美光放弃4F2 DRAM ASML入局混合键合

时间：2026年10月25日 20:01:30 中财网

　　CFi.CN讯：数据显示，美光正式宣布放弃研发20年的4F2 DRAM架构，主因是技术复杂度高、成本难控且实际密度提升有限。与此同时，ASML被曝正密集申请混合键合设备专利，极可能推出芯片到晶圆(D2W)键合工具，直接切入该领域。

　　
　　近期机构研报指出，ASML若量产混合键合设备，将打破BESI长期垄断格局，带动设备国产替代预期升温。研报认为，国内封测设备厂商如中微公司、长川科技在先进封装环节已有技术储备，有望受益于产业链重构。

　　
　　研报指出，英伟达加速推进3D堆叠DRAM用于下一代LPU芯片，并大手笔锁定基板、封装、测试等关键环节产能，凸显HBM与先进封装需求爆发确定性。叠加长鑫存储DRAM技术突破，国内存储及设备链迎来实质性催化。