690.46

5,052.53

8,502.87

9,796.74

9,796.74

9,796.74

9,796.74

9,796.74

9,796.74

9,796.74

8,934.16

1.4

燃料动力

-

3,374.40

4,881.60

5,470.08

5,376.24

5,342.40

5,278.80

5,215.20

5,151.60

5,088.00

5,024.40

1.5

其他制造费用

-

2,770.56

4,122.24

4,662.00

4,716.00

4,706.40

4,706.40

4,642.80

4,642.80

4,579.20

4,579.20

2

销售费用

-

1,170.43

1,811.52

2,148.05

2,160.36

2,152.93

2,091.87

2,035.13

2,002.74

1,991.96

1,981.72

3

管理费用

-

1,755.65

2,717.28

3,222.07

3,240.54

3,229.40

3,137.81

3,052.69

3,004.10

2,987.94

2,972.59

4

研发费用

-

2,340.86

3,623.04

4,296.10

4,320.72

4,305.86

4,183.75

4,070.26

4,005.47

3,983.92

3,963.45

5

营业总成本

2,278.46

46,454.87

71,126.24

82,733.62

82,965.12

83,139.12

82,231.41

81,199.21

80,331.71

79,865.42

78,714.43




A.原材料

单位直接材料费按产品BOM表所实际耗用的原料量乘以市场价格测算得
出,且市场采购价格在期初基准价格的基础上每年递减。直接材料费根据单位直
接材料费乘以当年预计产能测算得出。


B.人工成本

本项目人员根据运营需要配置,其中人员数量及薪酬参考公司历史数据及未
来项目规划按人均年薪8.40万元进行估算。


C.折旧与摊销

本项目实施地点为江西省南昌市新建区长堎工业园区,不涉及新增用地的情
形。本项目拟占有的土地面积为35,000.00㎡,拟占有的厂房面积为25,000.00㎡,
折旧与摊销包括项目新建所需的厂务及设备的折旧与摊销,以及所占有的现有土
地与厂房的折旧与摊销。固定资产折旧计算中,房屋、建筑物按照20年折旧,
残值率取5%;机器设备按照10年折旧,残值率取5%;土地按50年摊销。


D.燃料动力

本项目燃料动力用量参照公司目前生产状况估算。


E.销售费用和管理费用

销售费用主要包括销售人员工资福利费、销售差旅费、宣传推广费用。管理
费用主要包括本项目实施后新增的运营费用、办公费、其他管理费用等。参照公
司2017年至2019年费用比例平均水平,销售费用和管理费用分别按照销售收入
的2.00%和3.00%进行测算。


F.研发费用

研发费用主要包括本项目实施后新增的研发人员工资及福利费、研发材料费
用、研发设备折旧等。参照公司2017年至2019年研发费用比例平均水平,研发
费用按照销售收入的4.00%进行测算。


③所得税

本项目实施主体享受高新技术企业所得税优惠,因此所得税按照15%的所得


税率进行测算。


(3)募投项目效益测算谨慎性和合理性

本项目毛利率水平如下:

单位:万元

项目

T+1

T+2

T+3

T+4

T+5

T+6

T+7

T+8

T+9

T+10

T+11

营业
收入

-

58,521.60

90,576.00

107,402.40

108,018.09

107,646.51

104,593.75

101,756.39

100,136.77

99,598.02

99,086.20

营业
成本

2,278.46

41,187.92

62,974.40

73,067.41

73,243.49

73,450.93

72,817.97

72,041.13

71,319.41

70,901.60

69,796.67

毛利率



29.62%

30.47%

31.97%

32.19%

31.77%

30.38%

29.20%

28.78%

28.81%

29.56%



本募投项目测算中,本项目第2年开始生产,第5年达产,毛利率呈现先上
升再稳定的趋势。第2年至第5年,本项目毛利率逐渐上升,主要系产能利用率
逐渐提升。Mini/Micro LED作为LED前沿技术,下游LED应用终端厂商新型产
品更替需要一定时间,因此公司Mini/Micro LED的产量及产能利用率呈逐步提
高趋势。待Mini/Micro LED完成对下游LED应用产品的渗透后,公司考虑到市
场竞争情况导致产品销售价格逐年递减以及研发新产品进一步巩固在LED行业
中的领先地位,基于谨慎考虑,第6至11年预测项目毛利率将维持在29.00%左
右的较高水平。


公司与同行业可比上市公司综合毛利率指标情况如下:

公司名称

2021年1-9月

2020年度

2019年度

2018年度

三安光电

22.95%

24.47%

29.37%

44.71%

华灿光电

8.75%

4.21%

-5.70%

28.96%

聚灿光电

16.97%

3.94%

12.90%

7.43%

平均值

16.22%

10.87%

12.19%

27.03%

本公司

26.95%

6.72%

7.64%

29.17%



数据来源:WIND数据库、各公司定期报告。


注:可比公司平均是根据可比公司财务指标进行算术平均计算所得。


根据上述对比情况,本项目毛利率较行业平均水平高,主要系Mini/Micro
LED项目技术含量较高,为行业最前沿的新一代LED革新技术,公司完成项目
开发并量产后将获得一定议价能力,并达到较高的毛利率的水平。因此,本项目
测算过程中采用的毛利率相对于同行业可比上市公司,处于合理水平。


同行业可比上市公司同类项目与公司本次Mini/Micro、高光效LED芯片研


发及制造项目相关效益指标的对比情况如下:

公司名称

募投项目

项目平均
毛利率

内部收益
率(税后)

投资回收
期(税后)

三安光电

半导体研发与产业化项目(一期)

34.33%

15.32%

7.76年

聚灿光电

高光效LED芯片扩产升级项目

25.52%

14.81%

6.11年

华灿光电

Mini/Micro LED的研发与制造项目

33.60%

17.64%

7.89年

平均

31.15%

15.92%

7.25年

乾照光电

Mini/Micro、高光效LED芯片研发及制
造项目

29.75%

15.47%

7.46年



如上表所示,本项目平均毛利率、内部收益率(税后)与同行业可比上市公
司同类项目相比较为接近,处于合理水平。


综上所述,本项目效益测算过程谨慎、合理。


7、项目预计实施时间及整体进度安排

本项目建设期3年,预计第2年开始生产,第5年达产。本项目不涉及新增
用地的情形,截至本募集说明书签署日,本项目已完成项目前期的可行性分析、
立项备案和环境影响评价等相关前置程序,尚未开始建设,亦未在本次向特定对
象发行股票的董事会前进行前期投入,不存在置换董事会前投入的情形。


本项目具体进度见下表:

项目

T+1

T+2

T+3

Q1

Q2

Q3

Q4

Q1

Q2

Q3

Q4

Q1

Q2

Q3

Q4

施工设计

























工程建设

























设备采购及安装

























人员招聘及培训

























设备调试及生产



























本项目投资进度安排如下所示:

单位:万元

序号

项目

T+1

T+2

T+3

合计

1

建设投资

7,871.53

7,871.53

-

15,743.06

2

设备投资

20,520.43

51,301.08

30,780.65

102,602.16

3

预备费

1,419.60

2,958.63

1,539.03

5,917.26

4

铺底流动资金

-

17,113.00

-

17,113.00




序号

项目

T+1

T+2

T+3

合计

总投资金额

29,811.56

79,244.24

32,319.68

141,375.48

其中:固定资产投资

28,391.96

59,172.61

30,780.65

118,345.22

募集资金使用进度

28,391.96

59,172.61

27,435.43

115,000.00

募集资金使用比例

24.69%

51.45%

23.86%

100.00%



8、发行人的实施能力

本项目符合国家发展LED产业的相关政策,具有广阔的下游市场需求,同
时公司具有丰富的优质客户资源、强大的研发能力和丰富的生产管理经验,具备
本项目的实施能力。


9、资金缺口的解决方式

本项目总投资为141,375.48 万元,拟使用募集资金115,000.00万元,如果本
次发行募集资金不能满足公司项目的资金需要,公司将利用自筹资金或通过其他
融资方式解决不足部分。


本次发行实施后,本次募集资金投资项目仍存在资金缺口,尽管发行人可通
过自有资金、经营积累、银行贷款等多种方式补充上述资金缺口,但若未来发行
人自身财务状况出现问题或银企关系恶化无法实施间接融资,将导致项目实施存
在重大不确定性。


(二)补充流动资金

1、补充流动资金概况

公司本次拟使用募集资金35,000.00万元补充流动资金,以补充公司正常经
营所需的流动资金,降低公司资产负债率和财务费用,增强抗风险能力。


最近三年及一期,公司合并口径的相关财务数据如下:

项目

2021年9月末

2020年末

2019年末

2018年末

资产负债率

58.95%

62.13%

62.29%

54.75%

流动比率

1.59

0.92

1.56

1.38

速动比率

1.33

0.77

1.31

1.15



LED芯片行业资金占用较大,近年来由于市场竞争激烈,产品价格大幅下
跌,公司受到市场环境综合影响,日常经营所需的营运资金也随之增加。未来


“Mini/Micro、高光效LED芯片研发及制造项目”实施后,与之相对应的研发投
入、应收账款、存货以及相关的市场开拓、人力支出等营运资金需求将持续增加,
业务规模的快速扩张迫切需要增加配套营运资金。


本次募集资金部分用于补充流动资金,可以缓解公司正常经营所需的流动资
金压力。


2、补充流动资金合理性

(1)测算原理

流动资金需求主要由经营过程中的经营性流动资产和经营性流动负债构成。

根据销售百分比法,对2021年末、2022年末和2023年末的经营性流动资产和
经营性流动负债进行预测,计算各年末的流动资金占用额(经营性流动资产-经
营性流动负债)。公司对流动资金的外部需求量为新增的流动资金缺口,即2023
年末的流动资金占用额与2020年年末流动资金占用额的差额。


(2)测算过程及结果

①收入预测

2018年、2019年及2020年,公司营业收入分别为102,956.20万元、103,924.08
万元及131,571.98万元,营业收入增长率分别为-8.91%、0.94%及26.60%。


项目

2021年1-9月

2020年

2019年

2018年

营业收入(万元)

146,760.82

131,571.98

103,924.08

102,956.20

增长率(同比)

70.20%

26.60%

0.94%

-8.91%



2018年至2020年,营业收入的复合增长率为13.05%。综合考虑LED行业
的发展态势,随着2020年下半年库存去化渐入尾声,以及显示、背光等终端需
求回暖,LED行业重新迎来上行机遇,假设2021至2023年度,公司营业收入
保持13.05%水平增长。


②营运资金预测

根据公司主要经营性流动资产和经营性流动负债占营业收入的比例情况,以
2021至2023年营业收入为基础,根据销售百分比法对2021年末、2022年末和
2023年末的经营性流动资产和经营性流动负债进行预测,计算各年末的流动资


金占用额(经营性流动资产-经营性流动负债)。


③具体测算过程及结果

根据上述对营业收入的预测,假设公司预测期内经营性流动资产及经营性流
动负债占营业收入的比例保持2020年末相同,对流动资金缺口预测如下表:

单位:万元

项目

2020年实
际数

经营资产、
负债占营
业收入
比例

2021年至2023年预计经营资产及经
营负债数额

2023年期
末预计数

-2020年
期末
实际数

2021年

(预计)

2022年

(预计)

2023年

(预计)

营业收入

131,571.98

-

148,736.96

168,141.28

190,077.11

-

应收账款

77,422.42

58.84%

87,523.01

98,941.32

111,849.27

34,426.85

存货

36,673.24

27.87%

41,457.65

46,866.25

52,980.45

16,307.21

应收票据(+应
收账款融资)

31,241.15

23.74%

35,316.90

39,924.36

45,132.92

13,891.77

预付账款

1,502.48

1.14%

1,698.49

1,920.08

2,170.58

668.10

经营性流动资
产合计

146,839.29

111.60%

165,996.05

187,652.01

212,133.22

65,293.92

应付账款

42,892.29

32.60%

48,488.05

54,813.83

61,964.88

19,072.59

应付票据

14,741.35

11.20%

16,664.52

18,838.58

21,296.27

6,554.93

预收账款(合同
负债+其他流动
负债)

4,017.04

3.05%

4,541.11

5,133.54

5,803.27

1,786.23

经营性流动负
债合计

61,650.68

46.86%

69,693.67

78,785.95

89,064.42

27,413.74

流动资金占用
额(经营资产-
经营负债)

85,188.61

64.75%

96,302.38

108,866.05

123,068.79

37,880.18

未来三年资金
需求

37,880.18



根据表中测算结果,不考虑本次募投项目的影响,2021年至2023年公司的
流动资金需求合计37,880.18万元,本次募集资金拟用于补充流动资金的总额为
35,000万元,能够在一定程度上缓解公司未来生产经营的资金压力,未超过公司
实际流动资金需求量。


3、补充流动资金的必要性

(1)现有货币资金

截至2021年9月30日,公司货币资金余额为43,655.02万元,其中可自由


支配的货币资金为38,502.83万元。公司货币资金具体明细如下:

单位:万元

项目

余额

可自由支配余额

库存现金

1.02

1.02

银行存款

38,501.81

38,501.81

其他货币资金

5,152.19

-

其中:保证金

5,152.19

-

合计

43,655.02

38,502.83



(2)资产负债结构及现金流状况

报告期各期末,公司各期的资产负债率与同行业可比上市公司比较如下:

单位:%

公司名称

2021年

9月30日

2020年

12月31日

2019年

12月31日

2018年

12月31日

三安光电

32.71

23.87

26.74

30.99

华灿光电

41.51

42.83

58.44

54.19

聚灿光电

47.41

71.17

72.89

73.36

平均值

40.54

45.96

52.69

52.85

乾照光电

58.95

62.13

62.29

54.75



从上表可知,报告期内,公司各期末资产负债率高于行业平均水平,若后续
融资继续依靠银行贷款,将进一步提高公司的融资成本,从而影响了公司的经营
业绩,不利于公司的持续稳定发展。因此,本次向特定对象发行A股股票融资
将有效降低公司资产负债水平,减少公司融资成本,改善资产负债结构。


报告期内,公司现金流量基本情况如下:

单位:万元

项目

2021年1-9月

2020年度

2019年度

2018年度

经营活动产生的现金流量净额

21,442.04

12,381.09

26,877.89

23,360.64

投资活动产生的现金流量净额

-11,382.42

-11,654.13

-72,418.50

-194,481.60

筹资活动产生的现金流量净额

-17,037.98

-20,549.92

73,111.79

22,351.05

汇率变动对现金的影响

-32.21

-0.45

2.20

-1.83

现金及现金等价物净增加额

-7,010.57

-19,823.41

27,573.38

-148,771.73



2018年度、2019年度、2020年度及2021年1-9月,公司经营活动产生的现
金流量净额分别为23,360.64万元、26,877.89万元、12,381.09万元和21,442.04


万元。依靠现有经营业务产生的现金流量难以满足公司扩大业务规模和实施本次
募投项目对流动资金的需求。


(3)经营规模及变动趋势

公司主营业务收入持续增长,2018年、2019年、2020年和2021年1-9月公
司营业收入分别为102,956.20万元、103,924.08万元、131,571.98万元和146,760.82
万元,同比增长-8.91%、0.94%、26.60%和70.20%。


(4)未来流动资金需求

①预留一定期间的可动用货币资金用于经营

为保障日常经营发展的需要,公司通常需要留存可以满足一定期限内正常运
营的货币资金额。公司最近三年的经营性现金支出情况如下:

单位:万元

项目

2021年1-9月

2020年

2019年

2018年

经营性现金流出

77,271.78

119,374.26

112,078.34

106,572.34

月均经营性现金流出

8,585.75

9,947.86

9,339.86

8,881.03

报告期内月均经营性现金流出

9,228.82



注:1、月均经营性现金流出=当期经营性现金流出/当期月份数

2、报告期内月均经营性现金流出=报告期各期内经营性现金流出金额之和/报告期月数之和

由于公司的销售回款存在一定的账期,公司至少需要留存满足未来2个月经
营性活动的可动用货币资金。以2018年至2021年9月末月均经营性现金支出增
加额平均值9,228.82万元计算,预计公司未来一年需新增可动用货币资金
18,457.64万元。


②偿还短期借款及一年内非流动负债预留现金

截至2021年9月30日,公司短期借款及一年内非流动负债预留现金情况如
下:

单位:万元

项目

2021年9月30日

短期借款

62,354.21

一年内到期的非流动负债

29,540.49

合计

91,894.70



为保障公司短期偿债能力,公司需为短期借款及一年内到期的非流动负债预


留一定现金,假设预留80%,则需要预留现金73,515.76万元。


③未来一年主要资金需求情况

未来一年公司主要的资金需求情况如下:

单位:万元

用途

金额

可自由支配货币资金

38,502.83

小计

38,502.83

经营性现金支出

18,457.63

偿还短期借款及一年内到期的非流动负债预留现金

73,515.76

小计

91,973.39

资金缺口=未来大额资金需求-可自由支配货币资金金额

53,470.56



截至2021年9月30日,公司实际可自由支配的货币资金总额为38,502.83
万元,未来一年流动资金需求约为91,973.39万元,未来一年流动资金缺口为
53,470.56万元。本次向特定对象发行A股股票募集资金中,用于直接补充流动
资金为35,000.00万元,未超过公司未来流动资金需求。因此,本次向特定对象
发行A股股票融资有利于缓解公司日常营运资金周转压力,缓解公司对流动资
金的需求。


4、本次补充流动资金符合《发行监管问答—关于引导规范上市公司融资行
为的监管要求》

除上述募集的补充流动资金外,本次募投项目“Mini/Micro、高光效LED芯
片研发及制造项目”募集资金投向不包含预备费、铺底流动资金、支付工资/货
款、不符合资本化条件的研发支出等情况。


本次募集资金投资项目合计拟使用募集资金补流的金额为35,000万元,占
募集资金总额的比例为23.33%,未超过30%,符合《发行监管问答——关于引
导规范上市公司融资行为的监管要求》的规定。


四、本次募投项目建设的背景及必要性

(一)把握下游发展趋势,抢抓行业发展机遇

LED芯片的终端应用领域发展及更新换代速度较快,随着高端LED产业链


逐渐成熟,LED在高端应用领域的市场快速发展。据LEDinside预测,2023年
全球Mini LED产值将达到10亿美元,2025年Micro LED市场产值将会达到28.91
亿美元。


面对下游应用领域的快速增长,为抓住市场机遇,满足客户高端LED芯片
产品研发及产能需求,公司有必要扩大高光效LED芯片产能,并通过加强研发
投入,布局Mini/Micro LED芯片,加速Mini/Micro、高光效LED芯片的研发及
产业化进程,提升市场响应能力,把握高端LED行业发展机遇。


(二)优化产品结构,提升市场竞争力

我国LED产业发展多年,已从单一生产通用照明等常规LED产品转向诸如
特殊照明、Mini背光、超高清显示等高端应用领域的开发和应用。尤其是近年
来随着国内LED产业结构不断调整,技术水平不断提升,Mini/Micro LED、高
光效LED的产品制备和应用技术快速发展并被应用于各个产业领域。面对LED
产业结构升级和传统市场竞争加剧,公司有必要通过不断提升产品性能,提升高
端LED芯片产品规模,优化公司产品结构,在缓解激烈市场竞争带来的冲击的
同时,保持公司在LED产业的市场竞争力。


公司本次募集资金将通过在南昌建设“Mini/Micro、高光效LED芯片研发及
制造项目”,抓住行业发展机遇,提高公司在高端、新兴应用领域产品的市场布
局。Mini/Micro、高光效LED芯片等高端产品规模的扩大,一方面有利于公司适
应不同应用领域的市场需求,发挥多类别产品的协同效应,创造新的利润增长点,
增强抵御市场风险的能力,另一方面有利于进一步扩大南昌基地产能水平,随着
新增产能的逐步释放,有助于公司通过规模化生产降低综合成本,提高公司盈利
能力。


(三)巩固和提升行业地位,助力公司战略目标的实现

Mini/Micro LED是LED市场未来发展的新趋势,也是公司在LED芯片行业
积极发展的技术方向之一。多年来,公司在稳固LED产业竞争优势的基础上,
通过投资、孵化、内部研发等多种方式,积极拓展Mini/Micro LED产业布局,
以促进产业升级。


本募投项目是公司未来战略目标的重要组成部分,是公司结合自身发展策略


和行业、产品发展趋势,实现未来战略目标转型升级的重要步骤,也是加强公司
在高端LED芯片领域技术优势、巩固公司在行业内的竞争优势、提升公司持续
发展动力的必然途径。


五、本次募投项目新增产能消化的可行性分析

(一)广阔的市场前景,为项目的实施提供了产能消化基础

经过多年发展,基于LED的半导体照明技术与应用目前已取得了较大成就。

随着LED在新兴应用领域的不断拓展,LED芯片市场将逐步提升,其中高光效
LED、Mini/Micro LED等前沿技术的应用将成为新兴市场发展的重要动力。


Mini/Micro LED具有“薄膜化、微小化、阵列化”的优势,新一代技术为
LED背光领域、LED显示屏领域等增添了新的发展动力。LEDinside研究指出,
Mini LED未来可能的发展方向,涵盖电视、手机、车用面板、显示屏等,Mini LED
市场将在未来几年得到快速发展,2023年全球Mini LED产值将达到10亿美元,
2025年Micro LED市场产值将会达到28.91亿美元。




资料来源:LEDinside

此外,高光效、高转换率、低热能、更节能、更长使用寿命的高光效LED
芯片可以实现更灵活的LED照明方案,为相关LED产品的创新设计赋能,带来
更丰富的应用场景和更新颖的解决方案。以高光效为背景的植物照明、智慧照明
等产品的兴起也将为LED传统市场开辟全新的方向。高光效LED、Mini/Micro
LED产业具备良好的发展前景,本次募投项目具备市场可行性。



(二)稳定的客户基础,为项目的产能消化提供了保障

LED芯片行业位于LED产业链的上游,行业集中度较高,少数第一梯队LED
芯片厂商贡献了行业绝大部分产能;下游客户对芯片的质量要求较高,且使用不
同供应商的产品替代成本较高,因此上下游企业通常以较为长期、稳定的形式展
开合作。


经过多年的发展,公司整体产能已进入全国第一梯队行列,同时也是国内红
黄光芯片主要供应商之一。凭借产品良好的均匀性、稳定性及可靠性的优势,结
合完善的售后服务体系,公司已在市场树立了高品质LED芯片制造商的良好品
牌形象,积累了大批优质、稳定的客户资源,包括国内主要封装厂商均为公司深
度合作的客户。


在新兴应用领域,公司通过与大型面板厂、终端厂商等下游客户在LED芯
片产品设计、应用技术研发等方面展开深度合作,根据双方沟通的技术路线、技
术参数情况同步开发配套LED芯片产品,在技术开发和产品供应阶段建立了紧
密的合作关系。


此外,公司已建立了完善的营销体系,设立以厦门、南昌、扬州为枢纽,覆
盖全国的销售网络,并通过电话指导、技术人员现场解决等多种方式搭建成熟的
客户服务体系,积极为客户提供技术支持。


良好的合作模式、广泛的客户基础和完善的销售网络,为本次项目建设的产
能消化提供了可靠保障。


六、本次募投项目与公司既有业务、前次募投项目的关系

(一)本次募投项目与公司既有业务、前次募投项目的联系和区别

公司本次“Mini/Micro、高光效LED芯片研发及制造项目”的主要产品为
Mini BLU、Mini LED GB、Micro LED芯片、高光效LED芯片;公司前次募投
项目产品为GaN LED蓝绿光芯片;公司现有主要产品为蓝绿光LED芯片及外延
片、红黄光LED芯片及外延片、砷化镓太阳能电池外延片及芯片等。


本次募投项目是公司主营业务范畴,是基于公司在技术和生产方面的积累,
与本公司现有既有业务、前次募投项目紧密相关,本项目的实施将优化公司产品


结构,提升高端LED芯片技术开发及产业化水平,增强市场竞争力,促进公司
的可持续发展。


相较普通LED产品,Mini LED芯片尺寸介于50-200μm之间,Micro LED
芯片尺寸小于50μm。Mini/Micro LED产品具有微小像素尺寸、超高分辨率、广
色域和高对比度的特点,可作为新型背光源、显示光源,广泛应用于手机、电视、
车用面板及笔记本电脑等消费电子领域,以及增强现实(AR)微型投影装置、
车用平视显示器(HUD)投影应用、超大型显示广告牌等特殊显示应用产品,
并有望扩展到可穿戴/可植入器件、虚拟现实、光通信/光互联、医疗探测、智能
车灯、空间成像等多个领域。


本募投项目是公司未来战略目标的重要组成部分,是公司结合自身发展策略
和行业、产品发展趋势,实现未来战略目标转型升级的重要步骤,也是加强公司
在高端LED芯片领域技术优势、巩固公司在行业内的竞争优势、提升公司持续
发展动力的必然途径。


(二)募集资金用于拓展新业务、新产品的情况

公司本次“Mini/Micro、高光效LED芯片研发及制造项目” 的主要产品是
公司既有业务的新产品。Mini/Micro LED、高光效LED是LED市场未来发展的
新趋势,也是公司在LED芯片行业积极发展的技术方向之一。多年来,公司在
稳固LED产业竞争优势的基础上,积极拓展Mini/Micro LED、高光效LED产业
布局,以促进产业升级。


(三)开展本次募投项目所需的人员、技术、专利储备情况

作为LED芯片制造商,公司高度重视技术研发工作,密切关注行业技术前
沿和发展趋势,建立了快速响应下游客户和终端应用领域需求的研发体系。经过
多年发展,公司已形成了深厚的技术积累,掌握了多项高光效LED、Mini/Micro
LED芯片生长和制备的核心技术,其中高光效LED芯片产品拥有较强的产品性
能,并逐步切入国内外大厂的供应链;Mini LED具备优良的外延调控水平与倒
装芯片氧化物键合的工艺技术,芯片进入市场验证阶段;Micro LED芯片开发了
微米级线宽及亚微米套刻精度工艺技术、侧壁角度可控的刻蚀工艺技术等,并已
与下游客户及终端厂商展开合作研发和产业化布局。截至2021年9月30日,公


司及其控股子公司已取得483项专利技术,其中发明专利281项、实用新型专利
190项、外观设计专利12项,成熟的技术与生产工艺储备为项目扩产和新产品
开发奠定了基础。


同时,为保证项目顺利实施,公司进行了充分的技术人才与管理人才储备。

公司建有技术创新研发平台——技术中心,并于2010年获批成为省级企业技术
中心,于2018年获批成为国家级企业技术中心。技术中心下辖战略研究部、知
识产权战略部及博士后科研工作站等部门,以研发项目组的形式开展研究开发工
作。截至2021年9月30日,公司共有研发人员408人,占员工人数比例为18.40%。

公司拥有一支高学历高素质的技术研发团队,核心成员拥有多年行业相关经验,
技术研究和产品开发能力处于国内领先水平;公司已形成高效的技术主导型管理
模式,并建立了严格的质量管控体系,能够高效率、高质量地将技术成果转化为
适应市场需求的优质产品。


较为成熟的技术储备、人才储备,为公司本次募投项目的建设奠定了基础,
并保障项目的顺利实施。


(四)募投项目实施后是否会新增同业竞争

本次募投项目实施后不会新增同业竞争。


(五)募投项目实施后是否会新增关联交易

募投项目实施后,预计不会导致公司与关联方之间新增关联交易。公司已制
定了关联交易决策制度,对关联交易的决策程序、审批权限进行了约定。若未来
公司因正常经营需要,与关联方之间发生关联交易,公司将按照相关规定,及时
履行相应的决策程序及披露义务,并确保关联交易的规范性及交易价格的公允
性。


七、本次发行对公司经营管理和财务状况的影响

(一)本次向特定对象发行对公司经营管理的影响

本次募投项目的实施,是公司为积极响应国家产业政策、扩大公司在LED
芯片领域的市场份额、提升公司核心竞争力的重要举措,符合公司进一步提升生
产工艺、扩大优质产能、深化业务布局的战略规划。募集资金投资项目的实施将


对公司的经营业务产生积极影响,有助于公司把握行业发展的机遇,提高公司光
电产品的市场占有率,帮助公司实现产业深度融合发展,推动公司进入新的发展
阶段;有助于提高公司的持续盈利能力、抗风险能力和综合竞争力,巩固公司在
行业内的优势地位,符合公司及公司全体股东的利益。


(二)本次向特定对象发行对公司财务状况的影响

本次向特定对象发行将为公司产能建设和持续发展提供强有力的资金支持。

一方面,本次发行完成后,公司净资产规模将得以提高,公司的资本实力得到巩
固;另一方面,公司资产负债率得以降低,有利于优化资本结构,降低财务风险。


由于募集资金投资项目建成直至产生效益需要一定的过程和时间,因此每股
收益和加权平均净资产收益率等财务指标在短期内可能出现一定幅度的下降。但
是,随着本次募集资金投资项目的有序开展和持续推进,将有助于公司的发展战
略得到有效实施以及公司竞争力的加强,并进一步优化公司的产品结构,打造新
的利润增长点。



第四节 董事会关于本次发行对公司影响的讨论与分析

一、本次发行完成后,上市公司的业务及资产的变动或整合计划

公司致力于半导体光电产品的研发、生产和销售业务,本次发行募集资金将
用于“Mini/Micro、高光效LED芯片研发及制造项目”以及补充流动资金。

“Mini/Micro、高光效LED芯片研发及制造项目”以江西乾照光电有限公司为实
施主体,围绕公司主营业务展开,募投项目的实施能够进一步完善公司的
Mini/Micro LED产业布局,大幅提升主营产品的产能,丰富整体产品及服务品类,
加强对客户的产品配套供应能力。项目建成和实施后,公司收入规模会显著增加,
盈利能力将进一步提高。本次发行完成后,主营业务和总体业务结构不会发生重
大变化,公司的业务范围保持不变,不涉及公司业务与资产的整合。


二、本次发行完成后,上市公司控制权结构的变化

截至本募集说明书签署日,上市公司总股本为707,390,811股。本次向特定
对象发行A股股票数量不超过212,000,000股(含212,000,000股),最终发行数
量将在中国证监会同意注册发行的股票数量上限的基础上,由公司董事会根据股
东大会的授权及发行时的实际情况与保荐机构(主承销商)协商确定。本次向特
定对象发行完成后(考虑向特定对象发行事项,按照本次向特定对象发行的数量
上限212,000,000股测算),上市公司总股本将增至919,390,811股。本次交易完
成后,公司仍无控股股东或实际控制人。


三、本次发行完成后,上市公司与发行对象及发行对象的控股股东和
实际控制人从事的业务存在同业竞争或潜在同业竞争的情况

目前,本次发行尚未确定发行对象,尚不能确定上市公司与发行对象及发行
对象的控股股东和实际控制人从事的业务存在同业竞争或潜在同业竞争的情况。

如存在上述同业竞争或潜在同业竞争的情况,将在发行结束后公告的《发行情况
报告书》中予以披露。



四、本次发行完成后,上市公司与发行对象及发行对象的控股股东和
实际控制人可能存在的关联交易的情况

目前,本次发行尚未确定发行对象,最终是否存在因关联方认购公司本次向
特定对象发行A股股票构成关联交易的情形,将在发行结束后公告的《发行情
况报告书》中予以披露。



第五节 本次发行相关的风险因素

一、募集资金投资项目风险

(一)募投项目无法达到预期效益的风险

公司本次发行募集资金投资项目的可行性分析是基于当前LED行业的市场
环境、发展趋势、竞争格局、技术水平、客户需求等因素作出的,已经通过了充
分的可行性研究论证,具有广阔的市场前景。但公司本次发行募集资金第2年开
始生产,第5年综合达产率达99%,高于报告期内公司蓝绿光LED外延片、芯
片的产能利用率;同时Mini/Micro LED作为LED前沿技术,本募投项目毛利率
呈现先上升再稳定的趋势,且高于报告期内公司平均水平。由于市场情况在不断
地发展变化,如果出现募集资金不能及时到位、项目延期实施、市场推广效果不
理想、产业政策或市场环境发生变化、竞争加剧等情况,有可能导致项目最终实
现的投资效益与公司预估的投资效益存在一定的差距,可能出现短期内无法盈利
的风险或募投项目的收益不及预期的风险。


本次募投项目产品的销售收入根据销售价格乘以当年预计产能进行测算。销
售价格考虑了投产后产能释放及市场需求造成的价格波动影响,投产后销售价格
在期初基准价格的基础上每年递减。若短期内相关LED芯片产品技术出现较大
突破,或是行业内竞争对手短时间内集中大幅扩产,使得Mini/Micro、高光效
LED芯片市场出现供过于求情形,则可能出现未来相关产品实际销售价格低于
募投项目预计销售价格的风险。


(二)募投项目产能消化风险

公司本次募投新增产能系基于市场发展趋势、公司技术储备和客户储备优势
等综合考虑决定。本次募投项目达产后,公司每年将新增636.00万片的Mini LED
BLU、Mini LED GB、Micro LED芯片、高光效LED芯片生产能力。由于
Mini/Micro、高光效LED芯片市场前景可观,各大LED芯片企业均在积极布局,
未来Mini/Micro LED市场可能存在行业整体产能扩张规模过大导致竞争加剧、
市场空间低于市场预期、产能无法全面消化的风险。同时,在项目实施过程中,
若市场环境、下游需求、竞争对手策略、相关政策或者公司市场开拓等方面出现


重大不利变化,则公司可能会面临募投项目产能不能完全消化的风险。


(三)每股收益被摊薄及净资产收益率下降风险

本次发行股票募集资金到位后,公司总股本规模将扩大,净资产规模将得到
提高。由于本次募集资金到位后从投入使用至募投项目投产和产生效益需要一定
时间,在募投项目产生效益之前,股东回报仍然依赖于公司现有的业务基础。同
时,如果募集资金投资项目建成后未能实现预期收益,这将对公司经营业绩造成
一定的不利影响。上述情形将可能给公司每股收益及净资产收益率等财务指标带
来不利影响,使得公司股东的即期回报被摊薄。


(四)募投项目技术风险

公司本次募集资金投资项目产品包含Mini LED芯片、Micro LED芯片。

Mini/Micro LED 产品与普通LED产品在技术路径、生产设备、制造工艺等方面
均有不同。Mini/Micro LED因为芯片尺寸比普通LED产品要小很多,因此制造
工艺上需要的精度比现有产品要高,测试方式上也会更加复杂。公司已掌握了多
项高光效LED、Mini/Micro LED芯片生长和制备的核心技术,其中:高光效LED
芯片产品逐步切入国内外大厂的供应链,Mini LED芯片进入市场验证阶段,
Micro LED芯片已与下游客户及终端厂商展开合作研发。虽然公司部分
Mini/Micro LED产品已进入市场验证并实现小批量出货,但相关技术仍处于持续
研发状态,工艺优化与性能提升也在持续推进中,距实现大批量生产尚存在不确
定性。若因工艺优化、技术研发不达预期,则可能对募投项目的实施产生不利影
响,进而影响公司的经营业绩。


(五)募投项目折旧风险

根据公司本次募集资金投资项目使用计划,项目建成后,公司固定资产规模
将出现较大幅度增加,年折旧费用也将相应增加。本次募集资金投资项目投产后
年均新增折旧摊销总额7,718.94万元,占募投项目测算投产后年均收入的7.90%。

虽然本次募集资金投资项目预期效益良好,项目顺利实施后预计效益将可以消化
新增固定资产折旧的影响,但由于募集资金投资项目的建设需要一定周期,若因
募投项目实施后,市场环境等发生重大不利变化,则新增固定资产折旧将对公司
未来的盈利情况产生不利影响。



(六)募投项目资金缺口风险

本次发行实施后,本次募集资金投资项目仍存在资金缺口,尽管发行人可通
过自有资金、经营积累、银行贷款等多种方式补充上述资金缺口,但若未来发行
人自身财务状况出现问题或银企关系恶化无法实施间接融资,将导致项目实施存
在重大不确定性,上述因素有可能导致公司本次募集资金投资项目收益无法达到
预期,并对公司的经营业绩造成不利影响。


二、内控及规范运作风险

(一)无实际控制人风险

报告期内,发行人股权结构比较分散,不存在控股股东和实际控制人。本次
发行完成后,公司仍不存在任何一方股东能够基于其所持表决权股份或其提名的
董事在董事会中的席位单独决定公司股东大会或董事会的审议事项,公司仍无控
股股东或实际控制人。同时本次发行完成后,公司现有股东的持股比例预计将被
进一步稀释,不排除未来因无实际控制人导致公司治理格局不稳定或决策效率降
低而贻误业务发展机遇,进而造成公司经营业绩波动的风险。


(二)主要股东变更风险

截至本募集说明书签署日,公司无控股股东及实际控制人,公司的股权集中
度相对较低。此外,公司第二大股东南烨实业及其一致行动人王岩莉于2019年
11月出具《关于股东减持及放弃部分表决权的承诺函》,承诺不可撤销地永久放
弃持有公司股份对应的表决权、提名权、提案权等股东权利,并不再直接或间接、
以任何方式增持公司股票,亦不通过关联方或其他无关联第三方直接或间接、以
任何方式增持上市公司股票(不含因上市公司送股、资本公积转增股本导致的股
份数量增加)。虽然主要股东变更对公司生产经营的影响较小,但公司仍存在主
要股东可能变更,甚至第一大股东福建卓丰及其一致行动人、第二大股东南烨实
业及其一致行动人完全退出上市公司的可能。


此外,若本次发行后新增持股比例5%以上的重要股东,则公司股权结构将
相应发生重大变化。若公司主要股东发生变更,则可能存在公司董事会成员发生
变动以及发展战略和经营策略不稳定的风险,甚至对本次发行募集资金投资项目
的实施造成影响。



(三)管理层变动风险

报告期内,公司共有1名董事、5名高级管理人员离职。同时,公司第四届
董事会任期至2021年3月20日届满,为确保董事会、监事会工作的连续性及稳
定性,公司董事会和监事会的选举工作将延期举行,董事会各专门委员会和高级
管理人员的任期也相应顺延。公司已于2021年10月11日召开第四届董事会第
三十九次会议、第四届监事会第三十六次会议审议并通过关于换届选举及提名第
五届董事会董事、第五届监事会监事的议案,于2021年10月28日召开2021年
第三次临时股东大会审议并通过上述议案。虽然公司新聘任高级管理人员的构成
以续聘前任高级管理人员为主,且相关人员具有丰富的LED行业经验或财务、
投资专业能力,但公司的经营策略、业务发展目标、市场拓展能力、研发水平以
及本次募投项目的实施仍有可能因管理层变动受到影响。


(四)信息披露风险

报告期内,公司曾存在因信息披露不及时、准确而收到深圳证券交易所的监
管函和通报批评。虽然公司通过加强内部信息披露管理、组织相关人员认真学习
了相关法规政策、补充披露等措施进行了整改,但由于信息披露事项较为繁杂,
可能存在因公司信息披露责任人员的疏忽或对相关法律法规理解偏差,以及信息
披露义务人未及时将需要披露的信息及时告知公司等原因,导致不能及时完成相
关信息披露要求的可能,若因此受到监管部门处罚,可能对公司造成一定不利影
响。


三、宏观市场风险

(一)行业波动性风险

LED芯片行业具有周期性波动的特点。2019年随着宏观经济增速放缓及国
际贸易环境的持续震荡变化,LED行业增速有所下降。2020年受新冠疫情影响,
国内外宏观经济下调,在此背景下LED产业整体规模呈现负增长态势,随着二、
三季度中国全面复工复产和经济回暖,LED行业全年降幅逐渐收窄,并于下半
年开启涨价模式。进入2021年后,替代转移效应在海外疫情高发情况下得到延
续,我国LED产业恢复了增长。受宏观经济波动、市场供需平衡影响,LED芯
片行业近年来在经历快速发展、深化调整后,行业集中度获得进一步提升,整体


发展呈现一定的周期性波动。受行业周期性波动的影响,LED芯片行业能否保
持平稳增长具有不确定性,可能对公司整体经营业绩造成不利影响。


(二)市场竞争的经营风险

公司专业从事半导体光电产品的研发、生产和销售,是LED产业链上游企
业,主要产品为LED外延片和芯片。公司所处的LED行业受宏观环境、上下游
产业链景气度及同业竞争对手产销状况等多重因素影响,行业竞争变得愈加激
烈,可能对公司的经营状况产生不良影响。


(三)政策风险

自“十三五”以来,我国政府制定了切实可行的半导体产业政策,持续通过
国家科技计划支持半导体照明的技术创新和产业化,此外还通过试点、示范项目
及财政补贴等多种方式支持半导体照明产业的发展。如果未来我国政府的相关政
府补贴或扶持政策发生重大变化,将在一定程度上影响行业的发展。


四、经营风险

(一)业绩稳定性或亏损风险

2018年度、2019年度、2020年度及2021年1-9月,公司实现营业收入分别
为102,956.20万元、103,924.08万元、131,571.98万元及146,760.82万元,综合
毛利率分别为29.17%、7.64%、6.72%及26.95%,公司归属于母公司所有者的净
利润分别为17,998.57万元、-27,996.16万元、-24,690.53万元及16,461.78万元,
扣非后归属于母公司所有者的净利润分别为3,279.62万元、-39,743.59万元、
-29,833.87万元及9,043.52万元。报告期内,公司的主要收入来自于LED外延片
及芯片销售业务。2020年下半年以来,LED芯片市场开始触底回温,部分芯片
产品价格上涨,公司盈利能力有所提升,2021年1-9月公司毛利率已大幅回升至
26.95%。但是,公司所处的LED行业受宏观环境、上下游产业链景气度及同业
竞争对手产销状况等多重因素影响,若宏观经济形势发生变化或LED行业出现
重大调整,则公司将面临经营业绩下滑甚至亏损的风险。


(二)持续经营能力风险

虽然2020年下半年以来LED芯片市场已有所回暖,但未来若宏观经济形势


发生变化或LED行业出现重大调整,可能会加剧公司运营资金压力,公司日常
生产经营将受到较大不利影响,盈利能力进一步削弱,导致公司的持续经营能力
产生重大不确定性风险。


(三)产品价格下降风险

随着LED行业技术的不断进步,各厂商产能逐步得到释放,行业库存量日
趋增加,存在LED产业投资规模增长过快问题。加之市场的激烈竞争,厂商通
过降价来换取订单和现金流,促使LED芯片市场价格呈现下降趋势。2018年至
2020年,受宏观经济增速放缓及国际贸易环境持续震荡变化的影响,公司LED
蓝绿光芯片及外延片(折2寸片)平均销售单价分别为141.81元/片、91.45元/
片和71.19元/片,LED红黄光芯片及外延片(折2寸片)平均销售单价分别为
280.65元/片、234.10元/片和185.44元/片,产品销售价格呈下降趋势。如未来公
司不能优化产品结构,公司产品销售单价可能进一步下降,从而对公司的经营业
绩带来不利影响。


(四)生产规模扩大带来的管理风险

本次募集资金投资项目实施后,公司资产规模及业务规模将大幅增加,产品
结构进一步优化,进而使公司在资源整合、研究开发、市场开拓、组织建设、营
运管理、财务管理、内部控制等各方面将面临更高要求。如果公司管理水平不能
适应规模迅速扩张的需要,组织模式和管理制度未能随公司规模扩大及时完善,
将削弱公司的市场竞争力,存在规模迅速扩张导致的管理风险。


(五)产品技术的更新风险

随着LED行业技术的不断提升以及客户的需求升级,LED产品不断推陈出
新,依托各类先进技术实现LED产品在应用层面的持续优化。若公司不能保持
技术创新,不能敏锐地捕捉行业、产品的发展趋势并实现技术和产品升级、适时
开发出符合市场需求的产品,可能会削弱公司的竞争力,对公司的发展造成不利
影响。


(六)新冠疫情防控波动风险

当前,全球疫情形势仍处于演变期,部分国家或地区疫情出现新变化,存在
输入性的疫情影响风险,国内局部地区疫情因输入性因素影响出现反复及扩散,


部分地区疫情防控形势仍然较为严峻。2021年7月扬州市爆发新冠疫情,8月扬
州主城区全部实行封控管理,疫情爆发以来子公司扬州乾照采取多种措施稳定生
产经营,但其生产经营活动仍受到一定影响,进而对公司整体的经营和销售产生
短期不利影响。


五、财务风险

(一)偿债风险

截至2018年末、2019年末、2020年末及2021年9月末,公司合并口径的
资产负债率分别为54.75%、62.29%、62.13%及58.95%,负债总额分别为
349,339.63万元、429,731.87万元、386,031.09万元及364,510.40万元。公司资
产负债率整体处于较高水平,面临一定的债务本息偿还压力,若公司未来经营过
程中出现营运资金不足的情形,将给公司带来一定的偿债风险。


(二)应收账款回收风险

截至2018年末、2019年末、2020年末及2021年9月末,公司应收账款账
面价值分别为56,301.01万元、69,533.10万元、77,422.42万元及84,128.59万元。

尽管公司已制定完善的应收账款管理制度及催收机制,并已按会计准则要求充分
计提坏账,但仍然有可能受一些无法预计的因素影响,产生应收账款无法收回的
风险。


(三)毛利率风险

2018年度、2019年度、2020年度及2021年1-9月,公司实现综合毛利率分
别为29.17%、7.64%、6.72%及26.95%。若公司所处的行业竞争加剧,导致LED
外延片芯片市场销售价格下降,或者因公司未能有效控制成本等方面影响,可能
造成公司盈利能力下降,导致公司毛利率下降的风险。


(四)存货风险

2018年末、2019年末及2020年末,公司存货账面价值分别为44,655.65万
元、45,564.98万元及36,673.24万元,占各期末流动资产的比例分别为16.90%、
16.20%及16.10%。2018年度、2019年度和2020年度,公司分别计提存货跌价
准备1,135.91万元、15,024.71万元和10,568.61万元。公司计提的存货跌价准备,


主要为库存商品跌价准备。近年来由于LED外延片及芯片市场竞争激烈,市场
价格呈现下降的行业趋势,公司遵从谨慎性原则,在各资产负债表日计提一定比
例的存货跌价准备,以确保存货账面价值的准确性。公司期末存货金额较大,若
未来LED外延片芯片市场销售价格继续下降,公司存货将面临减值风险,将会
对公司的经营业绩产生不利影响。


(五)财务资金的融资风险

随着公司主营业务的不断发展,公司需投入大量资金进行项目建设和日常经
营,面临一定的资金压力,若国家宏观经济形势、信贷政策和资本市场发生重大
变化或调整,可能导致公司融资受限,造成经营资金短缺,从而对公司的生产经
营产生不利影响。


六、股票价格波动的风险

公司股票价格除受公司经营状况、财务状况等基本面因素影响外,还会受到
政治、宏观经济形势、经济政策或法律变化、股票供求关系、投资者心理预期以
及其他不可预测因素的影响。因此,对于发行人股东而言,本次发行完成后,发
行人二级市场股价存在若干不确定性,若股价表现低于预期,则投资者将面临遭
受投资损失的风险。


七、发行风险

本次向特定对象发行股票数量、拟募集资金量较大,本次向特定对象发行股
票的所有发行对象合计不超过35名(含35名),均以现金方式认购。本次向特
定对象发行的发行结果将受到证券市场整体情况、公司股票价格走势、投资者对
本次发行方案的认可程度等多种内外部因素的影响。因此,本次发行存在发行募
集资金不足的风险。如果募集资金不足甚至发行失败,公司募集资金投资项目无
法按照预期计划投入实施,会对公司盈利能力的提升和未来发展战略的实现造成
一定程度的不利影响。


八、审批风险

本次发行已通过深交所审核,尚需经中国证监会同意注册后方可实施,能否
注册以及最终注册的时间均存在不确定性。



第六节 与本次发行相关的声明

一、全体董事、监事和高级管理人员声明

本公司及全体董事、监事、高级管理人员承诺本募集说明书内容真实、准确、
完整,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,按照诚信原则履行承诺,并承
担相应的法律责任。


全体董事签名:















金张育



蔡海防



王福林















陶 冶



陈 忠



罗 斌















张瑞根









全体监事签名:















王梅芬



孙茂连



魏海明

全体高级管理人员签字:















蔡海防



叶惠娟



张先成















刘文辉



刘 兆











厦门乾照光电股份有限公司

年 月 日

1-1-97






1-1-98




1-1-99


二、保荐机构声明

本公司已对募集说明书进行了核查,确认本募集说明书内容真实、准确、完
整,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担相应的法律责任。


保荐代表人:







林 琳











王成亮



项目协办人:







陈 文









法定代表人:







张佑君













中信证券股份有限公司

年 月 日


保荐机构董事长声明

本人已认真阅读募集说明书的全部内容,确认募集说明书不存在虚假记载、
误导性陈述或者重大遗漏,并对募集说明书的真实性、准确性、完整性、及时性
承担相应法律责任。






董事长:

张佑君











中信证券股份有限公司

年 月 日




保荐机构总经理声明

本人已认真阅读募集说明书的全部内容,确认募集说明书不存在虚假记载、
误导性陈述或者重大遗漏,并对募集说明书的真实性、准确性、完整性、及时性
承担相应法律责任。






总经理:

杨明辉











中信证券股份有限公司

年 月 日




三、律师事务所声明

本所及经办律师已阅读募集说明书,确认募集说明书内容与本所出具的法律
意见书不存在矛盾。本所及经办律师对发行人在募集说明书中引用的法律意见书
的内容无异议,确认募集说明书不因引用上述内容而出现虚假记载、误导性陈述
或重大遗漏,并承担相应的法律责任。




经办律师:

















李 彤



郭里铮











蔡顺梅



高 鹏







律师事务所负责人:













姚仲凯













国浩律师(福州)事务所

年 月 日




四、会计师事务所声明

本所及签字注册会计师已阅读募集说明书,确认募集说明书内容与本所出具
的审计报告等文件不存在矛盾。本所及签字注册会计师对发行人在募集说明书中
引用的审计报告等文件的内容无异议,确认募集说明书不因引用上述内容而出现
虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担相应的法律责任。




签字注册会计师:





















张慧玲



周俊超



黄卉





会计师事务所负责人签字:











肖厚发





容诚会计师事务所(特殊普通合伙)

年 月 日










五、发行人董事会声明

(一)董事会关于除本次发行外未来十二个月内是否有其他股权融资计划的声


除本次发行外,在未来十二个月内,公司董事会将根据公司资本结构、业务
发展情况,考虑公司的融资需求以及资本市场发展情况综合确定是否安排其他股
权融资计划。


(二)董事会关于本次发行摊薄即期回报的相关承诺及兑现回报的具体措施

公司董事会就本次向特定对象发行股票事项对即期回报摊薄影响进行了认
真分析,并提出了填补回报措施,具体如下:

1、公司应对本次向特定对象发行摊薄即期回报采取的措施

为保护广大投资者的合法权益,降低本次向特定对象发行可能摊薄即期回报
的影响,公司拟采取多种措施保证本次向特定对象发行募集资金有效使用、有效
防范即期回报被摊薄的风险。公司填补即期回报的具体措施如下:

(1)加强公司业务发展,提升公司盈利能力

公司是国内领先的LED外延片及芯片制造商,主要从事半导体光电产品的
研发、生产和销售业务,主要产品包括LED外延片及芯片等。公司将充分借助
LED行业的发展机遇,立足自身技术和产品优势,保持并进一步发展公司核心
业务,提升公司盈利能力,以降低本次发行摊薄即期回报的影响。


(2)加快募投项目进度,早日实现预期收益

公司将积极推动本次募投项目的建设,争取使募投项目早日投产,并严格控
制生产流程,保证产品质量,通过积极的市场开拓措施使募投项目尽快发挥经济
效益,回报投资者。


(3)保证本次募集资金合理规范有效使用

本次募集资金投资项目紧紧围绕公司主营业务,本次向特定对象发行股票有
利于扩大公司整体规模,优化产品结构并扩大市场份额,改善公司资本结构,增
强公司资金实力,进一步提升公司核心竞争力和可持续发展能力,维护股东的长


远利益。


本次发行募集资金到位后,公司将加快推进募投项目建设,争取募投项目早
日达产并实现预期效益。同时,公司将严格按照《上市公司监管指引2号——上
市公司募集资金管理和使用的监管要求》(证监会公告第44号)、《深圳证券交易
所创业板股票上市规则(2020年12月修订)》(深证上〔2020〕1292号)、《深圳
证券交易所创业板上市公司规范运作指引(2020年修订)》(深证上〔2020〕499
号)及公司《募集资金使用管理办法》等有关规定,规范募集资金使用,保证募
集资金充分有效利用。公司董事会将持续监督募集资金专户存储情况、保障募集
资金用于规定的用途、配合保荐机构等对募集资金使用的检查和监督,以保证募
集资金合理规范使用,防范募集资金使用风险,提高募集资金使用效率。


(4)不断完善利润分配制度特别是现金分红政策,强化投资者回报机制

公司将持续根据国务院《关于进一步加强资本市场中小投资者合法权益保护
工作的意见》(国办发〔2013〕110号)、中国证监会《关于进一步落实上市公司
现金分红有关事项的通知》(证监发〔2012〕37号)和《上市公司监管指引第3
号——上市公司现金分红》(证监会公告〔2013〕43号)的有关要求,严格执行
《公司章程》规定的现金分红政策,在公司主营业务健康发展的过程中,给予投
资者持续稳定的回报。同时,公司将根据外部环境变化及自身经营活动需求,综
合考虑中小股东的利益,对现有的利润分配制度及现金分红政策及时进行完善,
以强化投资者回报机制,保障中小股东的利益。


(5)不断提升公司治理水平,为公司发展提供制度保障

公司将严格遵循《公司法》、《证券法》等法律法规和规范性文件的要求,不
断完善公司治理结构,确保股东能够充分行使权利,确保董事会能够按照法律、
法规和《公司章程》的规定行使职权,作出科学、迅速和谨慎的决策,确保独立
董事能够认真履行职责,维护公司整体利益,尤其是中小股东的合法权益,确保
监事会能够独立有效地行使对董事、经理和其他高级管理人员及公司财务的监督
权和检查权,为公司发展提供制度保障。



2、公司全体董事、高级管理人员关于确保公司填补回报措施得到切实履行
的公开承诺

根据国务院发布的《国务院关于进一步促进资本市场健康发展的若干意见》
(国发〔2014〕17号)、《国务院办公厅关于进一步加强资本市场中小投资者合
法权益保护工作的意见》(国办发〔2013〕110号)以及中国证监会发布的《关
于首发及再融资、重大资产重组摊薄即期回报有关事项的指导意见》(证监会公
告〔2015〕31号),为保障公司本次向特定对象发行股票摊薄即期回报填补措施
能够得到切实履行和维护中小投资者利益,公司全体董事、高级管理人员就公司
本次向特定对象发行摊薄即期回报采取填补措施作出了如下承诺:

(1)本人承诺不无偿或以不公平条件向其他单位或者个人输送利益,也不
采用其他方式损害公司利益;

(2)本人承诺对职务消费行为进行约束;

(3)本人承诺不动用公司资产从事与其履行职责无关的投资、消费活动;

(4)本人承诺由董事会或提名与薪酬委员会制定的薪酬制度与公司填补回
报措施的执行情况相挂钩;

(5)若公司后续推出公司股权激励计划,本人承诺拟公布的公司股权激励
的行权条件与公司填补回报措施的执行情况相挂钩。


本承诺函出具日后,如中国证券监督管理委员会、深圳证券交易所等证券监
管机构就填补回报措施及其承诺作出另行规定或提出其他要求的,本人承诺届时
将按照最新规定出具补充承诺。


作为填补回报措施相关责任主体之一,本人若违反上述承诺或拒不履行上述
承诺,同意中国证监会和深圳证券交易所等证券监管机构按照其发布的有关规
定、规则,对本人作出相关处罚或采取相关管理措施。


(以下无正文)




(本页无正文,为本募集说明书《第六节 与本次发行相关的声明之“五、
发行人董事会声明”》之盖章页)









厦门乾照光电股份有限公司

董事会

年 月 日






附件一:

发行人及控股子公司专利清单

(截至2021年9月30日)

序号

专利号

授权公告
日期

专利名称

专利类型

专利权人

1

ZL200810072025.7

2010-8-18

具有反射层的三结太阳电池及其制造方法

发明专利

乾照光电

2

ZL200810072027.6

2010-6-9

一种改良电流扩展层结构的高效发光二极管
及其制造方法

发明专利

乾照光电

3

ZL200810072030.8

2011-9-28

一种生长高质量单晶氮化铟薄膜的方法

发明专利

乾照光电

4

ZL200810072162.0

2011-3-23

一种高亮度发光二极管及其制造方法

发明专利

乾照光电

5

ZL200810072165.4

2011-11-2

一种具界面粗化的发光二极管及其制作方法

发明专利

乾照光电

6

ZL200910112669.9

2011-3-30

多结太阳能电池及各子电池交流电致发光测
试方法和装置

发明专利

乾照光电

7

ZL201010140053.5

2014-5-7

一种发光二极管结构及其制造方法

发明专利

乾照光电

8

ZL201010140070.9

2013-6-12

掩埋式高亮度发光二极管结构

发明专利

乾照光电

9

ZL201110132001.8

2014-7-30

脉冲气流法生长GaP电流扩展层的方法

发明专利

乾照光电

10

ZL201110132005.6

2014-4-16

高聚光倍数太阳能电池的散热器及制造方法

发明专利

乾照光电

11

ZL201210319019.3

2015-5-27

分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三
维电极

发明专利

乾照光电

12

ZL201310443689.0

2016-7-27

一种近红外发光二极管的外延结构、生长工
艺及芯片工艺

发明专利

乾照光电

13

ZL201310489600.4

2017-4-26

一种发光二极管结构

发明专利

乾照光电

14

ZL201410000665.2

2017-2-22

一种发光二极管及其制造方法

发明专利

乾照光电

15

ZL201410015583.5

2016-10-26

近红外发光二极管及其制造方法

发明专利

乾照光电

16

ZL201410391491.7

2017-2-15

一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化
方法

发明专利

乾照光电

17

ZL201410391547.9

2017-5-24

一种具有多粗化层的红外发光二极管

发明专利

乾照光电

18

ZL201410391579.9

2017-3-29

一种高晶体质量红外发光二极管

发明专利

乾照光电

19

ZL201410457030.5

2017-4-26

一种大功率红外发光二极管

发明专利

乾照光电

20

ZL201410457188.2

2017-6-16

一种大功率红外发光二极管制作方法

发明专利

乾照光电

21

ZL201410477195.9

2017-4-26

一种高效率柔性薄膜太阳能电池

发明专利

乾照光电

22

ZL201410477236.4

2017-6-6

一种高效的衬底剥离方法

发明专利

乾照光电

23

ZL201410477241.5

2017-4-26

一种衬底可剥离的外延结构及其应用

发明专利

乾照光电

24

ZL201410477359.8

2016-10-26

一种高效率柔性薄膜太阳能电池制造方法

发明专利

乾照光电

25

ZL201410551209.7

2017-2-15

一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法

发明专利

乾照光电

26

ZL201410551438.9

2017-6-6

一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外
延结构

发明专利

乾照光电




序号

专利号

授权公告
日期

专利名称

专利类型

专利权人

27

ZL201410551477.9

2018-1-26

一种具有电极出光的发光二极管

发明专利

乾照光电

28

ZL201410551495.7

2017-4-26

一种衬底可重复利用的外延结构制作方法

发明专利

乾照光电

29

ZL201410551529.2

2017-6-16

一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构

发明专利

乾照光电

30

ZL201410551543.2

2017-3-29

一种具有电极出光的发光二极管制作方法

发明专利

乾照光电

31

ZL201410551820.X

2017-2-15

一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED
外延结构生长方法

发明专利

乾照光电

32

ZL201410599879.6

2017-2-1

一种提高发光效率的GaN基LED外延片制
备方法

发明专利

乾照光电

33

ZL201410666590.1

2017-3-29

一种高发光效率的高压发光二极管

发明专利

乾照光电

34

ZL201410666659.0

2017-2-22

一种高发光效率的高压发光二极管制作方法

发明专利

乾照光电

35

ZL201510122251.1

2018-1-9

一种具有立体发光结构的高压发光二极管

发明专利

乾照光电

36

ZL201510122849.0

2017-6-16

一种具有立体发光结构的高压发光二极管制
作方法

发明专利

乾照光电

37

ZL201510570377.5

2017-9-1

可提高发光二极管发光效率的微光学传输系
统的制作方法

发明专利

乾照光电

38

ZL201510570680.5

2017-10-27

一种具有微光学传输系统的发光二极管

发明专利

乾照光电

39

ZL201510627550.0

2017-9-1

一种氮化物系发光二极管

发明专利

乾照光电

40

ZL201510649507.4

2017-9-5

一种蓝绿发光二极管芯片制作工艺

发明专利

乾照光电

41

ZL201510649958.8

2017-12-26

一种蓝绿发光二极管芯片

发明专利

乾照光电

42

ZL201510751194.3

2018-1-30

一种LED芯片及LED芯片的制备方法

发明专利

乾照光电

43

ZL201510764604.8

2017-12-26

一种集成多孔状反射层的发光二极管

发明专利

乾照光电

44

ZL201510765253.2

2017-11-21

一种集成多孔状反射层的发光二极管制作方


发明专利

乾照光电

45

ZL201510774057.1

2018-6-22

一种发光表面有周期性图案的高光效倒装
LED的制作方法

发明专利

乾照光电

46

ZL201510905411.X

2017-11-28

一种提高深紫外发光二极管P型激活效率的
方法

发明专利

乾照光电

47

ZL201510912074.7

2017-10-31

一种具有高发光效率的发光二极管的制作方


发明专利

乾照光电

48

ZL201510912084.0

2017-10-31

一种具有高发光效率的发光二极管

发明专利

乾照光电

49

ZL201510912092.5

2017-9-15

一种倒装蓝绿发光二极管芯片的制备方法

发明专利

乾照光电

50

ZL201510912098.2

2017-10-31

一种倒装蓝绿发光二极管芯片

发明专利

乾照光电

51

ZL201510916691.4

2017-12-8

一种高效发光二极管芯片的简易制作方法

发明专利

乾照光电

52

ZL201610018937.0

2018-7-3

一种具有高可靠性透明导电层的发光二极管

发明专利

乾照光电

53

ZL201610071720.6

2018-1-30

能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的
LED芯片电极结构

发明专利

乾照光电

54

ZL201610098961.X

2017-12-8

提高氮化物发光二极管P型掺杂浓度的外延
生长方法

发明专利

乾照光电

55

ZL201610152153.7

2018-6-8

一种CSP封装芯片结构及制作方法

发明专利

乾照光电




序号

专利号

授权公告
日期

专利名称

专利类型

专利权人

56

ZL201610152156.0

2019-6-4

一种增加发光面积LED芯片结构及制作方


发明专利

乾照光电

57

ZL201610259089.2

2017-11-28

一种垂直结构发光二极管及其制作方法

发明专利

乾照光电

58

ZL201610273690.7

2018-9-4

一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延
片制作方法

发明专利

乾照光电

59

ZL201610273774.0

2018-1-26

一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管
制作方法

发明专利

乾照光电

60

ZL201610273817.5

2018-1-26

一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管

发明专利

乾照光电

61

ZL201610273818.X

2018-8-21

一种不易发生翘曲的大尺寸发光二极管外延


发明专利

乾照光电

62

ZL201610396403.1

2018-2-23

一种具有可剥离结构的GaN系发光二极管

发明专利

乾照光电

63

ZL201610396426.2

2018-1-26

一种具有可剥离结构的GaN系发光二极管
制作方法

发明专利

乾照光电

64

ZL201610425301.8

2018-3-20

一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管
外延生长方法

发明专利

乾照光电

65

ZL201610425669.4

2019-2-22

一种增加演色性的白光LED结构

发明专利

乾照光电

66

ZL201610425763.X

2018-6-1

一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管
外延结构

发明专利

乾照光电

67

ZL201610426652.0

2018-3-27

一种增加演色性的白光LED结构制作方法

发明专利

乾照光电

68

ZL201610426653.5

2018-6-29

一种LED及其制造方法

发明专利

乾照光电

69

ZL201610451334.X

2018-5-29

一种AC-LED芯片及其制造方法

发明专利

乾照光电

70

ZL201610456572.X

2018-8-17

一种集成可见光指示装置的紫外发光二极管
及其生产方法

发明专利

乾照光电

71

ZL201610458487.7

2019-2-19

增加ESD保护的LED芯片及其制造方法

发明专利

乾照光电

72

ZL201610557020.8

2019-6-25

一种具有二次谐振腔的半导体激光器

发明专利

乾照光电

73

ZL201610557039.2

2018-5-22

一种高压发光二极管及其制作方法

发明专利

乾照光电

74

ZL201610557040.5

2018-8-14

一种LED芯片的P电极结构、LED芯片结
构及其制造方法

发明专利

乾照光电

75

ZL201610557066.X

2018-7-13

一种LED芯片结构及其制造方法

发明专利

乾照光电

76

ZL201610557325.9

2018-6-19

一种用于发光二极管的AlN缓冲层及其制作
方法

发明专利

乾照光电

77

ZL201610557361.5

2018-5-25

一种提高ITO电流扩展的发光二极管及其制
作方法

发明专利

乾照光电

78

ZL201610557362.X

2016-7-15

一种紫外发光二极管的芯片结构制作方法

发明专利

乾照光电

79

ZL201610557362.X

2018-3-13

一种深紫外发光二极管的芯片结构及其制作
方法

发明专利

乾照光电

80

ZL201610557364.9

2018-9-4

一种增强光取出效率的LED芯片结构

发明专利

乾照光电

81

ZL201610557382.7

2018-9-21

一种量子点白光发光二极管

发明专利

乾照光电

82

ZL201610567049.4

2018-5-22

一种等腰梯形式发光二极管的制备工艺

发明专利

乾照光电

83

ZL201610770822.7

2018-7-27

一种光热电分离的倒装LED芯片及其制作
方法

发明专利

乾照光电




序号

专利号

授权公告
日期

专利名称

专利类型

专利权人

84

ZL201610788677.5

2018-5-22

一种提高发光二极管外延良率的生长方法

发明专利

乾照光电

85

ZL201710039107.0

2019-9-6

一种蓝绿发光二极管及其外延方法

发明专利

乾照光电

86

ZL201710053445.X

2019-4-5

一种LED及其制作方法

发明专利

乾照光电

87

ZL201710213823.6

2019-3-12

一种LED芯片及其制作方法

发明专利

乾照光电

88

ZL201710224742.6

2018-12-21

复合衬底及其制备方法、发光二极管芯片的
制备方法

发明专利

乾照光电

89

ZL201710292721.8

2020-5-1

一种发光二极管芯片

发明专利

乾照光电

90

ZL201710570324.2

2019-6-4

一种LED芯片及其制作方法

发明专利

乾照光电

91

ZL201710595928.2

2019-3-15

一种Micro LED芯片及其制作方法、Micro
LED阵列基板

发明专利

乾照光电

92

ZL201710596447.3

2019-2-22

一种发光二极管外延结构及其制作方法、发
光二极管

发明专利

乾照光电

93

ZL201710601402.0

2019-7-5

一种发光二极管的外延生长方法

发明专利

乾照光电

94

ZL201710613467.7

2019-10-18

一种LED芯片及其制作方法

发明专利

乾照光电

95

ZL201710718915.X

2019-3-15

发光二极管及其制作方法

发明专利

乾照光电

96

ZL201710719615.3

2019-9-6

一种LED芯片及其制作方法

发明专利

乾照光电

97

ZL201710719752.7

2019-4-19

一种发光二极管及其制作方法

发明专利

乾照光电

98

ZL201710720209.9

2019-3-15

一种LED外延结构及其制作方法

发明专利

乾照光电

99

ZL201710774112.6

2018-12-25

一种LED芯片及其制备方法

发明专利

乾照光电

100

ZL201710822147.2

2019-4-19

发光二极管及其制作方法

发明专利

乾照光电

101

ZL201710865321.1

2019-10-1

一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显
示装置

发明专利

乾照光电

102

ZL201710874072.2

2019-6-7

一种发光二极管及其制备方法

发明专利

乾照光电

103

ZL201710895982.9

2019-10-22

一种LED倒装芯片、制备方法及LED晶片

发明专利

乾照光电

104

ZL201710919143.6

2019-3-8

一种LED的外延结构及其制作方法

发明专利

乾照光电

105

ZL201711027161.X

2019-6-21

一种紫外LED及其制作方法

发明专利

乾照光电

106

ZL201711038374.2

2019-3-12

一种LED芯片及制作方法

发明专利

乾照光电

107

ZL201711103855.7

2019-4-30

一种发光二极管及其制备方法

发明专利

乾照光电

108

ZL201711122687.6

2019-3-12

一种Si衬底发光二极管及制作方法

发明专利

乾照光电

109

ZL201711158981.2

2019-11-5

一种具有高反射区和高导电区电极的发光二
极管芯片

发明专利

乾照光电

110

ZL201711187616.4

2019-8-6

一种提升LED性能的LED制备方法以及
LED芯片

发明专利

乾照光电

111

ZL201810003282.9

2019-5-10

太阳能电池及其制作方法

发明专利

乾照光电

112

ZL201810029288.3

2019-9-27

一种发光二极管及其制备方法

发明专利

乾照光电

113

ZL201810048032.7

2021-1-22

一种发光二极管及其制备方法

发明专利

乾照光电




序号

专利号

授权公告
日期

专利名称

专利类型

专利权人

114

ZL201810083427.0

2020-7-31

一种光刻胶监控方法

发明专利

乾照光电

115

ZL201810088067.3

2020-5-19

一种垂直结构发光二极管及其制作方法

发明专利

乾照光电

116

ZL201810088382.6

2019-5-14

一种LED芯片结构的制作方法

发明专利

乾照光电

117

ZL201810256911.9

2020-11-3

一种具有水平桥接结构的高压发光二极管及
其制作方法

发明专利

乾照光电

118

ZL201810282133.0

2019-12-6

一种LED芯片及制作方法

发明专利

乾照光电

119

ZL201810743952.0

2020-1-31

Micro-LED巨量转移方法、显示装置及制作
方法

发明专利

乾照光电

120

ZL201810777949.0

2021-2-2

一种LED结构及其制作方法

发明专利

乾照光电

121

ZL201810842674.4

2020-6-19

一种LED芯片及其制作方法

发明专利

乾照光电

122

ZL201810939754.1

2020-11-24

一种发光二极管及制作方法

发明专利

乾照光电

123

ZL201811136724.3

2020-8-25

一种倒装LED芯片及其制作方法

发明专利

乾照光电

124

ZL201811145384.0

2021-1-22

一种溅射靶材的清洁方法及装置

发明专利

乾照光电

125

ZL201811209401.2

2020-4-17

一种封装组件

发明专利

乾照光电

126

ZL201811268052.1

2020-11-24

Micro LED阵列器件的巨量转移装置及相关
方法

发明专利

乾照光电

127

ZL201811306910.7

2021-1-22

一种LED外延片的选片方法

发明专利

乾照光电

128

ZL201910106878.6

2020-8-14

一种高压LED芯片结构制造方法

发明专利

乾照光电

129

ZL201910137304.5

2020-8-14

一种LED芯片及其制造方法

发明专利

乾照光电

130

ZL201910316241.X

2020-5-1

一种大功率紫外发光二极管及其制作方法

发明专利

乾照光电

131

ZL201910428186.3

2020-7-28

垂直结构芯片及制作方法

发明专利

乾照光电

132

ZL201910428995.4

2021-1-22

具有双面水平桥接结构的高压发光二极管及
其制作方法

发明专利

乾照光电

133

ZL201910501543.4

2020-8-28

一种PVD溅射设备、LED器件及其制作方


发明专利

乾照光电

134

ZL201910501546.8

2021-3-16

一种薄膜生长组件、方法和LED制备方法

发明专利

乾照光电

135

ZL201910588755.0

2020-12-4

一种倒装发光二极管芯片及其制作方法

发明专利

乾照光电

136

ZL201910588778.1

2020-9-4

一种Mirco LED阵列基板及其制作方法

发明专利

乾照光电

137

ZL201910784793.3

2020-12-4

一种LED芯片

发明专利

乾照光电

138

ZL201910859367.1

2021-1-22

一种LED芯片及其制作方法

发明专利

乾照光电

139

ZL201911015317.1

2020-10-23

发光二极管芯片及发光二极管芯片的制造方


发明专利

乾照光电

140

ZL201911085646.3

2020-11-24

一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管
及制作方法

发明专利

乾照光电

141

ZL201911366643.7

2021-2-26

一种发光二极管及其制作方法

发明专利

乾照光电

142

ZL202010396450.2

2021-3-23

一种垂直高压发光二极管芯片及其制作方法

发明专利

乾照光电

143

ZL201510627355.8

2018-1-5

一种氮化物系发光二极管的外延生长方法

发明专利

江西乾照




序号

专利号

授权公告
日期

专利名称

专利类型

专利权人

144

ZL201510703819.9

2018-1-16

一种具有高扩展效应的发光二极管的制作方


发明专利

江西乾照

145

ZL201711023423.5

2019-6-4

一种发光二极管及制作方法

发明专利

江西乾照

146

ZL201910011515.4

2020-5-29

一种具有极性反转层的LED外延结构及制
作方法

发明专利

江西乾照

147

ZL201910515852.7

2020-11-20

一种低缺陷密度LED外延结构及其制作方


发明专利

江西乾照

148

ZL201410338035.6

2017-9-26

一种具有防扩层的发光二极管及其制造方法

发明专利

乾照半导体

149

ZL201410391548.3

2017-3-29

一种高晶体质量红外发光二极管的外延生长
方法

发明专利

乾照半导体

150

ZL201510763780.X

2017-12-5

一种倒置结构太阳能电池制作方法

发明专利

乾照半导体

151

ZL201910482070.8

2020-3-24

一种VCSEL芯片制备方法

发明专利

乾照半导体

152

ZL201910495765.X

2020-5-1

一种具有高功率的VCSEL芯片及其制备方


发明专利

乾照半导体

153

ZL201910709888.9

2020-8-11

一种巨量转印方法及巨量转印装置

发明专利

乾照半导体

154

ZL201911017403.6

2021-3-9

基于柔性衬底的半导体外延结构、VCSEL及
制作方法

发明专利

乾照半导体

155

ZL201610559507.X

2019-8-16

一种LED平板灯散热结构

发明专利

乾照照明

156

ZL201610669257.5

2018-9-21

一种LED高杆灯

发明专利

乾照照明

157

ZL201710555609.9

2019-11-26

一种LED灯

发明专利

乾照照明

158

ZL200910181236.9

2011-1-5

一种发光二极管

发明专利

扬州乾照

159

ZL200910181238.8

2011-4-20

一种高效太阳电池的制备方法

发明专利

扬州乾照

160

ZL201110371287.5

2014-3-19

LED外延生长装置

发明专利

扬州乾照

161

ZL201210263198.3

2014-7-16

低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的
外延片及其制备方法

发明专利

扬州乾照

162

ZL201310152437.2

2015-8-26

一种基于图形化锗衬底的三结太阳能电池及
其制备方法

发明专利

扬州乾照

163

ZL201310152440.4

2015-6-24

一种图形化的太阳能电池用Ge衬底湿法化
学制备方法

发明专利

扬州乾照

164

ZL201310495976.6

2016-2-10

一种柔性多结GaAs太阳电池及其制备方法

发明专利

扬州乾照

165

ZL201410355102.5

2017-5-3

一种反极性AlGaInP基发光二极管及其制造
方法

发明专利

扬州乾照

166

ZL201410538800.9

2017-1-25

具有新型扩展电极结构的发光二极管及其制
造方法

发明专利

扬州乾照

167

ZL201410538801.3

2018-2-27

一种含掺杂宽势垒结构的黄绿光LED

发明专利

扬州乾照

168

ZL201410538803.2

2017-7-4

具有分布式导电孔结构的发光二极管及其制
造方法

发明专利

扬州乾照

169

ZL201510061354.1

2017-7-18

一种高亮度发光二极管及其制造方法

发明专利

扬州乾照

170

ZL201510061355.6

2017-8-25

一种双反射镜结构的发光二极管及其制造方


发明专利

扬州乾照

171

ZL201510061407.X

2017-5-24

一种高效电流注入发光二极管及其生产方法

发明专利

扬州乾照




序号

专利号

授权公告
日期

专利名称

专利类型

专利权人

172

ZL201510061504.9

2017-10-17

一种近红外发光二极管及其生产方法

发明专利

扬州乾照

173

ZL201510143508.1

2017-2-1

一种具有表面粗化结构的三结GaAs太阳电
池的制备方法

发明专利

扬州乾照

174

ZL201510614489.6

2017-10-17

倒置结构的双面受光GaAs多结太阳电池及
其制备方法

发明专利

扬州乾照

175

ZL201510653644.5

2019-5-10

侧壁粗化的AlGaInP基LED及其制造方法

发明专利

扬州乾照

176

ZL201510960558.9

2019-6-21

GaP表面粗化的AlGaInP基LED及其制造方


发明专利

扬州乾照

177

ZL201610062060.5

2017-7-14

高比功率GaAs多结柔性薄膜太阳电池及其
制备方法

发明专利

扬州乾照

178

ZL201610179568.3

2018-1-19

一种砷化镓基底低亮度黄光发光二极管芯片
及其制作方法

发明专利

扬州乾照

179

ZL201610191079.X

2017-11-28

一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片
及其制作方法

发明专利

扬州乾照

180

ZL201610216232.X

2019-11-22

表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基LED及
其制造方法

发明专利

扬州乾照

181

ZL201610291800.2

2018-8-7

一种四元系LED芯片的生产工艺

发明专利

扬州乾照

182

ZL201610359079.6

2017-11-28

一种LED晶圆劈裂方法

发明专利

扬州乾照

183

ZL201610385591.8

2018-8-28

一种高亮度反极性的AlGaInP基发光二极管
晶圆及其制造方法

发明专利

扬州乾照

184

ZL201610725210.6

2018-4-13

一种水平电极倒装红光LED芯片及其制备
方法

发明专利

扬州乾照

185

ZL201710220395.X

2019-8-27

一种LED晶圆快速退火炉的校温方法

发明专利

扬州乾照

186

ZL201710243037.0

2019-5-24

一种正极性高亮度AlGaInP发光二极管及其
制造方法

发明专利

扬州乾照

187

ZL201710300772.0

2018-12-11

一种无台阶电极结构的CSP芯片及其制造方


发明专利

扬州乾照

188

ZL201710398692.3

2018-12-11

一种改善发光角度的芯片及其制作方法

发明专利

扬州乾照

189

ZL201710573839.8

2019-5-24

一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制
造方法

发明专利

扬州乾照

190

ZL201710743438.2

2019-10-1

一种太阳能电池及其制作方法

发明专利

扬州乾照

191

ZL201710743511.6

2019-6-21

一种AlGaInP基发光二极管及其制造方法

发明专利

扬州乾照

192

ZL201710891443.8

2019-7-16

一种LED芯片及其制备方法

发明专利

扬州乾照

193

ZL201710934676.1

2020-10-27

一种切割方法

发明专利

扬州乾照

194

ZL201710936670.8

2019-6-25

一种LED芯片及其制备方法

发明专利

扬州乾照

195

ZL201710971626.0

2019-7-5

一种SiO2薄膜的沉积方法以及基板

发明专利

扬州乾照

196

ZL201711021650.4

2020-4-10

一种发光二极管及其制造方法

发明专利

扬州乾照

197

ZL201711048315.3

2019-6-4

一种四元系透明衬底发光二极管及其制作方


发明专利

扬州乾照

198

ZL201711135454.X

2020-3-31

一种芯片的制作方法

发明专利

扬州乾照

199

ZL201711144430.0

2019-8-2

一种黄绿光发光二极管及制作方法

发明专利

扬州乾照




序号

专利号

授权公告
日期

专利名称

专利类型

专利权人

200

ZL201711158970.4

2020-7-3

一种无介质膜的倒装发光二极管芯片及其制
作方法

发明专利

扬州乾照

201

ZL201711159239.3

2020-2-21

一种稳定光谱能量分布的LED晶圆测试方


发明专利

扬州乾照

202

ZL201711227890.X

2019-5-3

一种AlGaInP发光二极管及其制作方法

发明专利

扬州乾照

203

ZL201711341781.0

2019-8-27

一种LED芯片的制备方法及LED芯片

发明专利

扬州乾照

204

ZL201810001838.0

2020-1-31

一种LED芯片、制备方法及LED晶片

发明专利

扬州乾照

205

ZL201810072001.5

2020-3-6

一种柔性太阳能电池及其制备方法

发明专利

扬州乾照

206

ZL201810072168.1

2019-6-7

一种LED芯片及其制作方法

发明专利

扬州乾照

207

ZL201810072169.6

2020-11-17

一种柔性LED芯片及其制作方法、封装方法

发明专利

扬州乾照

208

ZL201810076695.X

2020-1-31

一种柔性薄膜太阳能电池及其制作方法

发明专利

扬州乾照

209

ZL201810076710.0

2020-5-22

一种热电分流垂直结构LED芯片及其制作
方法

发明专利

扬州乾照

210

ZL201810082637.8

2019-5-21

一种具有光导薄膜结构的LED芯片及制作
方法

发明专利

扬州乾照

211

ZL201810082638.2

2019-6-4

一种具有电极导光结构的LED芯片及制作
方法

发明专利

扬州乾照

212

ZL201810088091.7

2019-6-4

一种LED芯片显示模组及制作方法

发明专利

扬州乾照

213

ZL201810194286.X

2019-7-9

一种LED芯片及其窗口层的粗化方法

发明专利

扬州乾照

214

ZL201810234070.1

2020-3-10

一种LED芯粒及其制作方法

发明专利

扬州乾照

215

ZL201810259161.0

2020-6-2

一种具有布拉格反射镜的多结太阳能电池及
其制作方法

发明专利

扬州乾照

216

ZL201810296532.2

2021-2-23

一种LED芯片及其制作方法

发明专利

扬州乾照

217

ZL201810413637.1

2020-3-10

一种晶格失配的多结太阳能电池及其制作方


发明专利

扬州乾照

218

ZL201810552223.7

2020-5-22

基于石墨烯衬底的LED外延结构及生长方
法和LED

发明专利

扬州乾照

219

ZL201810676332.X

2020-6-12

DBR结构芯片及其制备方法

发明专利

扬州乾照

220

ZL201810676334.9

2019-11-26

隐藏式导电栅线结构芯片及其制备方法

发明专利

扬州乾照

221

ZL201810730358.8

2019-12-3

一种发光二极管及其制备方法

发明专利

扬州乾照

222

ZL201810731132.X

2020-7-28

一种VCSEL芯片及制作方法

发明专利

扬州乾照

223

ZL201810731832.9

2020-7-31

一种VCSEL阵列芯片及制作方法

发明专利

扬州乾照

224

ZL201810734423.4

2020-6-26

一种单腔体结构VCSEL芯片及其制作方法
和激光装置

发明专利

扬州乾照

225

ZL201810734565.0

2021-1-26

一种水平结构VCSEL芯片及其制作方法和
激光装置

发明专利

扬州乾照

226

ZL201810744377.6

2019-9-3

一种电容复合式LED芯片及其制作方法

发明专利

扬州乾照

227

ZL201810744767.3

2021-1-26

一种LED芯片及其切割方法

发明专利

扬州乾照

228

ZL201810843708.1

2020-4-17

一种多结太阳能电池及其制作方法

发明专利

扬州乾照




序号

专利号

授权公告
日期

专利名称

专利类型

专利权人

229

ZL201811145297.5

2021-3-12

一种晶格失配的多结太阳能电池及其制作方


发明专利

扬州乾照

230

ZL201811213828.X

2020-3-27

一种窗口层表面粗化的发光二极管及其制作
方法

发明专利

扬州乾照

231

ZL201811283379.6

2020-4-10

发光二极管的制造方法及发光二极管芯片

发明专利

扬州乾照

232

ZL201811285179.4

2021-1-22

一种表面粗化的LED芯片及其制作方法

发明专利

扬州乾照

233

ZL201811338529.9

2020-4-7

一种四元覆晶式LED结构及制作方法

发明专利

扬州乾照

234

ZL201811390736.9

2020-7-3

一种红光LED外延结构及制作方法

发明专利

扬州乾照

235

ZL201811390740.5

2021-1-22

一种激光外延结构及制作方法

发明专利

扬州乾照

236

ZL201811454596.7

2020-5-22

一种四元覆晶式LED结构及制作方法

发明专利

扬州乾照

237

ZL201811474280.4

2020-6-26

一种VCSEL芯片及其制作方法

发明专利

扬州乾照

238

ZL201910015307.1

2020-7-31

垂直腔面发射激光器外延结构及其制备方法

发明专利

扬州乾照

239

ZL201910058050.8

2020-6-30

一种柔性薄膜太阳电池及其制作方法

发明专利

扬州乾照

240

ZL201910066985.0

2021-2-2

VCSEL阵列芯片及其制作方法

发明专利

扬州乾照

241

ZL201910108643.0

2020-11-24

一种砷化物多结太阳能电池及其制作方法

发明专利

扬州乾照

242

ZL201910185893.4

2020-7-24

一种二极管芯片及其制备方法

发明专利

扬州乾照

243

ZL201910531644.6

2020-11-17

一种晶格失配多结太阳能电池

发明专利

扬州乾照

244

ZL201911086852.6

2021-2-2

一种发光二极管及其制作方法

发明专利

扬州乾照

245

ZL201120330268.3

2012-4-25

发光二极管结构

实用新型

乾照光电

246

ZL201120350131.4

2012-5-9

一种发光二极管的外延结构

实用新型

乾照光电

247

ZL201120350402.6

2012-6-20

一种发光二极管

实用新型

乾照光电

248

ZL201220224646.4

2013-1-2

具有调制掺杂电流扩展层的发光二极管

实用新型

乾照光电

249

ZL201220239183.9

2012-12-19

一种具有双外延结构的AlGaInP系的发光二
极管

实用新型

乾照光电

250

ZL201220294751.5

2013-3-20

一种宽带隙多异质结隧穿结结构

实用新型

乾照光电

251

ZL201220374252.7

2013-3-13

一种采用N型衬底的发光二极管

实用新型

乾照光电

252

ZL201220399941.3

2013-3-13

一种倒置三结太阳能电池

实用新型

乾照光电

253

ZL201320385842.4

2013-12-18

一种亮度一致的LED灯条

实用新型

乾照光电

254

ZL201320418420.2

2014-1-8

一种LED软灯条

实用新型

乾照光电

255

ZL201320480066.6

2014-4-16

一种高显指LED灯具

实用新型

乾照光电

256

ZL201320597060.7

2014-5-7

一种近红外发光二极管的外延结构

实用新型

乾照光电

257

ZL201320884641.9

2014-10-1

一种使用荧光粉模块激发的LED光源结构

实用新型

乾照光电

258

ZL201420392581.3

2015-2-4

一种具有防扩层的外延结构和发光二极管

实用新型

乾照光电

259

ZL201420493641.0

2015-1-14

一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管

实用新型

乾照光电




序号

专利号

授权公告
日期

专利名称

专利类型

专利权人

260

ZL201420516772.6

2015-3-4

一种大功率红外发光二极管

实用新型

乾照光电

261

ZL201420516924.2

2015-2-4

一种具有高可靠性电极的红外发光二极管

实用新型

乾照光电

262

ZL201420536931.9

2015-4-1

衬底可剥离外延结构、太阳能电池及发光二
极管外延结构

实用新型

乾照光电

263

ZL201420537161.X

2015-2-4

一种高效率柔性薄膜太阳能电池

实用新型

乾照光电

264

ZL201420601588.1

2015-2-18

一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED
外延结构

实用新型

乾照光电

265

ZL201520562302.8

2015-12-16

一种发光二极管失效分析解剖装置

实用新型

乾照光电

266

ZL201520783121.8

2016-3-23

一种大尺寸发光二极管

实用新型

乾照光电

267

ZL201520893875.9

2016-4-6

一种倒置结构太阳能电池

实用新型

乾照光电

268

ZL201520956955.4

2016-8-3

一种发光二极管芯片改进结构

实用新型

乾照光电

269

ZL201521024108.0

2016-6-8

一种具有高发光效率的发光二极管

实用新型

乾照光电

270

ZL201521024111.2

2016-5-11

一种倒装蓝绿发光二极管芯片

实用新型

乾照光电

271

ZL201521027641.2

2016-6-1

一种高效发光二极管芯片

实用新型

乾照光电

272

ZL201620057121.4

2016-8-31

一种具有电流阻挡层的发光二极管

实用新型

乾照光电

273

ZL201620140940.5

2016-8-3

一种高压LED

实用新型

乾照光电

274

ZL201620157950.X

2016-7-27

一种具有复合结构的氮化物缓冲层

实用新型

乾照光电

275

ZL201620196473.8

2016-10-12

采用金属纳米线电极的氮化镓基发光二极管

实用新型

乾照光电

276

ZL201620205188.8

2016-8-3

一种CSP封装芯片结构

实用新型

乾照光电

277

ZL201620205190.5

2016-8-3

一种增加发光面积LED芯片结构

实用新型

乾照光电

278

ZL201620209079.3

2016-8-31

一种具有侧壁微结构的氮化镓基发光二极管

实用新型

乾照光电

279

ZL201620277105.6

2016-9-21

一种具有表面增透层的氮化镓基发光二极管
芯片

实用新型

乾照光电

280

ZL201620282725.9

2016-10-12

一种正装GaN LED芯片

实用新型

乾照光电

281

ZL201620282727.8

2016-10-12

一种提高电流扩散的LED芯片

实用新型

乾照光电

282

ZL201620294098.0

2016-10-12

一种提高背光源亮度的衬底

实用新型

乾照光电

283

ZL201620337327.2

2016-10-12

一种氮化镓基发光二极管

实用新型

乾照光电

284

ZL201620343301.9

2016-10-12

一种正装LED发光二极管

实用新型

乾照光电

285

ZL201620373028.4

2016-11-23

一种增强注入型的发光二极管的外延结构

实用新型

乾照光电

286

ZL201820604683.5

2019-4-26

发光二极管的倒装芯片

实用新型

乾照光电

287

ZL201820743497.X

2019-3-12

发光二极管及其芯片

实用新型

乾照光电

288

ZL201820900114.5

2019-6-4

发光二极管的芯片及其量子阱结构

实用新型

乾照光电

289

ZL201820959204.1

2019-2-5

发光二极管的倒装芯片

实用新型

乾照光电

290

ZL201821130030.4

2019-3-12

用于发光二极管的半导体芯片

实用新型

乾照光电




序号

专利号

授权公告
日期

专利名称

专利类型

专利权人

291

ZL201821130101.0

2019-2-5

发光二极管的芯片

实用新型

乾照光电

292

ZL201821242998.6

2019-4-2

半导体发光芯片

实用新型

乾照光电

293

ZL201821256392.8

2019-6-4

倒装发光芯片

实用新型

乾照光电

294

ZL201821259151.9

2019-4-2

发光二极管的倒装芯片

实用新型

乾照光电

295

ZL201821295248.5

2019-7-9

发光二极管的半导体芯片及其电流扩展层

实用新型

乾照光电

296

ZL201821312794.5

2020-1-7

倒装发光芯片

实用新型

乾照光电

297

ZL201821518538.1

2019-6-4

发光二极管的半导体芯片及其量子阱层

实用新型

乾照光电

298

ZL201821652707.0

2019-6-4

发光芯片

实用新型

乾照光电

299

ZL201821866707.0

2019-11-29

发光二极管的半导体芯片

实用新型

乾照光电

300

ZL201821866919.9

2019-11-29

LED发光芯片

实用新型

乾照光电

301

ZL201822108601.0

2019-11-29

半导体芯片

实用新型

乾照光电

302

ZL201920009780.4

2019-11-26

发光芯片

实用新型

乾照光电

303

ZL201920009957.0

2019-11-29

半导体器件

实用新型

乾照光电

304

ZL201920036329.1

2019-10-8

正装半导体发光器件

实用新型

乾照光电

305

ZL201920191147.1

2019-10-8

半导体芯片

实用新型

乾照光电

306

ZL201920262354.1

2019-8-30

一种低氧化应力的VCSEL芯片

实用新型

乾照光电

307

ZL201921119037.0

2019-12-27

一种VCSEL激光器

实用新型

乾照光电

308

ZL201921464381.3

2020-2-11

一种LED外延片和半导体器件

实用新型

乾照光电

309

ZL201922386858.7

2020-8-14

一种Mini LED芯片

实用新型

乾照光电

310

ZL202020394826.1

2020-8-7

一种高压LED芯片结构

实用新型

乾照光电

311

ZL202022005109.8

2021-3-16

一种具有改性层的LED芯片

实用新型

乾照光电

312

ZL201820532211.3

2018-10-9

一种发光二极管

实用新型

江西乾照

313

ZL201820612660.9

2018-12-25

一种具有改善电极电迁移能力的发光二极管
芯片

实用新型

江西乾照

314

ZL201820695751.3

2018-11-20

改善金属迁移的芯片结构、发光二极管显示
屏和显示装置

实用新型

江西乾照

315

ZL201820749644.4

2018-11-23

一种双层绝缘层倒装芯片

实用新型

江西乾照

316

ZL201820750818.9

2018-11-23

一种LED芯片以及具有该LED芯片的微
LED显示面板

实用新型

江西乾照

317

ZL201820806163.2

2018-12-14

一种具有透明导电层复合膜组的LED芯片

实用新型

江西乾照

318

ZL201920621944.9

2019-9-27

一种LED的外延结构

实用新型

江西乾照

319

ZL201920882354.1

2020-3-31

一种带有极高垒层插入层的白光LED结构

实用新型

江西乾照

320

ZL201920904004.0

2019-11-22

一种底层带有凹纳米图形的LED外延结构

实用新型

江西乾照

321

ZL202020005747.7

2020-11-6

一种LED外延片

实用新型

江西乾照




序号

专利号

授权公告
日期

专利名称

专利类型

专利权人

322

ZL202020163745.0

2020-9-11

一种LED芯片

实用新型

江西乾照

323

ZL202020905482.6

2021-3-9

沉积设备

实用新型

江西乾照

324

ZL202020947487.5

2020-10-16

一种各向同谱且同步光衰的白光LED芯片

实用新型

江西乾照

325

ZL202022005943.7

2021-3-19

一种具有外延插入层的LED芯片

实用新型

江西乾照

326

ZL201821521503.3

2019-2-26

一种提升激光增益的VCSEL芯片

实用新型

乾照半导体

327

ZL201821526256.6

2019-3-1

一种集中电流注入的VCSEL芯片

实用新型

乾照半导体

328

ZL201821678368.3

2019-5-21

一种水平结构的垂直腔面发射激光器芯片及
激光器

实用新型

乾照半导体

329

ZL201821678406.5

2019-5-21

一种极小发散角的垂直腔面发射激光器芯片
及激光器

实用新型

乾照半导体

330

ZL201821678467.1

2019-5-21

一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及
激光器

实用新型

乾照半导体

331

ZL201821678879.5

2019-6-21

一种高频垂直腔面发射激光器芯片及激光器

实用新型

乾照半导体

332

ZL201821762280.X

2019-4-5

一种多光束垂直腔面发射激光芯片

实用新型

乾照半导体

333

ZL201821762316.4

2019-4-12

一种垂直腔面发射激光芯片

实用新型

乾照半导体

334

ZL201821785469.0

2019-4-9

延长使用寿命的VCSEL芯片和电子器件

实用新型

乾照半导体

335

ZL201822027324.0

2019-5-17

一种太阳能电池结构

实用新型

乾照半导体

336

ZL201822027777.3

2019-5-24

一种太阳能电池

实用新型

乾照半导体

337

ZL201822049213.X

2019-12-20

一种太阳电池芯片的包装结构

实用新型

乾照半导体

338

ZL201920164730.3

2019-8-6

一种具有ODR的倒装VCSEL芯片

实用新型

乾照半导体

339

ZL201920262266.1

2019-8-30

一种VCSEL阵列结构

实用新型

乾照半导体

340

ZL201920262683.6

2019-8-30

一种高密度VCSEL阵列结构

实用新型

乾照半导体

341

ZL201920518873.X

2019-10-8

一种电极具有开口的LED芯片结构

实用新型

乾照半导体

342

ZL201920625828.4

2019-9-27

一种垂直面射型的激光结构

实用新型

乾照半导体

343

ZL201920641885.1

2019-10-8

一种发光二极管

实用新型

乾照半导体

344

ZL201920729861.1

2019-10-18

一种垂直面射型的激光结构

实用新型

乾照半导体

345

ZL201921042737.4

2019-12-27

一种LED芯片

实用新型

乾照半导体

346

ZL201921120194.3

2020-2-7

一种大功率发光二极管

实用新型

乾照半导体

347

ZL201921192940.X

2019-12-31

一种Micro-LED芯片、显示设备

实用新型

乾照半导体

348

ZL201921225201.6

2019-12-31

一种具有高反射率复合膜的LED芯片

实用新型

乾照半导体

349

ZL201921278817.X

2020-3-24

发光二极管外延片、发光二极管、显示装置

实用新型

乾照半导体

350

ZL201921815585.7

2020-6-2

一种发光二极管芯片

实用新型

乾照半导体

351

ZL201921903164.X

2020-6-26

一种发光二极管

实用新型

乾照半导体

352

ZL201922086177.9

2020-6-2

一种高增益有源区及一种VCSEL

实用新型

乾照半导体




序号

专利号

授权公告
日期

专利名称

专利类型

专利权人

353

ZL201922086228.8

2020-7-21

一种具有非对称限制层的VCSEL

实用新型

乾照半导体

354

ZL201922121023.9

2020-6-2

基于红外及红色可见光应用的半导体发光结


实用新型

乾照半导体

355

ZL201922295572.8

2020-6-26

一种边发射激光器

实用新型

乾照半导体

356

ZL201922295603.X

2020-6-26

一种VCSEL芯片

实用新型

乾照半导体

357

ZL202020249562.0

2020-9-8

一种改性金锡电极、LED芯片

实用新型

乾照半导体

358

ZL202020263737.3

2020-9-8

高反射LED倒装芯片及其封装结构

实用新型

乾照半导体

359

ZL202020272944.5

2020-9-8

一种VCSEL芯片

实用新型

乾照半导体

360

ZL202020276602.0

2020-9-8

多波长LED外延结构、芯片

实用新型

乾照半导体

361

ZL202020308136.X

2020-9-8

具有多重限制隔离的VCSEL

实用新型

乾照半导体

362

ZL202020343582.4

2020-9-8

一种LED芯片

实用新型

乾照半导体

363

ZL202020443518.3

2020-9-8

一种红外发光二极管外延结构、芯片

实用新型

乾照半导体

364

ZL202020644813.5

2020-12-18

可用于微转移的微元件及显失装置

实用新型

乾照半导体

365

ZL202020660111.6

2020-9-11

一种LED结构

实用新型

乾照半导体

366

ZL202020699272.6

2020-11-24

可测试的微器件排列结构

实用新型

乾照半导体

367

ZL202020968389.X

2021-1-29

一种具有石墨烯导电膜的VCSEL

实用新型

乾照半导体

368

ZL202021673369.6

2021-1-29

一种用于LED晶圆制程的载盘

实用新型

乾照半导体

369

ZL202021997545.1

2021-2-2

可测试及微转移的微元件及显示装置

实用新型

乾照半导体

370

ZL202022069472.6

2021-2-5

一种VCSEL激光器

实用新型

乾照半导体

371

ZL201620339715.4

2016-11-23

一种LED路灯的光源安装结构及LED路灯

实用新型

乾照照明

372

ZL201620745483.2

2017-1-18

一种LED平板灯散热结构

实用新型

乾照照明

373

ZL201621171847.7

2017-5-24

一种减少LED颜色偏移及蓝光危害的结构

实用新型

乾照照明

374

ZL201621172212.9

2017-5-24

一种洗墙灯的灯体连接结构

实用新型

乾照照明

375

ZL201621173105.8

2017-4-26

一种防眩光LED高杆灯透镜

实用新型

乾照照明

376

ZL201720199097.2

2017-9-15

一种LED投光灯及其支架组件

实用新型

乾照照明

377

ZL201720199113.8

2017-9-19

一种LED灯管

实用新型

乾照照明

378

ZL201720199121.2

2017-11-3

一种线性投光灯

实用新型

乾照照明

379

ZL201720211641.0

2017-9-12

一种LED线条灯及其灯板

实用新型

乾照照明

380

ZL201720214027.X

2017-9-12

一种投光灯

实用新型

乾照照明

381

ZL201720826044.9

2018-2-13

一种LED灯

实用新型

乾照照明

382

ZL201720894824.7

2018-1-16

一种LED投光灯

实用新型

乾照照明

383

ZL201720963116.4

2018-1-26

一种LED洗墙灯

实用新型

乾照照明

384

ZL201720966412.X

2018-1-26

一种LED路灯

实用新型

乾照照明




序号

专利号

授权公告
日期

专利名称

专利类型

专利权人

385

ZL201721319453.6

2018-4-27

一种具备捕蚊虫功能的LED吸顶灯

实用新型

乾照照明

386

ZL201721319455.5

2018-4-27

一种多功能LED灯

实用新型

乾照照明

387

ZL201721366297.9

2018-5-1

一种透镜板材及照明灯具

实用新型

乾照照明

388

ZL201721396160.8

2018-7-27

一种LED玻璃幕墙

实用新型

乾照照明

389

ZL201820426489.2

2018-12-18

一种灯具

实用新型

乾照照明

390

ZL201220367669.0

2013-3-20

低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的
外延片

实用新型

扬州乾照

391

ZL201320649984.7

2014-4-9

一种柔性多结GaAs太阳电池

实用新型

扬州乾照

392

ZL201420455510.3

2015-1-7

全覆盖式扩展电极结构的发光二极管

实用新型

扬州乾照

393

ZL201420570717.5

2015-3-4

一种掺杂超晶格结构的黄绿光LED

实用新型

扬州乾照

394

ZL201420590730.7

2015-3-4

一种含掺杂宽势垒结构的黄绿光LED

实用新型

扬州乾照

395

ZL201420590798.5

2015-3-4

具有分布式导电孔结构的发光二极管

实用新型

扬州乾照

396

ZL201520083208.4

2015-7-1

一种高效电流注入发光二极管

实用新型

扬州乾照

397

ZL201520083216.9

2015-7-1

一种近红外发光二极管

实用新型

扬州乾照

398

ZL201520083239.X

2015-7-1

一种双反射镜结构的发光二极管

实用新型

扬州乾照

399

ZL201520083433.8

2015-7-1

一种高亮度发光二极管

实用新型

扬州乾照

400

ZL201520083607.0

2015-7-1

一种并联结构的集成LED芯片

实用新型

扬州乾照

401

ZL201520183043.8

2015-8-26

LED蒸发台镀锅装置

实用新型

扬州乾照

402

ZL201520183810.5

2015-8-26

一种具有表面粗化结构的三结GaAs太阳电


实用新型

扬州乾照

403

ZL201520745057.4

2016-1-20

一种倒置结构的双面受光GaAs多结太阳电


实用新型

扬州乾照

404

ZL201520784343.1

2016-1-20

侧壁粗化的AlGaInP基LED

实用新型

扬州乾照

405

ZL201520991820.1

2016-4-27

一种具有衬套的坩埚

实用新型

扬州乾照

406

ZL201521068093.8

2016-8-10

GaP表面粗化的AlGaInP基LED

实用新型

扬州乾照

407

ZL201521073125.3

2016-6-8

一种串联PN结发光二极管

实用新型

扬州乾照

408

ZL201521080140.0

2016-8-3

一种可防止晶片滑落的晶片花篮

实用新型

扬州乾照

409

ZL201620090175.0

2016-8-17

高比功率GaAs多结柔性薄膜太阳电池

实用新型

扬州乾照

410

ZL201620289504.4

2016-11-23

表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基LED

实用新型

扬州乾照

411

ZL201620294694.9

2016-9-21

一种自动控制Z轴运动的LED探针台寻边器

实用新型

扬州乾照

412

ZL201620481433.8

2016-11-23

一种低成本发光二极管

实用新型

扬州乾照

413

ZL201620494101.3

2016-12-7

一种LED晶圆激光装置

实用新型

扬州乾照

414

ZL201620494103.2

2016-12-7

LED晶圆激光装置

实用新型

扬州乾照

415

ZL201620615149.5

2016-12-7

一种垂直结构AlGaInP基发光二极管

实用新型

扬州乾照




序号

专利号

授权公告
日期

专利名称

专利类型

专利权人

416

ZL201620914399.9

2017-3-8

具有AZO粗化层的高亮度AlGaInP发光二
极管

实用新型

扬州乾照

417

ZL201620928117.0

2017-3-8

一种铜基板高亮度AlGaInP发光二极管

实用新型

扬州乾照

418

ZL201620930546.1

2017-3-8

一种图案化高亮度AlGaInP发光二极管

实用新型

扬州乾照

419

ZL201620942652.1

2017-3-8

一种水平电极倒装红光LED芯片

实用新型

扬州乾照

420

ZL201620949232.6

2017-3-8

一种锗基砷化镓多结柔性薄膜太阳电池

实用新型

扬州乾照

421

ZL201620972691.6

2017-3-8

一种用于倒装LED芯片的外延片

实用新型

扬州乾照

422

ZL201820149421.4

2018-8-24

一种基于Si衬底的四结太阳电池

实用新型

扬州乾照

423

ZL201820249816.1

2018-9-7

一种三结太阳电池

实用新型

扬州乾照

424

ZL201920089869.6

2019-7-12

一种平面结构的VCSEL芯片

实用新型

扬州乾照

425

ZL201920511124.4

2019-12-24

一种六面粗化的红外LED芯片

实用新型

扬州乾照

426

ZL201920511125.9

2019-10-1

一种自带反射碗杯的红外LED芯片

实用新型

扬州乾照

427

ZL201921220341.4

2020-2-14

一种提高抗辐照性能的多结太阳能电池

实用新型

扬州乾照

428

ZL201530564720.6

2016-6-1

LED嵌入式射灯(象鼻形)

外观设计

乾照照明

429

ZL201530564744.1

2016-6-1

LED嵌入式射灯

外观设计

乾照照明

430

ZL201530564752.6

2016-5-25

LED路灯

外观设计

乾照照明

431

ZL201630110271.2

2016-11-16

LED路灯

外观设计

乾照照明

432

ZL201630382406.0

2017-1-18

LED高杆灯

外观设计

乾照照明

433

ZL201730068406.8

2017-8-1

LED隧道灯

外观设计

乾照照明

434

ZL201730294465.7

2017-12-5

LED路灯

外观设计

乾照照明

435

ZL201730294473.1

2017-12-5

LED路灯

外观设计

乾照照明

436

ZL201730485253.7

2018-2-27

LED路灯(玻璃)

外观设计

乾照照明

437

ZL201730523398.1

2018-4-10

LED高杆灯

外观设计

乾照照明

438

ZL201730524959.X

2018-3-20

LED天棚灯

外观设计

乾照照明

439

ZL201830114370.7

2018-9-7

LED天棚灯

外观设计

乾照照明

440

US10043850B2

2018-8-7

HV-LED MODULE HAVING 3D
LIGHT-EMITTING STRUCTURE AND
MANUFACTURING METHOD THEREOF

发明专利

乾照光电

441

US10121656B2

2018-11-6

Buffer Layers Having Composite Structures

发明专利

乾照光电

442

US10333028B2

2019-6-25

LIGHT-EMITTING DIODE CHIPS WITH
ENHANCED BRIGHTNESS

发明专利

乾照光电

443

US10468550B2

2019-11-5

Light-emiting diode device and method of
producing the same

发明专利

乾照光电

444

US10622339B2

2020-4-14

METHODS AND DISPLAY DEVICES FOR
MICRO-LED MASS TRANSFER
PROCESSES

发明专利

乾照光电

445

US10658541B2

2020-5-19

SELECTIVE GROWTH OF NITRIDE
BUFFER LAYER

发明专利

乾照光电




序号

专利号

授权公告
日期

专利名称

专利类型

专利权人

446

US10916422B2

2021-2-9

Buffer Layers Having Composite Structures

发明专利

乾照光电

447

US10937926B2

2019-1-14

LIGHT-EMITTING DIODES WITH BUFFER
LAYERS

发明专利

乾照光电

448

US10686100B2

2020-6-16

QUARTENARY LED WITH TRANSPARENT
SUBSTRATE AND ALIGNED
ELECTRODES

发明专利

扬州乾照

449

ZL201810430652.7

2021-04-06

半导体发光微显示器件及其制造方法以及衬
底剥离方法

发明专利

乾照光电

450

ZL201810478979.1

2021-04-13

发光二极管及其芯片和制造方法以及芯片的
发光方法

发明专利

乾照光电

451

ZL201911094190.7

2021-04-27

一种倒装高压发光二极管及其制作方法

发明专利

乾照光电

452

ZL201910501159.4

2021-04-27

气相沉积设备及其控制方法、腔体清洁方法

发明专利

乾照光电

453

ZL201910360845.4

2021-04-27

一种垂直高压发光二极管芯片及其制作方法

发明专利

乾照光电

454

ZL201910827366.9

2021-06-11

LED芯片及其制作方法

发明专利

乾照光电

455

ZL201810083428.5

2021-06-22

被动式驱动阵列LED显示面板及其制作方
法、显示装置

发明专利

乾照光电

456

ZL202010230868.6

2021-06-25

一种PIPN结构的发光二极管及其制备方法

发明专利

乾照光电

457

ZL201910441110.4

2021-06-25

一种显示屏灯珠装置、集成式二极管芯片及
制备方法

发明专利

乾照光电

458

ZL202010401072.2

2021-06-29

一种微型发光元件及其制备方法

发明专利

乾照光电

459

ZL201910599581.8

2021-04-20

一种垂直腔面发射激光器及其制备方法

发明专利

扬州乾照

460

ZL201911002505.0

2021-05-11

一种高亮度正装LED结构及制作方法

发明专利

扬州乾照

461

ZL201910423564.9

2021-05-28

一种砷化镓多结太阳电池及制作方法

发明专利

扬州乾照

462

ZL201711385055.9

2021-04-23

一种LED芯片中LED芯粒的分选转移方法

发明专利

江西乾照

463

ZL201911187939.2

2021-05-11

一种高增益有源区的生长方法及VCSEL的
生长方法

发明专利

乾照半导体

464

ZL202022817889.6

2021-06-08

一种可拾取及测试的微器件

实用新型

乾照半导体

465

ZL202010461643.1

2021-07-06

一种应用于显示屏的LED芯片及其制备方


发明专利

乾照光电

466

ZL201911293258.4

2021-07-06

一种太阳能电池及其制作方法

发明专利

扬州乾照

467

ZL202010259486.6

2021-07-09

一种LED芯片的刻蚀方法

发明专利

江西乾照

468

ZL202010100091.1

2021-07-09

一种Micro-LED阵列基板的制备方法及制备
系统

发明专利

乾照半导体

469

ZL201911001740.6

2021-07-16

一种具有变质缓冲层的多结太阳能电池及制
作方法

发明专利

扬州乾照

470

ZL202120003691.6

2021-07-20

一种半导体外延结构、LED芯片

实用新型

乾照光电

471

ZL201910109810.3

2021-07-27

一种凹电极式的倒装芯片结构及制作方法

发明专利

乾照光电

472

ZL201910864541.1

2021-08-10

一种具有改性区域的发光二极管及其制备方


发明专利

乾照光电

473

ZL201811145385.5

2021-08-10

一种侧向外延生长的方法及半导体结构

发明专利

扬州乾照




序号

专利号

授权公告
日期

专利名称

专利类型

专利权人

474

ZL201910462157.9

2021-08-20

一种具有量子阱结构隧穿结的多结太阳电池
及制作方法

发明专利

扬州乾照

475

ZL201910740316.7

2021-09-07

一种芯片选择性搬运方法

发明专利

乾照半导体

476

ZL202120160090.6

2021-09-17

一种半导体外延结构及LED芯片

实用新型

乾照光电

477

ZL201911269812.5

2021-09-17

一种晶格失配的多结太阳能电池及其制作方


发明专利

扬州乾照

478

ZL202120347236.8

2021-09-21

一种半导体外延结构及LED芯片

实用新型

乾照光电

479

ZL202120361318.8

2021-09-21

一种半导体外延结构及LED芯片

实用新型

乾照光电

480

ZL202023168938.4

2021-09-21

一种激光器外延结构、VCSEL芯片

实用新型

乾照激光

481

ZL202022776392.4

2021-09-21

一种基于声表面波雾化器应用的系统

实用新型

乾照半导体

482

ZL201911002532.8

2021-09-24

一种具有布拉格反射层的多结太阳电池及制
作方法

发明专利

扬州乾照

483

ZL201811145299.4

2021-09-24

一种多结太阳能电池及其制作方法

发明专利

扬州乾照








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